• 한국전자파학회논문지
• /
• 제14권2호
• /
• pp.127-132
• /
• 2003

본 연구에서는 전압제어형 PIN 다이오드 감쇄기에 사용될 수 있는 새로운 PIN 다이오드 모델을 제안하였다. 종래의 PIN 다이오드 모델의 문제점인 DC해석과 전압/감쇄 특성의 오류의 원인을 분석하였고 분석된 결과를 바탕으로 종래 모델의 문제점을 해결할 수 있는 새로운 PIN 다이오드 모델을 제시하였다. 제시된 모델은 간단한 구성으로 상용 시뮬레이터에 쉽게 삽입되어질 수 장점이 있다. 모델의 유용성을 검증하기 위하여 전압제어형 감쇄기를 설계하여 DC특성과 입력전압에 따른 감쇄특성을 실험한 결과 제시된 모델이 종래 모델이 갖는 문제점을 해결할 수 있을 뿐만 아니라 전압제어형 감쇄기를 정확하게 설계할 수 있음을 확인하였다. 본 논문에서 제시된 모델은 PIN 다이오드를 이용한 다양한 초고주파 회로 설계시 적용되어질 수 있을 것으로 사료된다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제16권2호
• /
• pp.167-173
• /
• 2005

직렬 PIN 다이오드 스위치의 격리도는 PIN 다이오드의 병렬 커패시턴스에 의해 제한을 받으며, 스위치 구동회로는 PIN 다이오드 스위치의 스위칭 속도를 제한한다. 이런 문제를 극복하기 위해, 병렬 공진 인턱턴스와 TTL 호환의 스위치 구동회로가 적용된 높은 격리도와 고속 스위칭의 PIN 다이오드 스위치를 제안하였다. 3 GHz PIN 다이오드 스위치의 측정 결과, 1 GHz의 주파수 대역폭, 1.5 dB 이내의 삽입 손실, 65 dB의 격리도, 15 dB 이상의 반사 손실 그리고 30 ns 이내의 스위칭 속도를 나타내었다. 특히, 병렬 공진 인덕턴스를 사용한 3 GHz스위치는 15 dB의 격리도 향상을 나타내었다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제13권5호
• /
• pp.484-491
• /
• 2002

본 연구에서는 Ku-대역 위성통신 중계기에 사용되는 전압제어형 PIN 다이오드 감쇄기를 설계, 제작, 측정하고 이 감쇄기의 온도 특성 변화를 보상하기 위한 온도보상회로를 제안하였다. PIN 다이오드 감쇄기는 박막 하이브리드 기술을 이용하여 설계되었으며 PIN 다이오드 감쇄기를 전압제어형으로 사용할 경우 최대 선형 특성을 얻을 수 있는 부하 저항(R$_{L}$)의 값을 Simulation 및 실험에 의해 결정되었다. 최적의 부하 저항값은 사용한 PIN 다이오드의 특성에 의해 달라지며, 본 논문에서 사용한 APD-0805의 경우 150$\Omega$의 부하저항으로 PIN 다이오드 한 개에 10 dB 까지 선형 감쇄범위를 얻을 수 있었다. 또한 부하 저항을 포함한 PM 다이오드 감쇄기의 온도 특성을 측정하였고, 측정결과 관찰된 PIN 다이오드 감쇄기가 전압제어형으로 사용되어질 경우의 가장 큰 단점인 온도 특성의 심각한 변화를 보상할 수 있는 온도보상회로를 제안하였다. 제안된 온도보상회로를 갖는 PIN 다이오드 감쇄기는 동작온도에 대해 선형적인 특성을 보이며 동작온도 범위에 걸쳐 0.6 dB 이하의 오차만을 가짐을 확인하였다.

• 한국전자통신학회논문지
• /
• 제13권5호
• /
• pp.971-978
• /
• 2018

본 논문에서는 Ku대역 레이더시스템의 핵심부품인 리미터에 대한 설계 및 제작 결과에 대해서 다룬다. 도파관 구조인 다중 PIN다이오드 스위치 특성을 적용하여 설계한 리미터의 신호감쇄 대역을 확장하여, 광대역에서 신호감쇄가 가능하도록 설계 및 구현을 하였다. 제작된 리미터를 대상으로 실험한 결과, PIN다이오드 스위치가 모두 OFF일 때 유입되는 신호가 감쇄없이 전달되었고, 순차적으로 PIN다이오드 스위치가 ON되면 Ku대역 유입 신호가 20dB이상, 그리고 모두 ON이 되면 1000MHz 대역폭 범위에서 50dB 이상의 감쇄가 이루어지는 것을 확인하였다.

