건설폐기물의 재활용방법 중 하나는 폐콘크리트 재생골재를 도로포장재료로 활용하는 것이다. 하지만 재생골재에 대한 많은 연구와 기술개발에도 불구하고 생산공정에 포함된 이물질 때문에 실제 도로포장재료로의 적용은 미비한 실정이다. 본 연구에서는 재생골재내에 포함된 이물질의 특성에 따라 무기이물질과 유기이물질로 구분하였으며 , 각 이물질이 포장 공용성에 미치는 영향을 제시하였다. 또한 재생골재내에 포함된 무기이물질 함유량과 압축강도와의 관계, 유기이물질 함유량과 수정 CBR과의 상관관계를 통하여 도로포장층인 린콘크리트 기층과 보조기층에 적용 가능한 이물질 함량기준을 제시하였다. 린콘크리트 기층에는 무기이물질 함유량 질량비 10% 이하, 입상재료 보조기층에는 유기이물질 함유량 부피비 2% 이하일 때 재생골재를 포장에 적용 가능한 것으로 나타났다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제13권2호
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pp.89-92
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2012
The effect of organic impurities on the electrical properties of a neat epoxy resin was studied. 0.05, 0.5 and 1.0 phr of iso-propyl alcohol (IPA) and methylene chloride (MC) mixture (50/50 wt%) were used as impurities. The current density, volume resistance and impedance characteristics of the epoxy/IPA/MC systems were measured with a high voltage source meter and broadband dielectric spectroscopy. Glass transition temperature (Tg) was measured by a differential scanning calorimetry (DSC) and it was found that Tg decreased slightly with increasing IPA/MC content. It was also found that Tg values of the epoxy systems with various IPA/MC contents were closely related to the current density, volume resistance and impedance characteristics.
We have grown GaAs epilayers by chemical beam epitaxy(CBE) using unprecracked hydrides and metal organic compounds via a surface decomposition process. This result shows that unprecracked arsine (AsH3) or monoethylarsine (MEAs) can be used in chemical beam epitaxy(CBE) as a replacement of a precracked AsH3 source in CBE. It was also found that the uptake of carbon impurity in epilayers grown using trimethylgallium(TMG) with unprecracked AsH3 or MEAs was significantly reduced compared to that in epilayers grown by CBE process employing TMG and arsenics produced from precracked hydrides. We propose a surface structural model suggesting that the hydrogen atoms play an important role in the reduction of carbon content in GaAs epilayer. Intermediates like dihydrides from hydride sources were also considered to hinder carbon atoms from being incorporated into the epilayers or to remove other carbon containing species on the surface.
하수도관 정비사업 및 정부의 4대강 사업에서 발생되는 준설모래는 대부분 투기 및 매립에 의존하여 처리되고 있다. 이는 준설모래를 적절히 이용하는 관련 재활용 기술의 부족과 기존의 준설모래 생산시스템에서 생산된 준설모래의 높은 흡수율과 미립분 함유량에서 비롯된다. 따라서 본 연구에서는 기존의 준설모래 생산시스템의 문제점을 보완한 최적의 세척선별시스템을 통해, 준설모래 품질개선 성능과 세척선별시스템의 미립분과 유기이물질 제거 성능을 알아보기 위한 연구의 일환으로서, 처리된 준설모래의 기초물성을 평가한 결과, 세척선별시스템을 통해 생산된 준설모래가 흡수율, 0.08 mm체 통과량, 점토덩어리량, 유기이물질 함유량에서 큰 폭의 품질개선효과를 나타냈으며, 본 연구에서 목표로 하는 품질기준인 KS F 2573(콘크리트용 순환골재)과 KS F 2526(콘크리트용 골재) 기준에 모두 만족하는 것으로 나타나 향후 콘크리트용 골재로서의 활용가능성을 확인할 수 있었다.
