Kim, Yong-Hoon;Gong, Ju-Yeong;Park, Sung Kyu;Ju, Byeong-Kwon;Han, Jeong-In
Proceedings of the KIEE Conference
/
2008.07a
/
pp.1274-1274
/
2008
In this report, the effect of substrate temperature on the electrical properties of ink-jet printed triisopropylsilyl (TIPS) pentacene organic thin-film transistors (OTFTs) has been investigated. The electrical properties such as mobility and on/off ratio were decreased as the substrate was heated above room temperature. The field-effect mobility of decreased from $10^{-2}cm^2/Vs$ to $10^{-5}cm^2/Vs$ and the on/off ratio decreased from $10^6$ to $10^4$ when the substrate temperature was heated from room temperature to 60$^{\circ}C$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
2010.08a
/
pp.176-176
/
2010
One of the critical issues for applications of flexible organic thin film transistors (OTFTs) for flexible electronic systems is the electrical stabilities of the OTFT devices, including variation of the current on/off ratio (Ion/Ioff), leakage current, threshold voltage, and hysteresis under repetitive mechanical deformation. In particular, repetitive mechanical deformation accelerates the degradation of device performance at the ambient environment. In this work, electrical stability of the pentacene organic thin film transistors (OTFTs) employing multi-stack hybrid encapsulation layers was investigated under mechanical cyclic bending. Flexible bottom-gated pentacene-based OTFTs fabricated on flexible polyimide substrate with poly-4-vinyl phenol (PVP) dielectric as a gate dielectric were encapsulated by the plasma-deposited organic layer and atomic-layer-deposited inorganic layer. For cyclic bending experiment of flexible OTFTs, the devices were cyclically bent up to 105 times with 5mm bending radius. In the most of the devices after 105 times of bending cycles, the off-current of the OTFT with no encapsulation layers was quickly increased due to increases in the conductivity of the pentacene caused by doping effects from $O_2$ and $H_2O$ in the atmosphere, which leads to decrease in the Ion/Ioff and increase in the hysteresis. With encapsulation layers, however, the electrical stabilities of the OTFTs were improved significantly. In particular, the OTFTs with multi-stack hybrid encapsulation layer showed the best electrical stabilities up to the bending cycles of $10^5$ times compared to the devices with single organic encapsulation layer. Changes in electrical properties of cyclically bent OTFTs with encapsulation layers will be discussed in detail.
Park, Il-Houng;Hyung, Gun-Woo;Choi, Hak-Bum;Hwang, Sun-Wook;Kim, Young-Kwan
Journal of the Korean Vacuum Society
/
v.17
no.3
/
pp.195-198
/
2008
In this paper, it was demonstrated that organic thin-film transistors (OTFTs) were fabricated with the organic passivation layer by vapor deposition polymerization (VDP) processing. In order to form polymeric film as a passivation layer, VDP process was also introduced instead of spin-coating process, where polymeric film was co-deposited by high-vacuum thermal evaporation from 6FDA and ODA followed by curing. In order to investigate by compared with different passivation layer, the other OTFTs is fabricated to passivation by Polyvinylalcohol using spincoating. We can see that two different ways of passivation layer affect electric characteristic of OTFTs. The initial electric characteristic of OTFTs before passivation such as field effect mobility, threshold voltage, and on-off current ratio are $0.24cm^2/Vs$, -3V, and $10^6$, respectively. Then after polyimide passivation layer, field effect mobility change from $0.24cm^2/Vs$ to $0.26cm^2/Vs$, threshold voltage from -3V to 1V and on-off current ratio from $10^6$ to $10^6$, respectively. In the case of polyvinylalcohol passivation, the initial electric characteristic of OTFTs before passivation such as field effect mobility, threshold voltage, and on-off current ratio are $0.13cm^2/Vs$, 0V, and $10^6$, respectively. Then after polyvinylalcohol passivation layer, field effect mobility changes from $0.13cm^2/Vs$ to $0.13cm^2/Vs$, threshold voltage from 0V to 2V, and on-off current ratio from $10^6$ to $10^5$, respectively.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2009.06a
