• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권4호
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• pp.13-20
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• 2003

반도체 소자이론에 근거한 집적회로용 BJT의 역포화 전류 모델을 제시한다. 공정 조건으로부터 베이스 영역의 불순물 분포를 구하는 방법과 원형 에미터 구조를 갖는 Lateral PNP BJT와 Vertical NPN BJT의 베이스 Gummel Number를 정교하게 계산하는 방법을 제시한다. 제안된 방법의 타당성을 검증하기 위해 20V와 30V 공정을 기반으로 제작한 NPN BJT와 PNP BJT의 역포화 전류를 실측치와 비교한 결과, NPN BJT는 6.7%의 평균상대오차를 보이고 있으며 PNP BJT는 6.0%의 평균 상태오차를 보인다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.141-144
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• 2002

The method of the analysis of the base Gummel number of the PNP BJT(Bipolar Junction Transistor) for integrated circuits based upon the semiconductor physics is proposed and the method of calculating the doping profile of the base region using process conditions is presented. The transistor saturation current obtained from the proposed method of PNP BJT using 20V and 30V process shows an averaged relative error of 6.7% compared with the measured data.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제54권2호
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• pp.501-506
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• 2022

Long turn-off time limits high frequency operation of Bipolar Junction Transistors (BJTs). Turn-off time decreases with increases in the recombination rate of minority carriers at switching transients. Fast neutron irradiation on a Si BJT incurs lattice damages owing to the displacement of silicon atoms. The lattice damages increase the recombination rate of injected holes with electrons, and decrease the hole lifetime in the base region of pnp Si BJT. Fast neutrons generated from a beryllium target with 30 MeV protons by an MC-50 cyclotron were irradiated onto pnp Si BJTs in experiment. The experimental results show that the turn-off time, including the storage time and fall time, decreases with increases in fast neutron fluence. Additionally, it is confirmed that the base current increases, and the collector current and base-to-collector current amplification ratio decrease due to fast neutron irradiation.

• 전기학회논문지
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• 제58권9호
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• pp.1769-1774
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• 2009

An algorithm for extracting the BJT DC model parameter values for SPICE model is proposed. The nonlinear optimization method for analyzing the device I-V data using the Levenberg-Marquardt algorithm is proposed and the method for calculating initial conditions of model parameters to improve the convergence characteristics is proposed. The base current and collector current obtained from the proposed method shows the root mean square error of 6.04% compared with the measured data of the PNP BJT named 2SA1980.

• 한국군사과학기술학회지
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• 제25권5호
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• pp.545-551
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• 2022

We proposed a design method for constant current pyro squib circuit. The current method using N MOSFET for the stability problem has a weakness of the current change, requiring a new design. This paper identified the problem with conventional squib circuit where the current is reduced by 25 % when maximum resistance is 3 ohms. Thus, we proposed a stable constant current driving circuit using P MOSFET and PNP BJT. We confirmed stable constant circuit operation through simulations and measurements of the proposed circuit design where the current did not change until the resistance reached 3 ohms.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.80-86
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• 2018

본 논문에서는 기존 ESD 보호회로인 SCR, LVTSCR 보다 향상된 전기적 특성을 갖는 새로운 PNP 바이폴라 삽입형 ESD 보호회로를 제안한다. 제안된 회로는 기존 SCR에 대비하여 약 9V낮은 8.59V의 트리거 전압을 가지고, 기생 PNP가 하나 더 동작하면서 높은 감내특성을 갖는다. 또한 제안된 ESD 보호회로의 실제 설계 적용을 위해 변수 L을 늘리면서 기생 PNP의 베이스 길이를 늘려 홀딩전압을 증가시켰다. 제안된 소자의 전기적 특성 검증을 위해 Synopsys사의 T-CAD 시뮬레이터를 사용하였다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제52권2호
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• pp.74-79
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• 2003

The method of the analysis of the base Gummel number of the BJT(Bipolar Junction Transistor) for integrated circuits based upon the semiconductor physics is proposed and the method of calculating the doping profile of the base region using process conditions is presented. The transistor saturation current obtained from the proposed method of NPN BJT using 20V and 30V process shows an averaged relative error of 6.7% compared with the measured data and the transistor saturation current of PNP BJT shows an averaged relative error of 9.2% compared with the measured data

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제48권3호
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• pp.124-130
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• 2023

Background: When bipolar junction transistors (BJTs) are used as switches, their switching characteristics can be deteriorated because the recombination time of the minority carriers is long during turn-off transient. When BJTs operate as low frequency switches, the power dissipation in the on-state is large. However, when BJTs operate as high frequency switches, the power dissipation during switching transients increases rapidly. Materials and Methods: When silicon (Si) BJTs are irradiated by fast neutrons, defects occur in the Si bulk, shortening the lifetime of the minority carriers. Fast neutron irradiation mainly creates displacement damage in the Si bulk rather than a total ionization dose effect. Defects caused by fast neutron irradiation shorten the lifetime of minority carriers of BJTs. Furthermore, these defects change the switching characteristics of BJTs. Results and Discussion: In this study, experimental results on the switching characteristics of a pnp Si BJT before and after fast neutron irradiation are presented. The results show that the switching characteristics are improved by fast neutron irradiation, but power dissipation in the on-state is large when the fast neutrons are irradiated excessively. Conclusion: The switching characteristics of a pnp Si BJT were improved by fast neutron irradiation.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권3호
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• pp.890-894
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• 2020

본 논문에서는 대표적인 ESD 보호소자인 LVTSCR의 구조적 변화를 통해 높은 홀딩전압 특성을 가지는 ESD 보호소자를 제안한다. 제안된 ESD 보호소자는 병렬 PNP path와 긴 N+ drift 영역을 삽입하여 기존의 LVTSCR보다 높은 홀딩전압을 가지며, 일반적인 SCR 기반 ESD보호소자의 단점인 Latch-up 면역특성을 향상시킨다. 또한 기생 BJT들의 유효 베이스 폭을 설계변수로 설정하였으며, N-Stack 기술을 적용하여 요구되는 application에 적용할 수 있도록 시놉시스사의 TCAD 시뮬레이션을 통해 제안된 ESD 보호소자의 전기적 특성을 검증하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권3호
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• pp.517-526
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• 2008

본 논문에서는 자동차 계기판의 OLED 디스플레이 모듈용 One-chip DC-DC 변환기 회로를 제안하였다. 전하 펌핑 방식의 OLED 패널 구동전압 회로는 PWM(Pulse Width Modulation) 방식을 사용한 DC-DC 변환기 회로에 비해 소형화, 저가격 및 낮은 EMI 특성을 갖는다. 그리고 Bulk-potential 바이어싱 회로를 사용하므로 전하 펌핑 시 기생하는 PNP BJT에 의한 전하 손실을 방지하도록 하였고, 밴드갭 기준전압 발생기의 Start-up 회로에서 전류소모를 기존 BGR 회로에 비해 42% 줄였고 VDD의 링 발진기 회로에 로직전원인 VLP를 사용하여 링 발진기기 레이아웃 면적을 줄였다. 또한 OLED 구동전압인 VDD의 구동 전류는 OLED 패널에서 요구하는 40mA 이상이다. $0.25{\mu}m$ High-voltage 공정을 이용하여 테스트 칩을 제작 중에 있으며, 레이아웃 면적은$477{\mu}m{\times}653{\mu}m$이다.