폴리카보네이트(PC) 필름을 유연기판으로 사용하기 위해서는 $SiO_x$ 증착에 의한 베리어 특성 개선이 필요하며 이때 베리어 층과 PC 계면 접착력이 매우 중요하다. 본 연구에서는 언더 코팅, UV/$O_3$ 및 저온 플라즈마와 같은 다양한 표면 처리 방법에 의하여 PC 필름 표면을 개질하여 표면의 물리적 화학적 변화가 증착된 베리어 층 계면 접착력에 미치는 영향을 살펴보았다. 표면 처리 전의 PC 필름은 표면 거칠기 및 표면 에너지가 매우 낮아 $SiO_x$ 베리어 층과의 접착력이 현저히 떨어짐을 알 수 있었다. PC 필름을 저온 플라즈마로 표면 처리한 결과, 표면의 거칠기 증가와 극성 관능기 생성에 의하여 극성 표면 에너지가 향상되는 반면 UV/$O_3$ 처리의 경우, 표면 거칠기 변화 없이 표면에 생성된 극성 관능기에 의해 극성 표면 에너지가 증가됨을 알 수 있었다. 이러한 표면의 변화는 베리어층과 PC 기판의 계면 접착력 증가에 기여함을 알 수 있었다. 표면 처리 방법으로 언더 코팅을 사용하는 경우 표면에 에너지를 가하지 않아도 코팅제의 아크릴산과 $SiO_x$의 접착력 향상에 의하여 PC 필름과의 계면 접착력이 증가되며 유무기 하이브리드 다층 구조에 의한 베리어 특성 개선이 함께 일어남을 알 수 있었다.
Organic field-effect transistors (OFETs) are of interest for use in widely area electronic applications. We fabricated a copper phthalocyanine (CuPc) based field-effect transistor with different metal electrode. So we need the effect of the substituent group attached to the phthalocyanine on the surface potential was investigated by Kelvin probe method with varying temperature of the substrate. We were obtained the positive shift of the surface potential for CuPc thin film. We observed the electron displacement at the interface between Au electrode and CuPc layer and we were confirmed by the surface potential measurement.
Organic field-effect transistors (OFETs) are of interest for use in widely area electronic applications. We fabricated a copper phthalocyanine(CuPc) based field-effect transistor with different metal electrode. So we need the effect of the substituent group attached to the phthalocyanine on the surface potential was investigated by Kelvin probe method with varying temperature of the substrate. We were obtained the positive shift of the surface potential for CuPc thin film. We observed the electron displacement at the interface between Au electrode and CuPc layer and we were confirmed by the surface potential measurement.
최근에 유기물 전계효과 트랜지스터의 연구는 전자 소자 분야에서 널리 알려져 있다. 특히 본 연구에서는 CuPc 물질을 활성층으로 사용하여 Organic FET 소자를 제작하였다. Source와 Drain 전극을 Au와 Al을 사용하여 FET 소자의 전기적 특성을 비교하였다. CuPc FET 소자에서 CuPc 활성층의 두께는 40nm로 고정하였고, Au와 Al 전극의 두께는 200nm로 하여 소자를 제작하였다. 또한 C-V 특성을 측정하여 CuPc 유기물 층과 $SiO_2$ 절연층 계면에서의 특성 변화를 관측하였다. Au를 전극으로 사용한 FET 소자에서는 전형적인 FET 특성 곡선을 관측할 수 있었으나, Al을 전극을 사용한 FET 소자에서는 누설 전류가 흐르고 있음을 확인 할 수 있었다.
We fabricated the organic light emittign diodes (OLEDs) with ITO/Cu-Pc/triphenyl-diamine (TPD)/TPD+tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq$_3$)/Al. The electrical properties of Cu-Pc thin film were studied as a hole injection layer. the energy gap of Cu-Pc thin films is decreased according to the substrate heat treatment temperature increased. It could be controlled the hole mobility by changing the heat treatment condition of Cu-Pc. The emission wavelengths could be controlled by changing hole mobility and recombination zone in emission layer.
In this study, effect of thickness on structural, electrical and optical properties of B doped ZnO:Al (AZOB) films was investigated. AZOB films were deposited on PC substrates by DC magnetron sputtering. The thickness range of films were from 300 nm to 800 nm to identified as increasing thickness, stress between substrate and AZOB film. The. average transmittance of the films was over 80 % until 500 nm. Then a resistivity of $1.58\times10^{-3}\Omega$-cm was obtained. We presented that a AZOB film of 500 nm was optimization to obtain a high transmittance and conductivity.
In this study, we prepared ITO thin film on glass, polycarbonate (PC) and polyethersulfone (PES) substrate in Facing Targets sputtering (FTS) system. Properties of as-deposited thin films's aging change were investigated as a function of time placed in the air. The electrical and optical properties of as-deposited thin films were employed by a four point probe and an UV/VIS spectrometer, an X-ray diffractometer (XRD), a Field Emission Scanning Electron Microscope(FESEM) and a Hall Effect measurement. As a result, as time went by, transmittance of all films did not change but resistivity of films was decreasing.
한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.710-712
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2007
The effects of stress on the IZO/PC substrate and the electro-optical properties of a flexible LCD with microstructure in bending were investigated. It showed that the IZO/PC substrate and the periodic cross spacers are good enough to be employed in the application of the ECB or polarization rotation LC mode.
The hydrolytic susceptibility of large unilamellar vesicle (LUV) toward cabbage phospholipase D (PLD) was studied. The activity of PLD was determined by pH stat titration method. Using phosphatidylcholine LUV as substrate a pH optimum of 6.96 was observed. For maximal activity the optimal temperature of $31^{\circ}C$ and 10 mM of Ca2+ were required. The apparent Km value estimated was 2.5 mM. The hydrolytic activity of PLD toward PC LUV was somewhat high despite the absence of activator in assay system and this high susceptibility of PC LUV may be attributed to the structural properties of LUV. The effect of amphiphatic substances such as dicetyl phosphate and phosphatidic acid on the enzyme activity were also examined in mixed LUVs.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.886-888
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2009
We fabricated flexible electronic paper display(EPD) by using toner particles on plastic (PC) substrate. We observed the relationship between contrast ratio and changes of rib structures. One is a fabrication of ribs on bottom substrate. The display with ribs on bottom substrate had higher contrast ratio about 46% than display with ribs on top substrate. The other is a change of density of rib. The less density of ribs fabricated, the higher the contrast ratio become.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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