Two new nickel vanadium borophosphate cluster compounds, $(NH_4)_{10}[Ni(H_2O)_5]_4[V_2P_2BO_{12}]_6{\cdot}nH_2O$ (1) and $(NH_4)_{3.5}(C_3H_{12}N_2)_{3.5}[Ni(H_2O)_6]_{1.25}{[Ni(H_2O)_5]_2[V_2P_2BO_{12}]_6{\cdot}nH_2O$ (2) have been synthesized and structurally characterized. Inter-diffusion methods were employed to prepare the compounds. The cluster anion $[(NH_4)\;{\supset}\;V_2P_2BO_{12}]_6$ is used as a building unit in the synthesis of new compounds containing $Ni(H_2O){^{2+}_5}$ in the presence of pyrazine and 1,3-diaminopropane. Compounds contain isolated cluster anions with general composition ${[Ni(H_2O)_5]_n[(NH_4)\;{\supset}\;V_2P_2BO_{12}]_6}^{-(17-2n)}$ (n = 2, 4). Crystal data: $(NH_4)_{10}[Ni(H_2O)_5]_4[V_2P_2BO_{12}]_6{\cdot}nH_2O$, monoclinic, space group C2/m (no. 12), a = 27.538(2) ${\AA}$, b = 20.366(2) ${\AA}$, c = 11.9614(9) ${\AA}$, ${\beta}$ = 112.131(1)$^{\circ}$, Z = 8; $(NH_4)_{3.5}(C_3H_{12}N_2)_b[Ni(H_2O)_6]_{3.5}{[Ni(H_2O)_5]_2[V_2P_2BO_{12}]_6{\cdot}nH_2O$, triclinic, space group P-1 (no. 2), a = 17.7668(9) ${\AA}$, b = 17.881(1) ${\AA}$, c = 20.668(1) ${\AA}$, ${\alpha}$ = 86.729(1)$^{\circ}$, ${\beta}$ \ 65.77(1)$^{\circ}$, ${\gamma}$ = 80.388(1)$^{\circ}$, Z = 2.
It has been found that both of the iridium (Ⅰ) complexes, Ir$(ClO_4$)(AN)(CO)$(Ph_3P)_2$(AN = $CH_2$CHCN, $Ph_3P = (C_6H_5)_3$P) and [Ir(AN)(CO)$(Ph_3P)_2]ClO_4$, react with $Cl^-$ to give IrCl(AN)(CO)$(Ph_3P)_2$, and [Ir(AN)(CO)$(Ph_3P)_2]ClO_4$ dissociates AN to yield Ir$(ClO_4)(CO)(Ph_3P)_2$ in the absence of excess AN added, and Ir$(ClO_4)(CO)(Ph_3P)_2$ reacts with $Cl^-$ to produce IrCl(CO)$(Ph_3P)_2$. It is suggested that the catalytic polymerization of AN with Ir$(ClO_4)(AN)(CO)(Ph_3P)_2$ proceeds through the formation of [(CO)(Ph_3P)_2$Ir(-CH=CHCN)(H)($CH_2$=CHCN)]Cl$O_4$ followed by the formation of iridium(alkyl)(alkenyl) type complex which undergoes a reductive elimination to produce the polymer of acrylonitrile.
The pH efforts on the removal of 1,4-dioxane and the biodegradobility enhancement of dioxane contaminated water were investigated using $O_3/H_2O_2$ baled advanced oxidation process. Experiments were conducted using a bubble column reactor under different initial pH. The $O_3/H_2O_2$ process effectively converted 1,4-dioxane to more biodegradable intermediates which had a maximum $BOD_5$ enhancement at pH 11 within the experimental range, precisely, when the initial pH increased, $BOD_5$ enhanced. However, in case of removal efficiencies of 1,4-dioxane during $O_3/H_2O_2$ oxidation the optimum condition was shown at pH 9 compared with pH 6 and 11. TOC and COD values were not largely changed for all reaction time. From the results of 1,4-dioxane removal efficiency, TOC, COD, and $BOD_5$ enhancement with reaction time, it was surely observed that 1,4-dioxane was just converted to biodegradable materials, not completely oxidized to carbon dioxide.
