• 한국전자파학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.167-173
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• 2005

직렬 PIN 다이오드 스위치의 격리도는 PIN 다이오드의 병렬 커패시턴스에 의해 제한을 받으며, 스위치 구동회로는 PIN 다이오드 스위치의 스위칭 속도를 제한한다. 이런 문제를 극복하기 위해, 병렬 공진 인턱턴스와 TTL 호환의 스위치 구동회로가 적용된 높은 격리도와 고속 스위칭의 PIN 다이오드 스위치를 제안하였다. 3 GHz PIN 다이오드 스위치의 측정 결과, 1 GHz의 주파수 대역폭, 1.5 dB 이내의 삽입 손실, 65 dB의 격리도, 15 dB 이상의 반사 손실 그리고 30 ns 이내의 스위칭 속도를 나타내었다. 특히, 병렬 공진 인덕턴스를 사용한 3 GHz스위치는 15 dB의 격리도 향상을 나타내었다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제45권11호
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• pp.55-60
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• 2008

본 논문에서는 CRLH(Composite Righ/Left Handed) 전송선과 PIN 다이오드를 이용한 이중대역 RF 스위치를 제안하였다. 일반적인 RF 스위치가 RH(Right Handed) 전송선 및 PIN 다이오드로 구성되는 것과는 달리, 제안된 RF 스위치는 CRLH 전송선을 이용함으로써 이중대역 특성을 만족하였다. 설계된 CRLH전송선은 Open-Stub를 이용하여 PIN 다이오드 패키지 인덕턴스로 인한 격리도 감소를 해결하였다. RF 스위치는 GSM 주파수 대역인 900MHz와 DCS 주파수 대역인 1.8GHz의 이중 대역에서 설계 및 제작하였다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.971-978
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• 2018

본 논문에서는 Ku대역 레이더시스템의 핵심부품인 리미터에 대한 설계 및 제작 결과에 대해서 다룬다. 도파관 구조인 다중 PIN다이오드 스위치 특성을 적용하여 설계한 리미터의 신호감쇄 대역을 확장하여, 광대역에서 신호감쇄가 가능하도록 설계 및 구현을 하였다. 제작된 리미터를 대상으로 실험한 결과, PIN다이오드 스위치가 모두 OFF일 때 유입되는 신호가 감쇄없이 전달되었고, 순차적으로 PIN다이오드 스위치가 ON되면 Ku대역 유입 신호가 20dB이상, 그리고 모두 ON이 되면 1000MHz 대역폭 범위에서 50dB 이상의 감쇄가 이루어지는 것을 확인하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.364-371
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• 2007

본 논문에서는 와이브로 기지국 시스템을 위한 고전력 PIN 다이오드 스위치와 고속 스위치 구동회로에 대한 설계와 측정 결과를 제공한다. 일반적인 전력용 팩키지 다이오드의 기생 인덕턴스에 의한 격리도 열화를 막고 다이오드 스위치의 전력 능력을 향상시키기 위해 칩 형태의 다이오드를 사용하였으며, 본딩 와이어에 의한 직렬 인덕턴스는 전송선로의 임피던스에 쉽게 흡수될 수 있도록 회로를 구성하였다. 구현된 스위치 모듈은 사용된 다이오드의 개수를 최대한 줄이면서 최대의 성능을 얻을 수 있도록 설계되었으며 2.35 GHz에서 써큘레이터의 손실을 포함하여 약 0.84 dB의 삽입 손실과 80 dB 이상의 격리도 특성을 보였다. 또한 TTL 신호를 통한 스위치 모듈의 제어를 위해 스위치 구동회로를 설계, 제작하였으며 스위칭 속도는 200 nsec로 측정되었다. 스위치 모듈은 디지털 변조된 고전력 신호에 의해 전력능력이 시험되었으며 70 W의 전력이 인가되는 경우에도 정상적으로 동작하는 특성을 보여주었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.451-458
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• 2002

6-18 GHz 주파수대역에서 사용되는 흡수형의 SP3T 및 SP8T 스위치 모듈을 설계 및 제작하였다. 스위치 모듈에 사용된 MMIC 칩의 에피구조는 저 손실과 고 전력용으로 설계되었다. 최대입력전력은 SP3T 스위치 모듈이 2 W이고 SP8T 스위치 모듈이 1 W이다. 200 nsec의 고속 스위칭을 위한 구동회로를 모듈에 내장하였다. 모듈의 최대삽입손실은 SP3T 및 SP8T에 대해 각각 2.8 dB, 4.2 dB로 측정되었다. 입ㆍ출력포트간 분리도는 모두 55 dB 이상을 얻을 수 있었다. 두 스위치 모듈은 전자전 시스템에 적용하기 위한 관련 환경시험을 모두 통과하였다.

