• 한국태양에너지학회 논문집
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• 제34권1호
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• pp.98-104
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• 2014

Photovoltaic (PV) cell is considered as one of the finest ways to utilize the solar power. A study of improving solar cell's efficiency is important because the lifetime of solar cell is determined by photovoltaic module technology. Therefore, oxidation (and/or corrosion) of solder materials will be one of the primary yield and long-term reliability risk factor. Recently, the development of lead-free solder alloy has been done actively about lead-free solder alloys of the thermodynamic and mechanical properties. However, the oxidation behavior have rarely been investigated In this study, the oxidations of 60 wt% Sn-40 wt% Pb, 62 wt% Sn-36 wt% Pb -2 wt% Ag, 50wt% Sn-48 wt% Bi-2 wt% Ag alloys for the interconnect ribbon after exposure in atmosphere at $100^{\circ}C$ for several times were investigated. The wettability of 62 wt% Sn-36 wt% Pb-2 wt% Ag and 50 wt% Sn-48 wt% Bi-2 wt% Ag solders was also studied to compare with that of 60 wt% Sn-40 wt% Pb alloy. The results howed that the zero cross time and the wetting time of 50 wt% Sn-48 wt% Bi-2 wt% Ag solder were better than other two samples. The surface of tested samples was analyzed by XPS. The XPS result showed that in all samples, SnO grew first and then the mixture of SnO and $SnO_2$ was detected. $SnO_2$ grew predominantly for the long time aging. Moreover XPS depth profile analysis has found surface enrichment of tin oxide.

• 생명과학회지
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• 제20권3호
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• pp.326-335
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• 2010

Phellinus pini (CY001) 추출물에서의 페놀류성분의 농도는 P. pini (CY001)분획 g 당 GAEs mg으로 나타내었고, P. pini의 EtOAc 분획 (436.5 mg GAEs/g)이 다른 분획에 비해 가장 높은 함량을 나타내었다. 환원력과 같은 항산화 활성을 screening 하기 위해 몇 가지 생화학적 시험이 수행되었고, 그것은 2, 2-diphenyl-1-picrylhydrazyl(DPPH) 라디칼 소거작용, NBT/XO superoxide system, DCF/AAPH peroxyl radicals 저해능 등이다. 여섯 개의 버섯추출물 분획 중에서 EtOAc 분획이 DPPH, superoxide 라디칼, peroxyl 라디칼 소거작용이 뛰어났고, $IC_{50}$ values는 각각 $11.49\;{\mu}g/ml$, $8.32\;{\mu}g/ml$, and $1.91\;{\mu}g/ml$이었다. P. pini (CY001)의 EtOAc 분획은 중요한 효소적 지질과산화 저해와 cytotoxicity 없이 RAW 264.7 macrophages의 LPS 유도 NO 생성을 효과적으로 감소시켰다. 또한 EtOAc 분획이 HepG2 cell의 타크린 유도 cytotoxicity에서 간 보호 작용을 나타내었다. 이러한 결과를 바탕으로 P. pini (CY001)가 라디칼 소거작용을 하는 성분을 함유한 천연 항산화제로써의 잠재력을 갖고 있는 것으로 사료된다.

• 한국식품저장유통학회지
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• 제14권5호
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• pp.538-544
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• 2007

발아콩의 기능성을 평가하기 위하여 검정콩으로 발아시킨 대두황권을 고초균과 혼합 젖산균으로 각각 발효시킨 추출물에 대한 ABTS와 DPPH 라디칼 소거능 및 환원력의 항산화능, 일산화질소(NO) 생성 및 인체암 세포주(HeLa, HepG2, HT-29, MCF-7)의 항암활성에 대하여 조사하였다. 항산화능은 추출물에 대한 농도 의존적으로 증가하였고, 흑대두는 황색대두에 비하여 높았으며, 발효콩 대두황권보다는 비발효 시료가 약간 높게 나타났다. 일산화질소 생성은 시료 추출물의 1 mg/mL 농도에서 황색대두 $0.374{\mu}M$과 흑대두 $0.386\;{\mu}M$보다는 발효콩 흑대두 대두황권의 BSBS 실험군과 BSLB 실험군은 각각 $0.367\;{\mu}M$과 $0.358\;{\mu}M$로서 약간 낮은 NO 생성을 나타내었다. 또한 인체암 세포주에 대한 항암활성은 비발효콩이나 고초균 시료보다 혼합 젖산균 발효콩 대두황권의 추출물이 가장 높게 나타났는데, 그 효과는 자궁경부암 > 대장암 > 간암 > 유방암 세포주 순이었다.

