• 제목/요약/키워드: PC substrate

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Ag 페이스트를 소스와 드레인 전극으로 사용한 OTFT-OLED 어레이 제작 (The Fabrication of OTFT-OLED Array Using Ag-paste for Source and Drain Electrode)

  • 류기성;김영배;송정근
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권5호
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    • pp.12-18
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    • 2008
  • 본 연구는 PC(polycarbonate) 기판 위에 소스(source)/드레인(drain) 전극으로 Ag 페이스트를 스크린 인쇄하여 OTFT(organic thin film transistor)를 제작하였다. 또한 이렇게 제작된 OTFT를 적용하여 OTFT-OLED(organic light emitting diode) 어레이를 제작하였으며 OTFT의 소스 및 드레인 전극과 더불어 데이터 배선전극을 Ag 페이스트를 이용하여 형성하였다. Ag 페이스트는 스크린 마스크의 mesh에 따라 325 mesh용과 500 mesh용을 사용하였으며, 325 mesh용 페이스트는 선폭 60 ${\mu}m$, 500 mesh용 페이스트는 선폭 40 ${\mu}m$까지 인쇄가 가능하였다. 그리고 면저항은 각각 $60m{\Omega}/\square,\;133.1m{\Omega}/\square$이었다. 제작된 OTFT의 성능은 이동도가 자각 0.35 $cm^2/V{\cdot}sec$와 0.12 $cm^2/V{\cdot}sec$, 문턱전압 -4.7 V와 0.9 V이었으며, 전류 점멸비는 ${\sim}10^5$이었다. OTFT-OLED 어레이는 인쇄성이 우수한 500 mesh용 Ag 페이스트를 사용하였으며 OTFT의 채널길이를 50 ${\mu}m$로 설계하여 제작하였다. OTFT-OLED 어레이의 화소는 2개의 OTFT, 1개의 캐패시터 그리고 1개의 OLED로 구성하였고, 크기는 $2mm{\times}2mm$이며, 해상도는 $16{\times}16$ 이다. 제작된 어레이는 일부 불량 화소를 포함하고 있지만 능동형 모드로 동작함을 확인할 수 있었다.

HWE방법에 의한 CdSe 박막 성장과 광전기적 특성 (Growth of CdSe thin films using Hot Wall Epitaxy method and their photoelectrical characteristics)

  • 홍광준;이관교;이상열;유상하;신용진;서상석;정준우;정경아;신영진;정태수;김택성;문종대;김혜숙
    • 센서학회지
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    • 제6권4호
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    • pp.328-336
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    • 1997
  • HWE 방법에 의해 CdSe 박막을 (100)방향 Si 기판 위에 성장시켰다. 증발원과 기판의 온도를 각각 $600^{\circ}C$, $430^{\circ}C$로하여 성장시킨 CdSe 박막의 이중 결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)값이 380 arcsec로 가장 작았다. Van der Pauw 방법으로 Hall 효과를 측정하여 운반자농도의 In n 대 (1/T)에서 구한 활성화에너지는 0.19eV로 측정되었다. Hall 이동도의 온도 의존성은 30K에서 150K까지는 $T^{3/2}$에 따라 증가하여 불순물산란에 기인하고, 150K에서 293K까지는 $T^{-3/2}$에 따라 감소하여 격자산란에 기인한 것으로 고찰되었다. 광전도셀의 특성으로 spectral response, 최대 허용소비전력(MAPD), 광전류와 암전류(pc/dc)의 비 및 응답시간을 측정하였다. Cu 증기분위기에서 열처리한 광전도셀의 경우, 감도(${\gamma}$)는 0.99, pc/dc은 $1.39{\times}10^{7}$, 그리고 최대 허용소비전력(MAPD)은 335mW, 오름시간(rise time)은 10ms, 내림시간(decay time)은 9.5ms로 가장 좋은 광전도 특성을 얻었다.