/
pp.137-137
/
2009
Thin-film transistors (TFTs) that can be prepared at low temperatures have attracted much attention due to the great potential for flexible electronics. One of the mainstreams in this field is the use of organic semiconductors such as pentacene. But device performance of the organic TFTs is still limited by low field effect mobility or rapidly degraded after exposing to air in many cases. Another approach is amorphous oxide semiconductors. Amorphous oxide semiconductors (AOSs) have exactly attracted considerable attention because AOSs were fabricated at room temperature and used lots of application such as flexible display, electronic paper, large solar cells. Among the various AOSs, a-IGZO was considerable material because it has high mobility and uniform surface and good transparent. The high mobility is attributed to the result of the overlap of spherical s-orbital of the heavy pest-transition metal cations. This study is demonstrated the effect of thickness channel layer from 30nm to 200nm. when the thickness was increased, turn on voltage and subthreshold swing were decreased. a-IGZO TFTs have used a shadow mask to deposit channel and source/drain(S/D). a-IGZO were deposited on SiO2 wafer by rf magnetron sputtering. using power is 150W, working pressure is 3m Torr, and an O2/Ar(2/28 SCCM) atmosphere at room temperature. The electrodes were formed with Electron-beam evaporated Ti(30nm) and Au(70nm) structure. Finally, Al(150nm) as a gate metal was evaporated. TFT devices were heat treated in a furnace at $250^{\circ}C$ in nitrogen atmosphere for an hour. The electrical properties of the TFTs were measured using a probe-station to measure I-V characteristic. TFT whose thickness was 150nm exhibits a good subthreshold swing(S) of 0.72 V/decade and high on-off ratio of 1E+08. Field effect mobility, saturation effect mobility, and threshold voltage were evaluated 7.2, 5.8, 8V respectively.
Kim, Woo-Jin;Koo, Won-Hoe;Jo, Sung-Jin;Kim, Chang-Su;Baik, Hong-Koo
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
/
2005.07b
/
pp.1276-1279
/
2005
The long-term stability of pentacene thin-film transistors (TFTs) encapsulated with a transparent $SnO_2$ thin-film prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) was investigated. With a buffer layer of thermally evaporated 100 nm $SnO_2$ film deposited prior to IBAD process, our encapsulated OTFTs sustained its initial field-effect mobility up to one month and then gradually degraded showing only 37% reduction compared to 90% reduction of non-encapsulated OTFTs after 100 days in air ambient. The encapsulated OTFTs also exhibited superior on/off current ratio of over $10^5$ to that of the unprotected devices $({\sim}10^4)$ which was reduced from ${\sim}10^6$ before aging. Therefore, the enhanced long-term stability of our encapsulated OTFTs should be attributed to well protection of permeation of $H_2O$ and $O_2$ into the devices by the IBAD $SnO_2$ thin-film which could be used as an effective inorganic gas barrier for transparent organic electronic devices.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.19
no.12
/
pp.1140-1143
/
2006
We report on the fabrication of P3HT-based thin-film transistors (TFTs) for liquid crystal display that consist of $NiO_x$, poly-vinyl phenol (PVP), and Ni for the source-drain (S/D) electrodes, gate dielectric layer, and gate electrode, respectively The $NiO_x$ S/D electrodes of which the work function is well matched to that of P3HT are deposited on a P3HT channel by electron-beam evaporation of NiO powder. The maximum saturation current of our P3HT-based TFT is about $15{\mu}A$ at a gate bias of -30 V showing a high field effect mobility of $0.079cm^2/Vs$ in the dark, and the on/off current ratio of our TFT is about $10^5$. It is concluded that jointly adopting $NiO_x$ for the S/D electrodes and PVP for gate dielectric realizes a high-quality P3HT-based TFT.
