• 제목, 요약, 키워드: PRAM

검색결과 134건 처리시간 0.051초

선택적 데이터 쓰기 기법을 이용한 저전력 상변환 메모리 (A Low Power Phase-Change Random Access Memory Using A Selective Data Write Scheme)

  • 양병도
    • 대한전자공학회논문지SD
    • /
    • v.44 no.1
    • /
    • pp.45-50
    • /
    • 2007
  • 본 논문에서는 상변환 메모리 (phase-change random access memory: PRAM)의 저전력 선택적 데이터 쓰기(selective data write: SDW) 기법을 제안하였다. PRAM은 쓰기 동작 과정에서 큰 전류를 오랜 시간동안 소모하기 때문에 큰 쓰기 전력을 소모한다. 이 쓰기 전력을 줄이기 위하여, SDW 기법은 쓰기 동작 과정에서 PRAM 셀에 데이터를 쓰기 전에 우선 저장될 셀의 데이터를 읽어온다. 셀의 기존 데이터와 새롭게 저장할 데이터를 비교하여, 입력된 데이터와 저장된 데이터가 다른 경우에만 PRAM 셀에 데이터 쓰기를 수행한다. 제안된 쓰기 기법을 사용하여 전력 소모를 반 이상으로 줄일 수 있다. 1Kbits ($128{\times}8bits$) PRAM 테스트 칩을 $0.5{\mu}m$ GST 셀과 $0.8{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 구현하였다.

상부전극 접촉면 크기에 따른 PRAM cell의 지우기 전류 특성 (Reset current of PRAM cell with top electrode contact size)

  • 최홍규;장낙원;이성환;이동영;마석범
    • 대한전기학회:학술대회논문집
    • /
    • /
    • pp.1272-1273
    • /
    • 2008
  • PRAM(Phase change access memory) has desirable characteristics including high speed, low cost, low power, and simple process. PRAM is based on the reversible phase transition between resistive amorphous and conductive crystalline states of chalcogenide. However, PRAM needs high reset current for operation. PRAM have to reduce reset current for high density and competitiveness. Therefore, we have investigated the reset current of PRAM with top electrode contact hole size using 3-D finite element analysis tool in this paper.

  • PDF

P-RAM 기술의 전망

  • 정홍식
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
    • /
    • /
    • pp.21-40
    • /
    • 2006
  • [ ${\Box}$ ] Opportunities for PRAM Nearly ideal memory characteristics Potential for high density & low cost memory ${\Box}$ Technical Challenges Writing current reduction is the most urgent issue. ${\to}$ chalcogenide, programming volume, current density, heat loss control Improvement of writing speed, reliability ${\Box}$ Prospects (PRAM as a Mainstream Memory) Evenn, We have demonstrated 256Mb PRAM Realization of high density and low cost PRAM with good reliability will be key succss factor. We need to develop PRAM specific applications.

  • PDF

Container선(船) 선미부형상(船尾部形狀) 설계(設計)에 있어서 Pram Wideness의 영향(影響)에 대한 고찰(考察) (A Study on the Influences of the Wideness of Pram in Designing Aftbody of Container Vessels)

  • 문진상;황보승면
    • 대한조선학회지
    • /
    • v.26 no.1
    • /
    • pp.63-72
    • /
    • 1989
  • Container선의 선미부 선형 설계에 있어서 pram의 wideness를 증가시킴에 따라 발생될 수 있는 여러 사항을 조사하였다. $KM_T$의 증가로 인한 정수중의 복원력 향상 및 상갑판위에 화물적재의 양을 늘일 수 있다는 점과 더불어 항해중 복원성능의 변화, 선체변동압력의 증대, 저항추진성능에 미치는 영향 그리고 선체구조 측면에서의 고려사항등을 검토하였다.