• ETRI Journal
• /
• 제29권6호
• /
• pp.832-834
• /
• 2007

This letter presents a reconfigurable ground-slotted patch antenna using a PIN diode connection in slots to achieve dual-frequency operation. Slots in the ground plane increase the electrical length and thereby reduce antenna size by 53%. By controlling PIN diode conduction, we achieved band hopping while still satisfying the bandwidth requirements for K-PCS and WiBro bands.

• 대한전자공학회논문지TC
• /
• 제45권11호
• /
• pp.55-60
• /
• 2008

본 논문에서는 CRLH(Composite Righ/Left Handed) 전송선과 PIN 다이오드를 이용한 이중대역 RF 스위치를 제안하였다. 일반적인 RF 스위치가 RH(Right Handed) 전송선 및 PIN 다이오드로 구성되는 것과는 달리, 제안된 RF 스위치는 CRLH 전송선을 이용함으로써 이중대역 특성을 만족하였다. 설계된 CRLH전송선은 Open-Stub를 이용하여 PIN 다이오드 패키지 인덕턴스로 인한 격리도 감소를 해결하였다. RF 스위치는 GSM 주파수 대역인 900MHz와 DCS 주파수 대역인 1.8GHz의 이중 대역에서 설계 및 제작하였다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제14권6호
• /
• pp.625-629
• /
• 2003

GaAs PIN 다이오드를 이용하여 저손실 고출력 MMIC 리미터를 설계하고 제작하였다. 고전력 수용 능력을 증가시키기 위하여 새로운 GaAs PIN 다이오드 에피구조를 제안하였다. 2종류의 리미터 회로를 설계하고 그리미팅 전력을 측정하였다. 측정결과에서 리미팅 전력은 설계회로 토폴로지에 따라 달라졌다. 제작된 2단 리미터의 리미팅 전력은 14 ㎓에서 각각 17 ㏈m과 23 ㏈m으로 측정되었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 D
• /
• pp.2522-2525
• /
• 2001

Si PIN diodes are subject to be damaged from the exposure of fast neutron by displacement of Si lattice structure. The defects are effective recombination centers for carriers which migrate through the base region of the PIN diode when forward voltage is applied. It causes an increase in current and a decrease in resistivity of the diode. This paper presents the development of a neutron sensor based on displacement damage effect. PIN diodes having various structures were made bymicro-fabrication process, and neutron beam test was performed to identify neutron damage effect to the diode. From a result of the test, it was shown that the forward voltage drop of the diode, at a constant current, has good linearity for neutron dosage. Also it was found that the newton dosage can be measured by the pin diode neutron dosimeter with constant current power.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
• /
• 제52권12호
• /
• pp.545-552
• /
• 2003

When a Si PIN diode is exposed to fast neutrons, it results in displacement damage to the Si lattice structure of the diode. Defects induced from structural dislocation become effective recombination centers for carriers which pass through the base of a PIN diode. Hence, increasing the resistivity of the diode decreases the current for the applied forward voltage. This paper involves the development of a neutron sensor based on the phenomena of the displacement effect damaged by neutron exposure. The neutron effect on the semiconductor was analyzed. Several PIN diode arrays with various thickness and cross-section area of the intrinsic layer(I layer) were fabricated. Under irradiation tests with a neutron beam, the manufactured diodes have a good linearity to neutron dose and show that the increase of thickness of I layer and the decrease of cross-section of PIN diodes improve the sensitivity. Newly developed PIN diodes with thicker I layer and various cross section, were retested and then showed the best neutron sensitivity at the condition that the I layer thickness was similar to a side length. On the basis of two test results, final discrete PIN diodes with a rectangular shape were manufactured and the characteristics as neutron detectors were analyzed through the neutron beam test using on-line electronic dosimetry system. Developed PIN diode shows a good linearity as dosimetry in the range of 0 to 1,000cGy(Tissue) and its neutron sensitivity is 13mV/cGy at constant current of 5mA, that is three times higher than that of commercially available neutron detectors. And the device shows little dependency on the orientation of the neutron beam and a considerable stability in annealing test for a long period.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제17권4호
• /
• pp.368-379
• /
• 2006

본 논문에서는 기존의 실험 위주의 설계 기법보다는 해석적 방법에 의하여 3단으로 구성된 평판형 리미터 설계 및 제작 기법을 제시하였다. 해석 결과 PIN 다이오드로 구성된 리미터에 고출력의 RF 입력이 인가될 경우 두 가지 형태의 누설 전력이 발생하며 이의 PIN 다이오드 파라미터와 연관성을 설명하였다. 설계된 리미터 회로는 1단과 2단은 PIN diode로 구성되며 3단은 Schottky 다이오드를 사용 구성하였다. 이를 통하여 제작된 리미터회로는 약신호시 삽입 손실 0.8 dB, 20 W RF 입력시 첨두 누설 전력(spike leakage) 12 dBm, 정상 누설 전력 12 dBm의 사양을 보여주고 있다.