Kim, Yun-Hi;Lee, Dong-Hee;Park, Sung-Jin;Chen, June;Yi, Mi-Hye;Kwon, Soon-Ki
Journal of Information Display
/
v.10
no.3
/
pp.125-130
/
2009
The new organic semiconductor, which is composed of a divinylbenzene core unit and alkoxynaphthalene on both sides, 1,4-bis-2-(6-hexyloxy)naphthalen-2-yl-vinylbenzene, was synthesized via Wittig reaction. The obtained oligomer was characterized via FT-IR, mass and elemental analysis, UV-visible spectroscopy, cyclovoltammetry, differential scanning calorimetry (DSC), and thermogravimetric analysis (TGA). The vacuum-evaporated film was characterized via X-ray diffraction and atomicforce microscopy (AFM). It formed a highly ordered polycrystalline vacuum-evaporated film and exhibited a good field-effect performance, with a hole mobility of $0.015cm^2/V{\cdot}s$, an on/off ratio of $1.18{\times}10^5$, and a subthreshold slope of 0.69 V when it was deposited at Ts=$90^{\circ}C$ on HMDS-treated $SiO_2$.
Kim, Ok-Byoung;Kim, Duck-Young;Kim, Young-Kwan;Sohn, Byoung-Chung;Kim, Jung-Soo
Journal of the Korean Applied Science and Technology
/
v.16
no.4
/
pp.313-316
/
1999
Organic semiconductors based on conjugated thiophene oligomer have great potential to be utilized as an active layer for electronic and optoelectronic devices. In this study, a conjugated oligomer such as ${\alpha}$-sexithiophene (${\alpha}$-6T) thin films was prepared by the Organic Molecular Beam Deposition (OMBD), and various electrode materials were also deposited by a simple vacuum evaporation, respectively. Those films were photolithographically patterned for the electrical measurements. Electrical charact-erization of the thin film transistor with various channel length were executed and the field effect mobility of these thin film transistors were also calculated by the formula using the experimental data.
Mohammed, BOUANATI Sidi;SARI, N. E. CHABANE;Selma, MOSTEFA KARA
Transactions on Electrical and Electronic Materials
/
v.16
no.3
/
pp.124-129
/
2015
Organic electronics are the domain in which the components and circuits are made of organic materials. This new electronics help to realize electronic and optoelectronic devices on flexible substrates. In recent years, organic materials have replaced conventional semiconductors in many electronic components such as, organic light-emitting diodes (OLEDs), organic field-effect transistors (OFETs) and organic photovoltaic (OPVs). It is well known that organic light emitting diodes (OLEDs) have many advantages in comparison with inorganic light-emitting diodes LEDs. These advantages include the low price of manufacturing, large area of electroluminescent display, uniform emission and lower the requirement for power. The aim of this paper is to model polymer LEDs and OLEDs made with small molecules for studying the electrical and optical characteristics. The purpose of this modeling process is, to obtain information about the running of OLEDs, as well as, the injection and charge transport mechanisms. The first simulation structure used in this paper is a mono layer device; typically consisting of the poly (2-methoxy-5(2'-ethyl) hexoxy-phenylenevinylene) (MEH-PPV) polymer sandwiched between an anode with a high work function, usually an indium tin oxide (ITO) substrate, and a cathode with a relatively low work function, such as Al. Electrons will then be injected from the cathode and recombine with electron holes injected from the anode, emitting light. In the second structure, we replaced MEH-PPV by tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq3). This simulation uses, the Poole-Frenkel -like mobility model and the Langevin bimolecular recombination model as the transport and recombination mechanism. These models are enabled in ATLAS- SILVACO. To optimize OLED performance, we propose to change some parameters in this device, such as doping concentration, thickness and electrode materials.
We confirmed the effects on the device performances and the charge injection characteristics of organic field-effect transistor (OFET) by selectively differently controlling the surface energies on the contact region of the substrate where the source/drain electrodes are located and the channel region between the two electrodes. When the surface energies of the channel and contact regions were kept low and increased, respectively, the field-effect mobility of the OFET devices was 0.063 ㎠/V·s, the contact resistance was 132.2 kΩ·cm, and the subthreshold swing was 0.6 V/dec. They are the results of twice and 30 times improvements compared to the pristine FET device, respectively. As the results of analyzing the interfacial trap density according to the channel length, a major reason of the improved device performances could be anticipated that the pi-pi overlapping direction of polymer semiconductor molecules and the charge injection pathway from electrode is coincided by selective surface treatment in the contact region, which finally induces the decreases of the charge trap density in the polymer semiconducting film. The selective surface treatment method for the contact region between the electrode and the polymer semiconductor used in this study has the potential to maximize the electrical performances of organic electronics by being utilized with various existing processes to lower the interface resistance.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.