• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 학술대회 및 기술세미나 논문집 디스플레이 광소자
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• pp.83-84
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• 2006

ITO/4, 4', 4"-tris (N -3 - methylphenyl - N - phenyl - amino) - triphenylamine, [m-MTDATA] / Terbium Iris - (1 - phenyl - 3 - methyl - 4 - (tertiarybutyryl) - pyrazol - 5 - one) triphenylphosphine oxide [$(tb-PMP)_3Tb-(Ph_3PO)$] / Mg:Ag devices were made to investigate its electrical and light emission properties. The thickness of m-MTOATA layer was varied from 0 to 80 nm. There was a threshold thickness for the sufficient hole injection. The insertion of 20 nm thick m-MTDATA layer between ITO and Tb-complex resulted in the right shift of current-voltage curve because of the insufficient hole injection. The low operating voltage can be obtained above the 40 nm of m-MTDATA layer. The insertion of m-MTDATA induced the increase of the background in the electroluminescence spectrum which was dependent on the current density of the devices.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.412-413
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• 2006

The electrical conduction mechanism of ITO / Terbium tris - (1 - phenyl - 3 - methyl - 4 - (tertiarybutyryl) - pyrazol - 5 - one) triphenylphosphine oxide [$(tb-PMP)_3Tb-(Ph_3PO)$]/Mg/Al devices has been investigated. The calculation of electric field in single layer organic layer between cathode and anode shows the uniform distribution for the electron injection barrier of over 1.4 eV. The measured current-voltage curve shows well matching with the calculated curve based on the tunneling injection of electron under the uniform distribution of electric field.

• 대한화학회지
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• 제37권10호
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• pp.895-902
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• 1993

란탄나이드 3가($Pr^{3+}$ 와 $Dy^{3+}$)와 유기 리간드를 (phen', terpy') 착물들의 거동을 UV/vis 분광분석, 자기화 그리고 전기화학적 방법에 의해 조사하였다. 착물들의 결정장 갈라짐 에너지 크기와 짝지움에너지 그리고 스핀상태는 착물들의 스펙트라로부터 얻었다. 이들 착물들에 대한 전지화학적 거동은 비수용매속에서 순환 전압전류법에 의해 관찰하였다. 이들 환원피크는 전자 전이에 의한 비가역적인 2단계의 환원 과정이었다.

• 대한화학회지
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• 제38권8호
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• pp.590-597
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• 1994

유기 리간드(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄내디온)을 란탄나이드 3가$(Pr^{3+}, Eu^{3+}, Gd^{3+} 그리고 Yb^{3+})$와의 착물들에 대한 거동을 UV-Vis 분광학적, 자기적, 그리고 전기화학적 방법에 의해 조사하였다. 2 또는 3개의 에너지 흡수띠가 이들 착물들의 스펙트라에 의해 관찰되었다. 결정장 갈라짐 에너지 크기와 스핀 또는 3개의 에너지 흡수띠가 이들 착물들의 스펙트라에 의해 관찰되었다. 결정장 갈라짐 에너지 크기와 스핀 짝지움 에너지 그리고 결합세기는 착물들의 스펙트라로부터 얻어졌다. 이들은 편재화이고, 낮은 스핀(또는 높은 스핀) 상태이며 그리고 강한 결합세기임을 알았다. 착물들의 거동은 비수용매속에서 순환전압전류법에 의해 관찰하였다. 이들 환원피크는 전자전이에 의한 2 또는 3단계의 비가역성이었다.