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Gravure Offset 인쇄에 의한 미세 전극용 Ag Paste 개발 (Gravure Offset Printed on Fine Pattern by Developing Electrodes for the Ag Paste)

  • 이상윤;장아람;남수용
    • 한국인쇄학회지
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    • 제30권3호
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    • pp.45-56
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    • 2012
  • Printing technology is accepted by appropriate technology that smart phones, tablet PC, display(LCD, OLED, etc.) precision recently in the electronics industry, the market grows, this process in the ongoing efforts to improve competitiveness through the development of innovative technologies. So printed electronics appeared by new concept. This technology development is applied on electronic components and circuits for the simplification of the production process and reduce processing costs. Low-temperature process making possible for widening, slimmer, lighter, and more flexible, plastic substrates, such as(flexible) easily by forming a thin film on a substrate has been studied. In the past, the formation of the electrode used a screen printing method. But the screen printing method is formation of fine patterns, high-speed printing, mass production is difficult. The roll-to-roll printing method as an alternative to screen printing to produce electronic devices by printing techniques that were used traditionally in the latest technology and processing techniques applied to precision control are very economical to implement fine-line printing equipment has been evaluated as. In order to function as electronic devices, especially the dozens of existing micro-level of non-dot print fine line printing is required, the line should not break at all, because according to the specifications required to fit the ink transfer conditions should be established. In this study of roll-to-roll printing conductive paste suitable for gravure offset printing by developing Ag paste for forming fine patterns to study the basic physical properties with the aim of this study were to.

Ni 박막 위치에 따른 GZO 투명전도막의 전기광학적 물성 변화 (Influence of Ni Thin Film Position on the Opto-electrical Properties of GZO Films)

  • 문현주;전재현;공태경;서기웅;오정현;김선경;최동혁;손동일;김대일
    • 열처리공학회지
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    • 제28권3호
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    • pp.121-125
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    • 2015
  • GZO single layer, Ni buffered GZO(GZO/Ni), Ni intermediated GZO (GZO/Ni/GZO) and Ni capped GZO (Ni/GZO) films were prepared on poly-carbonate (PC) substrates by RF and DC magnetron sputtering without intentional substrate heating and then the influence of the Ni (2 nm thick) thin film on the optical, electrical and structural properties of GZO films were investigated. As deposited GZO single layer films show the optical transmittance of 81.3% in the visible wavelength region and a resistivity of $1.0{\times}10^{-2}{\Omega}cm$, while GZO/Ni/GZO trilayer films show a lower resistivity of $6.4{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ and an optical transmittance of 74.5% in this study. Based on the figure of merit, it can be concluded that the intermediated Ni thin film effectively enhances the opto-electrical performance of GZO films for use as transparent conducting oxides in flexible display applications.

Properties of the Microinterface formed by Phosphatidylcholine and 1-Butanol as Reaction Media of Hydrolysis of Phosphatidylcholine

  • Yamazaki, Keiju;Imai, Masanao;Suzuki, Isao
    • 한국막학회:학술대회논문집
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    • 한국막학회 2004년도 Proceedings of the second conference of aseanian membrane society
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    • pp.82-85
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    • 2004
  • Microinterface of W/Omicroemulsion prepared by phosphatidylcholine was used as reaction media of hydrolysis of phosphatidylcholine by phospholipaseA$_2$. Phosphatidylcholine was used as an amphiphile and was acted as a substrate. Organic phase of W/Omicroemulsion in this study was prepared by mixed organic solvents i.e. 2,2,4-trimethylpentane (isooctane) as a main solvent and 1-butanol as a co-solvent. The effect of added 1-butanol was remarkable not only on reaction beginning but also on high reaction rate. The hydrolysis reaction was dramatically initiated when 1-butanol was injected into the running isooctane/PC system. The enhancement by 1-butanol addition into single organic solvent was our original finding compare with previous conventional organic solvent. The reaction rate was elevated by the added amount of 1-butanol. The enhanced reaction rate was about 150-folds. This enhancement was speculated as 1-butanol adsorption on the microinterface. The adsorbed 1-butanol improved the properties of microinterface, especially its mobility was increased by difference of the chain length between phosphatidylcholine and 1-butanol. PhospholipaseA$_2$ molecules were located on the microinterface due to modified mobility of microinterface. Located phospholipaseA$_2$ on the microinterface reacted easily with phosphatidylcholine molecule. As a result high reaction rate was obtained. Microinterfacial properties were successfully improved by adsorbed 1-butanol molecule, and were favorable to appear higher reactivity of phospholipaseA$_2$.