• ETRI Journal
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• 제28권1호
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• pp.84-86
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• 2006

This letter presents a small-sized, high-power single-pole double-throw (SPDT) switch with defected ground structure (DGS) for wireless broadband Internet application. To reduce the circuit size by using a slow-wave characteristic, the DGS is used for the quarter-wave (${\lambda}$/4) transmission line of the switch. To secure a high degree of isolation, the switch with DGS is composed of shunt-connected PIN diodes. It shows an insertion loss of 0.8 dB, an isolation of 50 dB or more, and power capability of at least 50 W at 2.3 GHz. The switch shows very similar performance to the conventional shunt-type switch, but the circuit size is reduced by about 50% simply with the use of DGS patterns.

• 한국전자파학회논문지
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• 제16권10호
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• pp.1003-1009
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• 2005

본 논문에서는 결함접지구조(Defected Ground Structure: DGS)의 전파 지연 특성을 이용하여 소형으로 구현한 휴대 인터넷용 고전력 Single Pole Double Throw(SPDT) 스위치의 특성이 제공되며 1/4 파장 전송선을 이용하여 제작된 일반적인 방식의 스위치와 그 특성이 비교된다. DGS를 활용하여 제작된 스위치는 높은 격리도를 확보하기 위해 병렬구조의 다이오드를 사용하여 구성되었으며 2.3 GHz에서 0.8 dB의 삽입 손실과 50 dB 이상의 격리도 특성을 보였고 50 W 이상의 전력을 다룰 수 있었다. DGS를 활용한 스위치는 기존의 전송선 방식의 스위치와 거의 동일한 스위칭 특성을 보이면서도 $50\%$ 가까운 회로의 크기 감소를 달성할 수 있었다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2002년도 종합학술발표회 논문집 Vol.12 No.1
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• pp.352-355
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• 2002

본 논문에서는 series-shunt type의 PIN diode를 사용하여 8 ㎓ (7.7㎓ - 8.3㎓) 에서 사용 가능한 switch를 설계 제작하였다 스위치의 중요한 사양인 격리도 (-50㏈ 미만) 삽입손실(-1.5㏈ 미만) 입력전력 허용치 (평균전력 0.5 watt 이상 ) 입출력 정재파비 (1.3:1) 등을 고려하여 설계하였으며, 제작은 인텍웨이브사의 알루미나 기판을 이용한 thin film 공정을 이용하였으며, 측정 또한 이 네 가지에 중점을 두었다. 격리도는 중심 주파수 근방에서 비교적 넓은 대역을 가지고 -50㏈ 미만이었으며, 삽입손실은 -1.3㏈-1.6㏈였다. 입출력 정재파비는 1 -1.4였다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제6권2호
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• pp.49-52
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• 2007

Characteristics of an active pixel switch readout circuit were studied by SPICE simulation. A simple readout circuit consists of an operation amplifier, a diode, and a down-counter was suggested, and its successful operation was verified by showing that the differences in the detected signal intensity are accordingly converted to modulation of the voltage pulses generated by the comparator. A scheme to use these pulses to generate the original image was also put forward.

• 한국전자파학회논문지
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• 제19권9호
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• pp.992-999
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• 2008

본 논문은 $20{\sim}100$ MHz 범위의 VHF 대역에서 $50{\mu}s$ 이내에 2 kW 이상의 고전력 신호를 제어할 수 있는 SPST(Single Pole Single Throw) PIN 다이오드 스위치의 설계 및 제작에 관하여 기술하였다. 고전력 스위치 설계에 필요한 설계 요소를 고찰하였고, 시뮬레이션을 통해 설계된 스위치의 삽입 손실, VSWR 및 격리도 특성이 목표 값을 만족함을 확인하였다. 또한, 실험을 통하여 최대 $20{\mu}s$ 이하의 빠른 스위칭 속도로서 2 kW의 고전력 취급이 가능함을 알 수 있었고, 0.2 dB 이하의 삽입 손실, 1.17:1 이하의 VSWR 및 40 dB 이상의 격리도 특성을 얻었다.