  • PDF

내로우 값을 이용한 상변화 메모리상에서의 에너지 소모 절감 기법 (Reducing Method of Energy Consumption of Phase Change Memory using Narrow-Value Data)

  • 김영웅
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
    • /
    • v.15 no.2
    • /
    • pp.137-143
    • /
    • 2015
  • 과거 30년 동안 메모리 생산의 경제성 이유로 주 메모리 핵심 제품으로 사용된 DRAM의 단점을 극복할 수 있는 대체 기술로 PRAM 기술이 제안되어 왔다. 본 논문에서는 PRAM의 내로우 값을 이용하여 쓰기 동작을 줄임으로써 에너지 소모를 절감할 수 있는 기법을 제안한다. 이를 위해 내로우 값을 이용한 데이터 압축 방법을 기술하고, PRAM의 아키텍쳐 구조를 설정하고, Simplescalar 3.0e 시뮬레이터와 SPEC CPU2000 벤치마크를 사용하여 실험한다. 본 연구의 실험 결과에 의하면 제안된 기법을 사용할 경우 PRAM의 데이터 히트율은 39.4%에서 67.7%로 증가하였으며, 에너지 소모율은 9.2% 감소하였다. 제안된 기법을 사용하기 위해서는 공간 오버헤드가 워드 당 3.13% 발생하며 약간의 추가적인 하드웨어 모듈이 필요하다.

SSD 스토리지 시스템에서 PRAM 캐시를 이용한 데이터 중복제거 기법 (Data Deduplication Method using PRAM Cache in SSD Storage System)

  • 이승규;김주경;김덕환
    • 전자공학회논문지
    • /
    • v.50 no.4
    • /
    • pp.117-123
    • /
    • 2013
  • 최근 클라우드 스토리지 환경에서 전통적인 스토리지장치인 하드디스크를 대체하여 SSD(Solid-State Drive)의 사용량이 증가하고 있다. SSD는 기계적인 동작이 없어 빠른 입출력 성능을 가지는 반면 덮어쓰기가 불가능한 특성을 가지고 있어 공간 효율성을 위한 관리가 중요하다. 이와 같은 마모도 특성을 갖는 SSD의 공간 효율성을 효과적으로 관리하기 위해 데이터 중복제거 기법을 이용한다. 하지만 데이터 중복제거 기법은 데이터 청킹, 해싱, 해시값 검색과정 연산을 포함하기 때문에 오버헤드가 발생하는 문제점이 있다. 본 논문에서는 SSD 스토리지 시스템에서 PRAM 캐시를 이용한 데이터 중복제거 기법을 제안한다. 제안한 방법은 DRAM의 1차 해시테이블에 PRAM에 캐싱된 데이터를 위한 해시값들을 저장하고, LRU(Least Recently Used)기법을 이용하여 관리한다. PRAM의 2차 해시테이블에는 SSD 스토리지에 저장된 데이터에 대한 해시값들을 저장하고, DRAM의 1차 해시테이블에 대한 백업을 PRAM에 유지함으로써 전원 손실등에 대비하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 실험결과, 제안하는 기법은 기존의 DRAM에 모든 해시값들을 저장하여 관리하는 기법보다 SSD의 쓰기 횟수 및 연산시간을 워크로드별 평균 44.2%, 38.8%의 감소 효과를 보였다.

Atomic layer deposition of In-Sb-Te Thin Films for PRAM Application

  • Lee, Eui-Bok;Ju, Byeong-Kwon;Kim, Yong-Tae
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • /
    • pp.132-132
    • /
    • 2011
  • For the programming volume of PRAM, Ge2Sb2Te5(GST) thin films have been dominantly used and prepared by physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD). Among these methods, ALD is particularly considered as the most promising technique for the integration of PRAM because the ALD offers a superior conformality to PVD and CVD methods and a digital thickness control precisely to the atomic level since the film is deposited one atomic layer at a time. Meanwhile, although the IST has been already known as an optical data storage material, recently, it is known that the IST benefits multistate switching behavior, meaning that the IST-PRAM can be used for mutli-level coding, which is quite different and unique performance compared with the GST-PRAM. Therefore, it is necessary to investigate a possibility of the IST materials for the application of PRAM. So far there are many attempts to deposit the IST with MOCVD and PVD. However, it has not been reported that the IST can be deposited with the ALD method since the ALD reaction mechanism of metal organic precursors and the deposition parameters related with the ALD window are rarely known. Therefore, the main aim of this work is to demonstrate the ALD process for IST films with various precursors and the conformal filling of a nano size programming volume structure with the ALD?IST film for the integration. InSbTe (IST) thin films were deposited by ALD method with different precursors and deposition parameters and demonstrated conformal filling of the nano size programmable volume of cell structure for the integration of phase change random access memory (PRAM). The deposition rate and incubation time are 1.98 A/cycle and 25 cycle, respectively. The complete filling of nano size volume will be useful to fabricate the bottom contact type PRAM.