The aminolysis of diphenyl thiophosphinic chloride (2) with substituted anilines in acetonitrile at 55.0 oC is investigated kinetically. Kinetic results yield large Hammett ρX (ρnuc = ?3.97) and Bronsted βX (βnuc = 1.40) values. A concerted mechanism involving a partial frontside nucleophilic attack through a hydrogen-bonded, four-center type transition state is proposed on the basis of the primary normal kinetic isotope effects (kH/kD = 1.0-1.1) with deuterated aniline (XC6H4ND2) nucleophiles. The natural bond order charges on P and the degrees of distortion of 42 compounds: chlorophosphates [(R1O)(R2O)P(=O)Cl], chlorothiophosphates [(R1O)(R2O)P(=S)Cl], phosphonochloridates [(R1O)R2P(=O)Cl], phosphonochlorothioates [(R1O)R2P(=S)Cl], chlorophosphinates [R1R2P(=O)Cl], and chlorothiophosphinates [R1R2P(=S)Cl] are calculated at the B3LYP/ 6-311+G(d,p) level in the gas phase.
Tin oxides have been studied for various applications such as gas detecting materials, transparent electrodes, transparent devices, and solar cells. p-type SnO is a promising transparent oxide semiconductor because of its high optical transparency and excellent electrical properties. In this study, we fabricated p-type SnO thin film using rf magnetron sputtering with an SnO/Sn composite target; we examined the effects of various oxygen flow rates on the SnO thin films. We fundamentally investigated the structural, optical, and electrical properties of the p-type SnO thin films utilizing X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), UV/Vis spectrometry, and Hall Effect measurement. A p-type SnO thin film of $P_{O2}=3%$ was obtained with > 80% transmittance, carrier concentration of $1.12{\times}10^{18}cm^{-3}$, and mobility of $1.18cm^2V^{-1}s^{-1}$. With increasing of the oxygen partial pressure, electrical conductivity transition from p-type to n-type was observed in the SnO crystal structure.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.14
no.6
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pp.277-280
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2004
p-ZnO films have been grown on (0001) sapphire substrates by RF-DC magnetron co-sputtering. The p-ZnO single crystalline thin films of the thickness about 120 nm were grown successfully. The dopant (Aluminum) was sputtered simultaneously from Al metal target by DC sputtering during rf-magnetron sputtering of ZnO at the substrate temperatures of $400^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$ respectively. The crystallinity and optical properties of as-grown P-ZnO films have been characterized.
$P_2O_5-SnO_2$ system $0.5SnO_2-xP_2O_5-(0.5-x)B_2O_3$(x=0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5) glasses have been prepared for Pb-free low temperature glass frit. A investigation about the effect of $B_2O_3$ substitution on properties of $P_2O_5$ glasses, including glass structure properties, thermal properties, and mechanical properties was presented. Substance that is responsible for in moisture absorption existing circumstances supposes by phosphate, and excess moisture tolerance that state funeral's structure is improved breaking does not affect in state funeral bond that only most single bond remains, and can know that does not suffer big impact in boric oxide anomaly present state. This phenomenon estimates that connect with structure change. It is thought according to link this result the phosphoric acid happened structural change. $B_2O_3$ displacement quantity 0.3 mole put out $BO_4$ structures, but above 0.3 mole it changed with the case $BO_3$ structure which it displaces.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.310-310