본 논문에서는 반도체용 실리콘 기판 가공 과정에서 발생한 슬러지 재활용을 위해 탄화 반응에 의한 탄화규소(SiC) 분말 합성 공정을 적용한 결과를 제시하고자 한다. 입수한 슬러지는 실리콘 기판을 탄화규소 연마재를 사용하여 가공하는 과정에서 발생하므로 실리콘과 탄화규소가 혼합된 형태였으며 가공 설비로부터 발생한 철 불순물이 포함되어 있었다. 슬러지는 절삭유가 포함되어 있어 점성이 있는 유체 형태였으며 대기 건조를 통해 분말 형태로 변화된 후 산 세정을 통한 철 성분 제거 및 탄화에 의한 탄화규소 분말 합성 과정을 거치게 된다. 슬러지에 포함된 실리콘과 탄화규소의 비율에 따라 탄화 반응에 필요한 탄소량이 달랐으며 탄화규소의 함량이 커질수록 탄소 부족 현상으로 인해 비화학량론적 탄화물(SiCx, x<1) 형성이 촉진되어 순수한 탄화규소 합성이 이루어지지 않는 것을 확인하였다. 이러한 비화학량론적 탄화물은 잉여 탄소 추가와 고에너지 밀링에 의한 탄화 반응성 증가를 통해 제거할 수 있었으며 결과적으로 산 세정과 밀링 과정에 의해 슬러지로부터 순수한 탄화규소 분말 합성이 가능함을 확인할 수 있었다.
This paper describes the feasiblity of recycling sewage dredged soils as fine affrefate. This paper describes the feasibility of recycling sewage dredged soils as fine aggregate. The specific gravity of the dredged soils was smaller than that of sand due to the effect of dredged sludge. However, the grain size distribution of the dredged soils is relative well graded, and the results of the heavy metal concentration from the leaching test of the dredged soils was significantly lower than the requirements of the allowable criteria. Therefore, the effect of recycling of dredged soils on environment the as fine aggregate was negligible. Also, the specific gravity of the dredged and washed soils was similar to that of sand, and the dredged and washed soils for the most part showed lower heavy metal leaching characteristics than those of dredged soils, Also, the results of the study for evaluation the recycling feasibility of dredged and washed soils as fine affrefate. The organic impurity content of the dredged and washed soils was lower than the requirements of the Korean industrial Standards, and the mortar compressive strength using the washdredged soils also met those of the Korean industrial Standards. And, the strengths of the dredged and washed soils were over 95% of those of the NaOH-treated samples. Therefore, it is expected that the dredged soils will be able to be an alternative for fine aggregate.
황화수소는 매립가스와 바이오가스 사용 전에 제거해야 하는 유해한 불순물이다. 본 연구에서는 공기 산화를 활용한 황화수소 저감 방법을 연구하였다. C시 매립장에서 발생하는 매립가스의 유량 조절이 가능한 실규모 황화수소 저감 장치를 운전하였다. 실험 결과, 세정액 내 용존 철 농도는 황화물 산화 효율에 유의한 영향을 미쳤다. 매립지 발생 침출수 내 철 성분은 매립가스 내 황화수소 제거를 위한 용도로 철킬레이트와 혼용할 수 있었다. 철 농도가 90 mM 이상인 경우 9 초 이내의 접촉 시간에서 83 % 이상의 $H_2S$가 제거되었다. 따라서 촉매 산화 흡착법은 매립가스 및 바이오가스 정제를 위한 용도로서 충분히 가치가 있는 것으로 판단되었다.
주석도금폐액으로부터 이온교환수지를 사용하여 주석 회수에 대한 연구를 실시하였다. 3종류의 이온교환수지를 사용하여 기초 실험한 결과 tertiary 기능기를 가진 이온교환수지(Lewatit TP 272)는 주석을 흡착하지 못하였고, iminodiacetic기능기를 가진 이온교환수지(Lewatit TP 207)는 주석의 흡착율은 높으나, 회수된 주석용액 내 불순물 함량이 높았다. Ethylhexyl-phosphate의 기능기를 가진 이온교환수지(Lewatit VP OC1026)를 사용한 경우, 주석의 흡착율이 iminodiacetic기능기를 가진 이온교환수지 보다 낮았으나 pH 조절에 따라 회수된 주석용액 내 불순물의 제거가 가능하였다. 또한 이온교환수지에 흡착된 유기물의 경우는 수세를 통해 제거를 함으로써 고순도 주석용액으로 회수가 가능하였다.