• 한국식품영양과학회지
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• 제43권12호
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• pp.1808-1816
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• 2014

본 연구는 삼채의 뿌리와 잎을 물과 주정을 이용하여 추출하여 항산화 활성 및 항염증 효과를 비교 평가하였다. 삼채의 추출물에 포함된 총 폴리페놀 함량과 전자스핀공명기기를 이용한 DPPH, alkyl, hydroxyl 라디칼 소거능, ABTS를 이용한 라디칼 소거 활성 및 FRAP 및 ORAC을 이용한 항산화 활성을 평가하였는데, 삼채뿌리 추출물보다는 삼채잎 추출물의 항산화 활성이 높았으며 이는 잎에 포함된 총 폴리페놀 함량과 관련이 있을 것으로 판단된다. 물 추출의 경우가 뿌리와 잎 모두 수율이 높았으며 폴리페놀 함량과 ORAC value와 alkyl 라디칼 소거 활성은 비슷한 경향을 나타내었으나 DPPH와 hydroxyl 라디칼 소거 활성과는 다른 결과를 나타내었다. 또한 간세포를 이용한 세포 독성 평가 실험 수행 결과, 0.25 mg/mL의 농도까지는 삼채의 뿌리와 잎의 물 추출물 및 주정 추출물 모두 독성을 나타내지 않았다. RAW264.7 세포를 이용하여 독성을 나타내지 않는 농도인 0.2 mg/mL 이하에서 항염증 활성 평가를 수행한 결과 삼채뿌리 및 삼채잎의 물과 주정 추출물은 모두 NO의 생성을 농도 의존적으로 감소시키는 경향을 나타내었다. 뿐만 아니라 삼채 추출물은 염증성 사이토카인인 IL-6와 TNF-${\alpha}$의 생성을 감소시켰으며, 특히 삼채뿌리 물 추출물은 가장 높은 IL-6와 TNF-${\alpha}$의 생성 억제를 나타내었다. 또한 삼채 추출물이 LPS로 유도한 세포내 활성산소종을 농도 의존적으로 억제하는 것을 확인하였으며, 위의 결과로 삼채잎 추출물은 항산화 활성이 우수하고 삼채뿌리 추출물은 항염증 활성이 높음을 확인하였다. 따라서 삼채 추출물이 우수한 항산화 및 항염증 활성을 가지고 있는 것으로 판단되며, 이와 관련된 항산화 및 항염증 생리활성 물질에 관한 추가적인 연구가 필요할 것으로 사료된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.236-236
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• 2008

(Bi,La)$Ti_3O_{12}$(BLT) thin film is one of the most attractive materials for ferroelectric random access memory (FRAM) applications due to its some excellent properties such as high fatigue endurance, low processing temperature, and large remanent polarization [1-2]. The authors firstly investigated and reported the damascene process of chemical mechanical polishing (CMP) for BLT thin film capacitor on behalf of plasma etching process for fabrication of FRAM [3]. CMP process could prepare the BLT capacitors with the superior process efficiency to the plasma etching process without the well-known problems such as plasma damages and sloped sidewall, which was enough to apply to the fabrication of FRAM [2]. BLT-CMP characteristics showed the typical oxide-CMP characteristics which were related in both pressure and velocity according to Preston's equation and Hernandez's power law [2-4]. Good surface roughness was also obtained for the densification of multilevel memory structure by CMP process [3]. The well prepared BLT capacitors fabricated by CMP process should have the sufficient ferroelectric properties for FRAM; therefore, in this study the electrical properties of the BLT capacitor fabricated by CMP process were analyzed with the process parameters. Especially, the effects of CMP pressure, which had mainly affected the removal rate of BLT thin films [2], on the electrical properties were investigated. In order to check the influences of the pressure in eMP process on the ferroelectric properties of BLT thin films, the electrical test of the BLT capacitors was performed. The polarization-voltage (P-V) characteristics show a decreased the remanent polarization (Pr) value when CMP process was performed with the high pressure. The shape of the hysteresis loop is close to typical loop of BLT thin films in case of the specimen after CMP process with the pressures of 4.9 kPa; however, the shape of the hysteresis loop is not saturated due to high leakage current caused by structural and/or chemical damages in case of the specimen after CMP process with the pressures of 29.4 kPa. The leakage current density obtained with positive bias is one order lower than that with negative bias in case of 29.4 kPa, which was one or two order higher than in case of 4.9 kPa. The high pressure condition was not suitable for the damascene process of BLT thin films due to the defects in electrical properties although the better efficiency of process. by higher removal rate of BLT thin films was obtained with the high pressure of 29.4 kPa in the previous study [2].