  • PDF

전력-종속 데이터 반전 기법을 이용한 저전력 상변환 메모리 (A Low Power PRAM using a Power-Dependant Data Inversion Scheme)

  • 양병도
    • 대한전자공학회논문지SD
    • /
    • v.44 no.11
    • /
    • pp.95-100
    • /
    • 2007
  • 전력-종속 데이터 반전 기법(power-dependant data inversion: PDI)을 이용하는 저전력 PRAM을 제안하였다. PRAM은 많은 쓰기 전류를 오랜 시간동안 필요로 하기 때문에 많은 쓰기 전력을 소모하게 되고, #1#과 #0#을 저장하는데 사용하는 전력이 다르다. PDI는 이런 특성을 이용하여 원본 데이터와 반전된 데이터를 저장하기 위해 필요한 전력을 비교한 후, 전력을 적게 소모하는 데이터를 저장한다. PDI 기법은 각 데이터마다 추가적인 반전 비트를 사용 하지만, 기존의 쓰기 기법과 비교하여 최대전력과 평균전력을 각각 50%와 37.5% 이하로 크게 줄일 수 있다. 8bit 데이터를 저장하기 위한 평균 전력은 반전 비트의 영향으로 41%이하가 된다. 128$\times$8bits 1K-bit PRAM 칩을 0.5${\mu}m$ GST 셀을 갖는 0.8${\mu}m$ CMOS 공정으로 구현하였다.

상변환 메모리 단위소자 시뮬레이레이션 (simulation for an phase change random access memory device)

  • 구창효;김성순;이근호;이홍림
    • 한국재료학회:학술대회논문집
    • /
    • /
    • pp.179-179
    • /
    • 2003
  • 현재 차세대 메모리로 연구되고 있는 것 중 가장 각광 받는 것은 PRAM 이다. MRAM의 경우 복잡한 공정 때문에 상용화에 많은 어려움이 따르는데 반해 PRAM은 DRAM과 유사한 구조를 가지고 있기 때문에 기존 DRAM의 공정라인을 사용할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 하지만 PRAM은 높은 작동전류가 필요하다는 단점을 가지고 있다. 따라서 PRAM이 상용화 되기 위해서는 2mA 이하의 작동전류에서 상변환이 일어나야 한다. 여기서 말하는 상변환이란 결정질 상태를 비정질 상태로 변환 시키는 것을 의미한다. 본 연구에서는 우선 8F$^2$ 크기(F=0.15$\mu\textrm{m}$)의 DRAM 단위소자 메모리 구조를 이용하여 lT/lRPCRAM 모델을 구축하였다. 구축된 모델을 이용하여 요구되는 작동전류(2mA이하)에서의 PRAM의 온도 분포를 시뮬레이션을 통하여 예측하였다. 또한 단위소자를 구성하는 재료의 물성 변화가 소자 내부의 온도 분포에 미치는 영향을 분석하였다.

  • PDF

Hole 구조 상변화 메모리의 전기 및 열 특성 (Electro-Thermal Characteristics of Hole-type Phase Change Memory)

  • 최홍규;장낙원;김홍승;이성환;이동영
    • 한국마린엔지니어링학회지
    • /
    • v.33 no.1
    • /
    • pp.131-137
    • /
    • 2009
  • In this paper, we have manufactured hole type PRAM unit cell using phase change material $Ge_2Sb_2Te_5$. The phase change material $Ge_2Sb_2Te_5$ was deposited on hole of 500 nm size using sputtering method. Reset current of PRAM unit cell was confirmed by measuring R-V characteristic curve. Reset current of manufactured hole type PRAM unit cell is 15 mA, 100 ns. And electro and thermal characteristics of hole type PRAM unit cell were analyzed by 3-D finite element analysis. From simulation temperature of PRAM unit cell was $705^{\circ}C$.