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$Al_2Nq_4$를 발광층으로 이용한 OLED의 계면 및 발광 특성에 관한 연구 (A Study on the Interface and Luminescent Properties of OLED using $Al_2Nq_4$ as an Emitting Layer)

  • 양기성;이호식;신훈규;김두석;김정균;권영수
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2004년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.215-219
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    • 2004
  • Metal-chelate derivatives have been investigated intensively as an emitting layer and recognize to have excellent electroluminescence(EL) properties. We synthesized new luminescent material, 1,4-dihydoxy-5,8-naphtaquinone $Aiq_3$ complex($Al_2Nq_4$) and investigated the electrical optical properties. OLED has potential candidates for information display with merits of thickness, low power and high efficiency. Although the OLED show a lot of advantages for information display, it has the limit of inorganic(metal)/ organic interface. In this study, the two methods are used to study the interface of metal/organic in OLED. First, we treated $O_2$ plasma on an ITO thin film by using RIE system, and analyzed the ingredient of ITO thin film according to change of the processing conditions. We used the RDS and the XPS for the ingredient analysis of the surface and bulk. We measured electrical resistivity using Four-Point-Probe and calculated sheet resistance, and ITO surface roughness was measured by using AFM. We fabricated OLED using substrate that was treated optimum ITO surface. Second, we used the buffer layer of CuPc to improve the characteristics of the interface and the hole injection in OLED. The result of the study for electrical and optical properties by using I V L T System(Flat Panel Display Analysis System), we confirmed that the electrical properties and the luminance properties were improved.

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콜로이드실리카아크릴레이트를 함유한 자외선 경화형 코팅필름의 특성 (Properties of UV Curable Coating Film Containing Colloidal Silica Acrylate)

  • 이봉우;홍진후;방문수;오형식;김대준;김현중
    • 접착 및 계면
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    • 제4권1호
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    • pp.9-17
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    • 2003
  • 오늘날 산업에서는 환경오염의 줄이고 에너지 절약에 기여할 수 있다는 이유에서 용매를 사용하지 않는 UV 하드코팅재료의 개발이 점차로 많은 주의를 끌고 있다. 본 연구는 실질적으로 산업에 이용될 수 있는 실리콘아크릴레이트(SAOC)를 포함하고 있는 UV 경화코팅제를 개발하고자 수행되었다. 실험의 결과, 수지조성물 중 SAOC의 형태나 농도가 UV 경화필름의 여러 가지 물성에 영향을 주었다. SAOC가 수지조성물에 도입되었을 때 경화된 필름의 물성은 SAOC가 함유되지 않은 도막과 비교하여 개선되었다. 특히, UV 하드 코팅의 내화학성, 내마모성, 내후성과 같은 성질들은 향상되었으며, 코팅된 폴리카보네이트 기재의 충격특성은 코팅되지 않은 PC에 비해 개선되었다. 30 wt% SAOC를 함유하고 있는 경화필름이 가장 좋은 물성을 나타내었다.

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굴절률 분산을 반영한 고속 푸리에 변환 및 막두께 정밀결정 (Application of the modified fast fourier transformation weighted with refractive index dispersion far an accurate determination of film thickness)

  • 김상준;김상열
    • 한국광학회지
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    • 제14권3호
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    • pp.266-271
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    • 2003
  • $\mu\textrm{m}$ 이상의 두께를 가지는 비교적 두꺼운 박막의 경우 박막에 의한 간섭효과로 인하여 나타나는 반사율 스펙트럼에서의 진동주기로부터 막의 두께를 얻는다. 대개 빠른 데이터 처리를 위해서 고속 푸리에 변환(Fast Fourier Transformation, FFI)을 사용하여 진동주기(또는 진동수)를 구한다. 본 연구에서는 반사율 또는 투과율 스펙트럼을 빛의 에너지 축상에서 푸리에 변환하는 종래의 방법을 개선하여 박막의 굴절률 분산을 반영하는 수정된 고속 푸리에 변환 방법을 최초로 도입하였다. 이 새로운 방법은 굴절률 분산에서 유래하는 유효굴절률 결정에서의 오차를 줄여주고 푸리에 변환 피크의 폭 넓어짐을 막아줌으로써 막 두께 결정의 정밀도를 크게 향상시킨다. 수정된 고속 푸리에 변환방법을 80 $\mu\textrm{m}$의 덮게층과 13 $\mu\textrm{m}$의 사이층이 있는 시료의 반사 스펙트럼에 적용하여 고 타당성을 확인하였다.