본 논문은 재건축 및 재개발 사업 등의 증가로 인해 건설폐기물 발생량이 지속적인 증가에 따른 국내의 건설폐기물 발생 및 건설현장에서의 처리 실태 및 선진 외국의 사례 등 관련 자료를 종합적으로 비교 검토 함으로서 보다 효율적인 건설 폐기물 재활용 촉진 및 관리 방안을 제시하고자 한다. 국내 건설폐기물 발생량은 1996년 1천만톤에서 2002년 4천 3백만톤으로 약 4배 증가하였으며, 그 중 콘크리트가 차지하는 비중이 60.4%를 차지하고 있는 것으로 밝혀졌다. 건설폐기물 처리 방법별로는 매립이 14.5%, 소각이 2.0%, 재활용이 83.4%등으로 나타났다. 따라서, 건설폐기물 적정처리 및 재활용 촉진을 위한 방안으로는 재활용 우수 업체에 대하여 인센티브의 강화와 재생골재 품질 기준 및 이물질 함유량 규정에 대한 개선이 시급한 실정이다. 또한, 중간처리 시설에 대한 재생골재의 시설 기준 강화 및 품질 인증 제도의 도입, 재생골재의 중간 유통 기지 건설과 마지막으로 건설폐기물 관련 법규 및 제도와 각종 지침에 대한 교육이 필수적이라 하겠다.
Kim, Myung-Chan;Heo, Cheol-Ho;Boo, Jin-Hyo;Cho,Yong-Ki;Han, Jeon-Geon
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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pp.211-211
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1999
Titanium nitride (TiN) thin films have useful properties including high hardness, good electrical conductivity, high melting point, and chemical inertness. The applications have included wear-resistant hard coatings on machine tools and bearings, decorative coating making use of the golden color, thermal control coatings for widows, and erosion resistant coatings for spacecraft plasma probes. For all these applications as feature sizes shrink and aspect ratios grow, the issue of good step coverage becomes increasingly important. It is therefore essential to manufacture conformal coatings of TiN. The growth of TiN thin films by chemical vapor deposition (CVD) is of great interest for achieving conformal deposition. The most widely used precursor for TiN is TiCl4 and NH3. However, chlorine impurity in the as-grown films and relatively high deposition temperature (>$600^{\circ}C$) are considered major drawbacks from actual device fabrication. To overcome these problems, recently, MOCVD processes including plasma assisted have been suggested. In this study, therefore, we have doposited Ti(C, N) thin films on Si(100) and D2 steel substrates in the temperature range of 150-30$0^{\circ}C$ using tetrakis diethylamido titanium (TDEAT) and titanium isopropoxide (TIP) by pulsed DC plamsa enhanced metal-organic chemical vapor deposition (PEMOCVD) method. Polycrystalline Ti(C, N) thin films were successfully grown on either D2 steel or Si(100) surfaces at temperature as low as 15$0^{\circ}C$. Compositions of the as-grown films were determined with XPS and RBS. From XPS analysis, thin films of Ti(C, N) with low oxygen concentration were obtained. RBS data were also confirmed the changes of stoichiometry and microhardness of our films. Radical formation and ionization behaviors in plasma are analyzed by optical emission spectroscopy (OES) at various pulsed bias and gases conditions. H2 and He+H2 gases are used as carrier gases to compare plasma parameter and the effect of N2 and NH3 gases as reactive gas is also evaluated in reduction of C content of the films. In this study, we fond that He and H2 mixture gas is very effective in enhancing ionization of radicals, especially N resulting is high hardness. The higher hardness of film is obtained to be ca. 1700 HK 0.01 but it depends on gas species and bias voltage. The proper process is evident for H and N2 gas atmosphere and bias voltage of 600V. However, NH3 gas highly reduces formation of CN radical, thereby decreasing C content of Ti(C, N) thin films in a great deal. Compared to PVD TiN films, the Ti(C, N) film grown by PEMOCVD has very good conformability; the step coverage exceeds 85% with an aspect ratio of more than 3.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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