Kim, Jun-Lae;Kim, Kyung-Soon;Park, Jae-Woo;Lee, Yeon-Weol;Cho, Chong-Kwan;Yoo, Hwa-Seung
The Journal of Korean Medicine
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v.31
no.3
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pp.34-46
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2010
Objective: This experimental study was performed to examine if Hang-Am-Dan non-boiled water extracts (HAD-N) induce apoptosis in human lung carcinoma NCI-H460 cells in vitro and inhibits the growth of NCI-H460 cell-transplanted solid tumor in vivo. Materials and Methods: We cultured NCI-H460 cell lines and xenografted them to nude mice. The mice were divided into 3 groups, NCI-H460 cell alone, NCI-H460 + 90 mg/kg HAD-N treated group, and NCI-H460 + 180 mg/kg HAD-N treated group, with seven mice per group. HAD-N was orally administrated every day for four weeks. We checked their body weight and tumor weight and volumes two times a week and their absolute organ weight and biochemical blood analysis at the final day by sacrificing them. We also calculated their tumor inhibition rate (IR), mean survival time and percent increase in life span (% ILS). Results: In this study, we observed that all of the HAD-N treated mice got smaller tumors. The more doses of HAD-N used, the less IR showed at the 8th day after starting this experiment. Tumor weight and volume of HAD-N treatment groups also decreased. Mean survival time and percent increase in life span (% ILS) in the high-dose HAD-N treatment groups were higher than those of other groups. The test substances in the blood level UN results showed reduction in the significance in both HAD-N 90 mg/kg and HAD-N 180 mg/kg (p<0.01). The blood level phosphatase results in HAD-N 90 mg/kg group compared to NCI-H460 cell alone group showed a reduction in significance (p<0.05). AST levels HAD-N 180 mg/kg group compared to NCI-H460 cell alone group significance as well (p<0.05). Conclusion: We suggest that the results of the in vivo study showed that HAD-N may have potential as a growth inhibitor of tumor-induced NCI-H460 of nude mice in spite of the shortcomings of this study. More studies to overcome those shortcomings and to find out significant antitumor mechanism will be needed.
$N^1$-(2, 5-dimethoxyphenyl)-$N^8$-hydroxyoctanediamide (N25) is a novel SAHA cap derivative of HDACi, with a patent (No. CN 103159646). This invention is a hydroxamic acid compound with a structural formula of $RNHCO(CH_2)6CONHOH$ (wherein R=2, 5dimethoxyaniline), a pharmaceutically acceptable salt which is soluble. In the present study, we investigated the effects of N25 with regard to drug distribution and molecular docking, and anti-proliferation, apoptosis, cell cycling, and $LD_{50}$. First, we designed a molecular approach for modeling selected SAHA derivatives based on available structural information regarding human HDAC8 in complex with SAHA (PDB code 1T69). N25 was found to be stabilized by direct interaction with the HDAC8. Anti-proliferative activity was observed in human glioma U251, U87, T98G cells and human lung cancer H460, A549, H1299 cells at moderate concentrations ($0.5-30{\mu}M$). Compared with SAHA, N25 displayed an increased antitumor activity in U251 and H460 cells. We further analyzed cell death mechanisms activated by N25 in U251 and H460 cells. N25 significantly increased acetylation of Histone 3 and inhibited HDAC4. On RT-PCR analysis, N25 increased the mRNA levels of p21, however, decreased the levels of p53. These resulted in promotion of apoptosis, inducing G0/G1 arrest in U251 cells and G2/M arrest in H460 cells in a time-dependent and dose-dependent manner. In addition, N25 was able to distribute to brain tissue through the blood-brain barrier of mice ($LD_{50}$: 240.840mg/kg). In conclusion, our findings demonstrate that N25 will provide an invaluable tool to investigate the molecular mechanism with potential chemotherapeutic value in several malignancies, especially human glioma.
Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2006.05a
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pp.127-130
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2006
사파이어 기판위에 MOCVD (metal organic chemical vapor deposition)를 이용하여 8주기의 InGaN/GaN 다중양자우물(multiple quantum well : MQW)구조가 성장되어졌고 이 구조 위에 p-GaN층이 형성됐다. 다시 p-GaN 위에 200nm의 두께를 갖는 PMMU 박막을 도포하고 electron beam lithography system을 이용하여 직경이 150nm가 되도록 나노단위의 삼각격자 구조를 가진 구멍을 패턴하고 inductively coupled plasma(ICP)를 이용하여 식각을 하여 광결정을 제작하였다. 광결정은 두께가 26nm이고 격자간격은 460nm로서 파장이 450nm인 파란빛을 나노회절 시켜서 photoluminescence(PL)의 세기를 강화시킨다.
This study aims at finding out pertinent reaction conditions for treating high concentration ammonia contained in N-chemical factory wastewater with decompressed ammonia stripping method that was designed. And it also tries to investigate adsorption capability of removed ammonia to soil. The results from experiments are as follows ; 1. The removal rate of N $H_3$-N of synthetic wastewater was under 85% at pH 10 with decompressed ammonia stripping method. The reaction time in pressure 360 mmHg at pH 11 and 12 was shorter than in 460 mmHg, and the removal rate of N $H_3$-N with decompressed ammonia stripping method at 9$0^{\circ}C$ was 11~15% higher than air stripping 2. The optimum conditions for decompressed ammonia stripping with synthetic sample were shown as pH 12, temperature 9$0^{\circ}C$, internal reaction pressure 460 mmHg and reaction time 50 minutes. These conditions were applied to treat the wastewater containing organic-N 290.5mg/$\ell$, N $H_3$-N 168.9mg/$\ell$, N $O_2$-N 23.2mg/$\ell$, N $O_3$-N 252.4mg/$\ell$, T-N 735mg/$\ell$. Organic-N turned out to be removed 60%, the removal rate of N $H_3$-N IS 94%, T-N is 50%. But N $O_2$-N and N $O_3$-N were increased with 7.8% and 14.9% respectively. 3. The CO $D_{Sr}$ removal rate in decompressed ammonia stripping reaction was 42% and S $O_4$$^{2-}$ was removed 8.2%. It was turned out caused with higher pH and thermolysis. 4. In soil adsorption of ammonia desorbed from the decompressed stripping process of wastewater, the recovery rate was 76% in wet soil.
Nitrocarburizing was carried out with various $CH_4$ gas composition with 4 torr gas pressure at $570^{\circ}C$ for 3 hours and post oxidation was carried out with 100% $O_2$ gas atmosphere with 4 torr at different temperatures for various time. In the case of plasma nitrocarburizing, It is that the ratio of ${\varepsilon}-Fe_{2-3}$(N, C) and ${\gamma}^{\prime}-Fe_4$(C, N), which comprise the compound layer phase, depend on concentrations of $N_2$ gas and $CH_4$ such that when the concentration of $N_2$ and $CH_4$ increased, the ratio of ${\gamma}^{\prime}-Fe_4$(C, N) decreased, but the ratio of ${\varepsilon}-Fe_{2-3}$(N, C) increased. The thickness of compound layer consistently increased as gas concentration increased regardless of $N_2$ and $CH_4$ expect when the concentration of $CH_4$ was 3.5 volume%, it decreased insignificantly. When oxidizing for 15min in the temperature range of $460{\sim}570{^\circ}C$, the study found small amount of $Fe_3O_4$ at the temperature of $460{^\circ}C$ and also found that amounts of $Fe_2O_3$. and $Fe_3O_4$ on the surface and amount of ${\gamma}^{\prime}-Fe_4$(C, N) in the compound layer increased as the increased over $460^{\circ}C$, but the thickness of the compound layer decreased. Corrosion resistance was influenced by oxidation times and temperature.