전자빔 증착법에 의한 CdSe/GaAs epilayer의 성장과 그 전기-광학적 특성 (Growth and electro-optical characteristics of CdSe/GaAs epilayers prepared by electron beam epitaxy)

  • 양동익;신영진;이춘호;최용대;유평렬
    • 한국결정성장학회지
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    • 제7권1호
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    • pp.70-75
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    • 1997
  • Electron beam 증착법을 보완하여 GaAs(100)기판위에 cubic(zinc blende) CdSe 에피충을 성장시켜 그의 특성을 조사하였다 .. CdSe 에피충의 격자 상수는 6.077 A였으며, 배향 성은 ECP 패번에 의하여 확인되고 결정성은 DCXR curve로 관찰하였다. 상온에서 측정된 H Hall data로는 에피충의 운반자 농도와 이통도는 각각 1018cm-3, 102cm2N' see 정도임을 알았 고 30 K에서 측정한 PC spectra peak는 cubic CdSe의 free exciton에 기인된 것으로 1.746 e eV에서 예리하게 나타냐고 있음을 보여주고 있다.

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소형 모바일 기기용 공진형 무선전력전송 시스템의 공진기 평면화 및 소형화에 따른 특성 연구 (Characteristic Study of Small-sized and Planer Resonator for Mobile Device in Magnetic Wireless Power Transfer)

  • 이훈희;정창원
    • 전자공학회논문지
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    • 제54권4호
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    • pp.16-21
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    • 2017
  • 본 논문은 모바일 기기(노트북, 핸드폰, 태블릿 PC 등)를 위한 공진형 무선전력전송 시스템(Magnetic Resonance - Wireless Power Transfer; MR-WPT)의 실용성을 높이기 위한 평면형 소형 공진기 설계 방법을 제안하였다. 제안된 소형 평면형 공진기는 네 개의 루프와 공진기를 사용하는 공진형 무선전력 시스템에 적용 되며, 또한 무선전력 시스템은 송신기(Tx)와 수신기(Rx)가 동일한 루프와 공진기로 이루어졌다. 제안된 공진기는 나선형(Spiral) 코일의 형태로 소형 모바일 크기에 적합한 $50mm{\times}50mm$의 크기 이내로 설계 되었으며, 나선형 공진기의 선 두께와 선간 갭(gap) 그리고 선의 길이를 달리하는 4종류의 나선형 공진기를 선정하였다. 또한 작은 공진기 부피에서 높은 인덕턴스와 캐패시턴스를 얻기 위해 공진기 기판 (아크릴 ${\varepsilon}_r=2.56$, tan ${\delta}=0.008$)의 양면을 모두 활용하였다. 또한 루프는 공진기 부피를 최소화하기 위해 공진기와 동일 평면상에 설계 하였고, 이 또한 서로 다른 3가지의 크기를 사용하였다. 제안된 무선전력전송 시스템은 Tx와 Rx 두 개의 아크릴 기판에 제작되었으며, Tx와 Rx의 루프와 공진기는 구리시트로 만들어졌다. 제안된 12개의 조합 (공진기 4종 ${\times}$ 루프 3종)의 루프와 공진기에 대한 전력전송효율을 근 전송 거리 (1cm~5cm)상에서 시뮬레이션과 측정을 통해 산출하였다. 측정 결과 전력전송효율은 전송거리 1~5 cm에 따라 ${\fallingdotseq}40%$ 그리고 최대 ${\fallingdotseq}70%$ 이며, 이때 공진주파수는 A4WP 표준 무선전력전송 주파수인${\fallingdotseq}6.78MHz$를 유지한다. 제안된 부피에서 최소화된 평면형의 소형 공진기를 이용한 소형 모바일 기기의 공진형 무선전력 어플리케이션에 대한 가능성을 실험적으로 확인하였다.