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.169-169
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• 2008

To keep pace with scaling trends of CMOS technologies, high-k metal oxides are to be introduced. Due to their high permittivity, high-k materials can achieve the required capacitance with stacks of higher physical thickness to reduce the leakage current through the scaled gate oxide, which make it become much more promising materials to instead of $SiO_2$. As further studying on high-k, an understanding of the relation between the etch characteristics of high-k dielectric materials and plasma properties is required for the low damaged removal process to match standard processing procedure. There are some reports on the dry etching of different high-k materials in ICP and ECR plasma with various plasma parameters, such as different gas combinations ($Cl_2$, $Cl_2/BCl_3$, $Cl_2$/Ar, $SF_6$/Ar, and $CH_4/H_2$/Ar etc). Understanding of the complex behavior of particles at surfaces requires detailed knowledge of both macroscopic and microscopic processes that take place; also certain processes depend critically on temperature and gas pressure. The choice of $BCl_3$ as the chemically active gas results from the fact that it is widely used for the etching o the materials covered by the native oxides due to the effective extraction of oxygen in the form of $BCl_xO_y$ compounds. In this study, the surface reactions and the etch rate of $Al_2O_3$ films in $BCl_3/Cl_2$/Ar plasma were investigated in an inductively coupled plasma(ICP) reactor in terms of the gas mixing ratio, RF power, DC bias and chamber pressure. The variations of relative volume densities for the particles were measured with optical emission spectroscopy (OES). The surface imagination was measured by AFM and SEM. The chemical states of film was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), which confirmed the existence of nonvolatile etch byproducts.

• 한국식품저장유통학회지
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• 제16권1호
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• pp.109-114
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• 2009

함초를 기능성 식품소재로서 이용하기 위하여 함초 80% 에탄올 추출물로부터 Diaion HP-20 chromatography를 이용하여 조다당체 및 조사포닌을 분리 한 후 이들에 대한 항산화 효과, 암세포 성장억제효과, 비장세포 증식능 및 대식세포의 면역활성과 같은 생리활성을 조사하였다. 함초 조다당체 및 조사포닌 첨가군은 $500{\mu}g/mL$ 농도 이상에서 20% 이상의 수소공여능을 나타내었으며, 환원력도 농도 의존적으로 증가하였다. 조다당체 및 조사포닌은 $500{\mu}g/mL$ 농도에서 전립선암세포(PC-3) 및 대장암세포(HT-29)에 대하여 각각 20%, 50% 이상의 성장 억제율를 보였는데, 함초 조다당체 보다 조사포닌에서 더 높은 항산화 및 암세포 증식억제 효과를 나타내었다. 한편 함초 조다당체 첨가군은 비장세포 증식 및 대식세포주 NO 생산을 농도 의존적으로 유도하였으나, 조사포닌 첨가군은 오히려 농도 $50{\mu}g/mL$ 이상에서 이들 면역 활성을 억제하였다. 즉 면역 활성에서는 함초 사포닌 보다 조다당체에서 더 높은 면역 증강 효과를 보였다. 따라서 함초는 기능성 식품소재로 활용 할 수 있을 것으로 기대된다.