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2014
ZnO박막은 넓은 밴드갭 (3.37 eV), 높은 여기 결합 에너지 (60 meV)를 가지는 육방정계 우르자이트(hexagonal wurtzite) 결정구조를 가지는 II-VI족 화합물 반도체로, 가시광선 영역에서의 높은 광학적 투과도 특성과 자외선 파장에서 발광이 가능한 장점을 가진다. 최근, ZnO박막 성장 기술이 상당히 발전하였지만, 아직까지도 p-형 ZnO박막 성장 기술은 충분히 발전하지 못하여 ZnO의 동종접합 LED는 아직 상용화되지 않고 있는 실정이다. 따라서, 많은 연구 그룹에서 p-GaN, p-SiC, p-diamond, p-Si 등과 같은 p-type 물질 위에 n-type ZnO를 성장시킨 이종접합 다이오드가 연구되고 있다. 특히, p-GaN의 경우 ZnO와의 격자 불일치 정도가 1.8 % 정도로 작다는 장점이 있어 많은 연구가 이루어 지고 있다. 일반적으로 c-축을 기반으로 한 극성ZnO 발광다이오드에서는 자발 분극과 압전 분극 현상에 의해 밴드 휨 현상이 발생하고, 이로 인해 전자와 정공의 공간적 분리가 발생하게 되어 발광 재결합 효율이 제한되고 있다는 문제가 발생한다. 따라서, 본 연구에서는 극성 (0001) 및 비극성 (10-10) n-ZnO/p-GaN 발광다이오드의 성장 및 발광 소자의 전기 및 광학적 특성에 대한 비교 연구를 진행하였다. 금속유기 화학증착법을 이용하여 c-면과 m-면 위에 각각 극성 (0001) 및 반극성 (11-22) GaN박막을 $2.0{\mu}m$ 성장시킨 후 Mg 도핑을 한 p-GaN을 $0.4{\mu}m$ 성장시켜 각각 극성 (0001) 및 반극성 (11-22) p-GaN템플릿을 준비하였다. 이후, N2분위기 $700^{\circ}C$에서 3분동안 열처리를 통하여 Mg 도펀트를 활성화시킨 후 원자층 증착법을 이용하여 동시에 극성 및 반극성 p-GaN의 위에 n-ZnO를 $0.11{\mu}m$ 성장시켜 이종접합구조의 발광소자를 형성하였다. 이때, 극성 (0001) p-GaN 위에는 극성의 n-ZnO 박막이 성장되는 반면, 반극성 (11-22) p-GaN 위에는 비극성 (10-10) n-ZnO 박막이 성장됨을 HR-XRD로 확인하였다. 극성 (0001) n-ZnO/p-GaN이종접합 발광다이오드의 전계 발광 스펙트럼에서는 430 nm 와 550 nm의 두 피크가 동시에 관찰되었다. 430 nm 대역의 파장은 p-GaN의 깊은 준위에서 발광하는 것으로 판단되며, 550 nm 피크 영역은 ZnO의 깊은 준위에서 발광되는 것으로 판단된다. 특히, 10 mA 이하의 저전류 주입시 550 nm의 피크는 430 nm 영역보다 더 큰 발광세기를 나타내고 있다. 하지만, 10 mA 이상의 전류주입 하에서는 550 nm의 영역보다 430 nm의 발광세기가 더욱 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 이것은 ZnO의 밴드갭이 3.37 eV로 GaN의 밴드갭인 3.4 eV다 작기 때문에 우선적으로 ZnO의 깊은 준위에서 발광하는 550 nm가 더욱 우세하지만, 지속적으로 전류주입 증가에 따른 캐리어 증가시 n-ZnO에서 p-GaN로 전자가 넘어가며 p-GaN의 깊은 준위인 430 nm에서의 피크가 우세해지는 것으로 판단된다. 반면에, 비극성 (10-10) n-ZnO/반극성 (11-22) p-GaN 구조의 이종접합 발광다이오드로 전계 발광 스펙트럼에서는 극성 (0001) n-ZnO/p-GaN에 비하여 매우 낮은 전계 발광 세기를 나타내고 있다. 이는, 극성 n-ZnO/p-GaN에 비하여 비극성 n-ZnO/반극성 p-GaN의 결정성이 상대적으로 낮기 때문으로 판단된다. 또한, 20 mA 영역에서도 510 nm의 깊은 준위와 430 nm의 발광이 관찰되었다. 동일한 20 mA하에서 두 피크의 발광세기를 비교하면 430 nm의 영역은 극성 n-ZnO/p-GaN에 비하여 매우 낮은 값을 나타내고 있다. 이는 반극성 (11-22) p-GaN의 경우 극성 (0001) p-GaN에 비하여 우수한 p-형 특성에 기인한 것으로 판단된다.
Li2O-B2O3-P2O5 glasses with high lithium content were analysed by electrical characterization. The electrical conductivity increase with Li content and exhibits a maximum value of 1.2$\times$10-4S/cm near B2O3/P2O5=1 at 15$0^{\circ}C$. Glass transitiion temperature increased with conductivity. Concentration of charge carrier and distribution of relaxation time were independent of temperature. In this system the variation of conductivity with the composition was depend on mobility of lithium ion. Basically, it is attribute to primitive activation energy. Enhancement of conductivities was related to be formation of (B-O-P)-, di-, and metaborate group, which give additional available sites for Li+ diffusion.
Surface renewable nano-$RuO_2$/poly(methyl methacrylate) polymeric composite pH electrodes were prepared. The composite electrode with 53 wt% of nano-$RuO_2$ showed similar good response characteristics to nano-$IrO_2$ composite electrode reported earlier. It showed response slope of -58.7 mV/pH, response time of <1 s, surface renewability of $-57.0{\pm}0.3mV/pH$ (n=5) and long time stability for a month as well as low interferences but high interferences by electrochemically active species like $I^-$ and $Fe(CN){_6}^{3-}$. However, the response slope and time became worse at higher pH than 9 compared to those of nano-$IrO_2$ composite electrodes possibly due to the difference of physical properties resulting from higher content of nano-$RuO_2$ in polymeric composite matrix.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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