단 채널 MOSFET 소자의 드레인 전압-드레인 전류 특성을 예측하기 위해서 caughey-thomas 이동도 모델을 수치적으로 구현하는 방법을 제안한다. 구현된 caughey-thomas 모델의 정확한 특성을 검증하기 위해서 0.5[.mu.m]의 설계규칙을 가즌 ASIC용 공정으로 n-MOSFET과 p-MOSFET을 제작하였다. 전자 및 정공의 포화속도 값이 각각 6.2*10/sup 6/[cm/sec] 과 1.034*10/sup 7/[cm/sec]인 경우에 채널길이가 0.5[.mu.m] 이상인 n-MOSFET과 p-MOSFET의 드레인 전압-드레인 전류특성의 모의실험 결과는 측정값에 비하여 10% 이내의 상대오차를 보였다.
If a0 + Σnν=μ aνzν, 1 ≤ µ ≤ n, is a polynomial of degree n having no zeroin |z| < k, k ≥ 1 and p'(z) its derivative, then Qazi [19] proved $$\max_{{\left|z\right|=1}}\left|p\prime(z)\right|\leq{n}\frac{1+\frac{{\mu}}{n}\left|\frac{a_{\mu}}{a_0} \right|k^{{\mu}+1}}{1+k^{{\mu}+1}+\frac{{\mu}}{n}\left|\frac{a_{\mu}}{a_0} \right|(k^{{\mu}+1}+k^{2{\mu}})}\max_{{\left|z\right|=1}}\left|p(z)\right|$$ In this paper, we not only obtain the Lr version of the polar derivative of the above inequality for r > 0, but also obtain an improved Lr extension in polar derivative.
The solar cells of $ITO_{(n)}/Si_{(p)}$, which are ITO thin films deposited and heated on Si wafer 190[$^{\circ}C$], were fabricated by two source vaccum deposition method, and their electrical properties were investigated. Its maximum output is obtained when the com- position of the thin film consist of indium oxide 91[mole %] and thin oxide 9[mole %]. The cell characteristics can be improved by annealing but are deteriorated at temperature above 600[$^{\circ}C$] for longer than 15[min]. Also, we investigated the spectral response with short circuit current of the cells and found that the increasing of the annealing caused the peak shifted to the long wavelength region. And by experiment of the X-ray diffraction, it is shown to grow the grains of the thin film with increasment of annealing temperature. The test results from the $ITO_{(n)}/Si_{(p)}$ solar cell are as follows. short circuit current : Isc= 31 $[mW/cm^2]$ open circuit voltage : Voc= 460[mV] fill factor : FF=0.71 conversion efficiency : ${\eta}$=11[%]. under the solar energy illumination of $100[mW/cm^2]$.
The yearly average water qualities of the Whang river, which flows into the Hapcheon lake, were COD $3.1{\sim}4.2\;mg/L$, T-N $2.460{\sim}3.550\;mg/L$ and T-P $0.111{\sim}0.201\;mg/L$ during $1996{\sim}2001$. The yearly average COD concentration of Hapcheon lake was increased from 1.9 mg/L (in 1996) to 2.7 mg/L (in 2000). However, T-N and T-P concentration of Hapcheon lake did not show increasing trend over the 6 year period During $1996{\sim}2001$, the yearly average concentrations of T-N, T-P were $1.383{\sim}1.792\;mg/L$, $0.018{\sim}0.023\;mg/L$ respectively. The correlation coefficients between chlorophyll ${\alpha}$ and T-N, T-P, rainfall intensity, water temperature were 0.382, 0.372, 0.589, and 0.526, respectively. Therefore, the rainfall and water temperature appeared to play an important role far the variations of chlolophyll ${\alpha}$ concentration in the Hapcheon lake. Trophic state of the Hapcheon lake were evaluated to be in the range of mesotrophic to eutrophic.
We investigate the crystallographic orientation and strain states of the Ni/Ag ohmic contacts on p-type GaN. The Ag film in the Ni/Ag contact was severely agglomerated during high temperature annealing in air ambient. As a results, after annealing for 24 h, the Ni/Ag contact shows non-linear I-V curve and low light reflectance of ~21% at 460 nm wavelength. High-resolution X-ray diffraction results show that the interplanar spacing of Ag (111) planes is almost same to that of bilk Ag after annealing for 24 hrs, indicating that the in-plane tensile strain in the Ag film was fully relaxed due to the Ag agglomeration.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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