• 해양환경안전학회지
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• 제19권5호
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• pp.518-524
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• 2013

본 연구에서는 균질기에 의해 혼합된 물과 벙커-A를 보일러로 연소하였을 때의 배기 배출물 특성에 대해 연구를 수행하였다. 그 결과로 균질기로 균질화 된 벙커-A의 경우, 순수 벙커-A에 비해 NOx 농도는 19 %, CO 농도는 54 % 감소를 나타냈다. 물-벙커A의 경우 물 혼합 비율이 증가할수록 NOx 농도분포가 낮아지는 것을 확인할 수 있었다. 특히, 20 %물-80 %벙커-A의 경우 순수한 벙커-A 보다 배기가스 내 NOx 농도가 45 %까지 감소하였다. 그러나 20 %물-80 %벙커-A의 경우, CO농도 분포는 불규칙한 변화를 나타냈다. 이것은 일정량 이상의 물 혼합은 보일러의 연소 성능 저하 원인이 될 수 있다는 것을 의미한다. 이 결과로부터 본 연구에서 보일러의 정상 연소를 위한벙커A유 내 물의 한계 혼합율은 15 % 인 것을 알 수 있었다. 연돌 부근에서 채취한 매연 부착양은 물의 혼합율이 증가할수록 감소하였다.

• 한국진공학회지
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• 제7권4호
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• pp.403-409
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• 1998

본 연구에서는 자장강화된 유도결합형 플라즈마를 사용하여 이 플라즈마의 특성을 조사하고 또한 산화막 식각에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 자장 강화를 위해 4쌍의 영구자석이 사용되었고, 산화막 식각을 위해 $C_2F_6, CHF_3, C_4F_8$ 가스 및 이들 혼합가스가 사 용되었으며 첨가가스로 $H_2$를 사용하였다. 자장강화된 유도결합형 플라즈마 특성 분석을 위 해 Langmuir probe와 optical emission spectrometer를 이용하여 산화막 식각 속도 및 photoresist에 대한 식각 선택비를 stylus profilometer를 이용하여 측정하였다. 이온 밀도에 있어서 자장 유무에 따른 큰 변화는 관찰되지 않았으나 이온전류밀도의 균일도는 자장을 가 한 경우 웨이퍼가 놓이는 기판 부분에서 상당히 증가된 것을 알 수 있었다. 또한 자장이 가 해진 경우, 자장을 가하지 않은 경우에 비해 플라즈마 전위가 감소된 반면 전자온도 및 라 디칼 밀도는 크게 증가되는 것을 알 수 있었으며 산화막 식각시에도 높은 식각 속도와 식각 균일도를 보였다. 산화막 식각을 위해 수소가스를 사용한 가스조합중에서 C4F8/H2가스조합 이 가장 우수한 식각 속도 및 photoresist에 대한 식각 선택비를 나타내었으며 공정변수를 최적화 함으로써 순수 C4F8에서 4이상의 선택비와 함께 8000$\AA$/min의 가장 높은 식각속도 를 얻을 수 있었으며, 50%C4F8/50%H2에서 4000$\AA$/min의 산화막 식각 속도와 함께 15이상 의 식각 선택비를 얻을 수 있었다.

• 분석과학
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• 제17권4호
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• pp.355-362
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• 2004

하나로 원자로에서 조사된 최대 선출력이 121 kW/m이고, 63 at%의 평균 연소도를 갖는 $U_3Si-Al$ 원심 분무 고출력 핵연료를 EPMA를 이용하여 파단면 관찰 및 반응층에 대한 핵분열 생성물을 분석 하였다. 조사된 고출력 $U_3Si-Al$ 핵연료를 EPMA로 화학 조성을 분석하기 위해 선행조건은 방사능 허용 한도가 $3{\times}10^{10}Bq$ 이하로 제한되는 EPMA 기기에 부합 될 수 있게 시험 시편을 최소화 하기 위한 작업이다. 시험 조건에 부합될 수 있는 시편의 제조를 위해 핵연료 천공 장치를 제작하였으며, 천공 장치를 사용하여 ${\Phi}1.57{\times}2mm$의 크기를 갖는 시료를 만들었다. 천공 된 시료를 파단 시편과 연마 시편으로 제조하여 파단면의 관찰 및 반응층(Inter-reaction layer)과 산화층에 대한 EPMA 분석을 수행하였다. 두께가 $16{\mu}m$인 반응층에 대한 평균값은 $UO_2$를 표준 시편으로 calibration한 경우의 조성은 $U_{2.84}$ Si $Al_{14}$ 이였으며, 시험 시편으로 calibration한 경우의 조성은 $U_{3.24}$ Si $Al_{14.1}$ 였다. 또한 반응층에서 핵분열 생성물의 조성을 분석하였으며, 반응층에서의 금속 석출물(metallic precipitates)의 생성은 확인할 수 없었다. 시험 시편의 산화층 조성은 $Ai_2O_3$ 임을 확인했다.