본 연구에서는 용액합성법(solution synthesis technique)에 의해 ZnS : Cu nano 입자를 합성하였고, 결정구조 및 입자형상 등의 구조적 특성과, 광흡수/투과 특성, 에너지밴드갭, 그리고 photoluminescence(PL) 여기 및 발광 특성 등의 광학적 특성을 분석하였다. 일반적인 용액상태의 화학적 합성 방법과는 달리 합성온도를 $80^{\circ}C$로하였으며, sulfur의 precursor로 thiourea를 채택하여 Cu 도핑의 용이성을 구현하였다. 합성된 undoped ZnS 와 ZnS : Cu nano 입자는 모두 cubic 구조를 가졌으며 구형입자로 합성되었고, 광흡수단의 위치도 모두 ~305 nm에 나타나서 양자사이즈효과가 발생하였음을 알 수 있었다. PL 발광강도와 반가폭은 Cu 도핑농도가 0.03M 일 때 각각 최고치와 최저치를 나타냈는데, 이와 같이 용액합성법에 의해 합성된 ZnS : Cu 에서 Cu 의 농도변화에 따른 PL 스펙트럼의 강도와 반가폭의 변화는 본 연구에서 최초로 보고되는 것이다. 광흡수단 측정 및 PL 여기 실험결과, 본 연구의 주된 발광피크인 ~510 nm 발광밴드는 Cu에 의해 에너지밴드갭 내에 형성된 발광재결합센터를 통한 것임을 알 수 있었다.
분해능이 ${\Delta}{\lambda}{\sim}-0.1{\AA}$인 고분산 분광기를 사용하여 공생별 Z Andromedae (And)의 분광자료를 연구하였다. 분광 관측은 (1) 2001년 8월 30일(위상 ${\Phi}$=0.77)과 2002년 8월 12일(위상 ${\Phi}$ =0.22)에 Lick 천문대의 Hamilton Echelle Spectrograph (HES)를 사용하여, 1800초와 3600초 노출의 고분산 자료를 얻었으며, (2) 2009년 10월 21일(위상 ${\Phi}$=0.70)에는 보현산 천문대의 Bohyunsan Echelle Spectrograph (BOES)를 사용하여 1200초 노출 시간의 고분산 자료를 얻었다. 약 $3600{\AA}-9500{\AA}$파장대의 HES와 BOES 관측 자료로 부터 HI, HeI, HeII에 대한 방출선을 선택하여 분석하였다. 이 선들의 선 윤곽 분석 작업을 통해 2개 또는 3개로 분리시키고, 위상별로 각 성분이 어떤 지역에서 형성되고, 백색왜성과 적색거성의 궤도 운동과 어떠한 관련이 있는지를 조사하였다. 라만 산란(Raman scattering)된 $H{\alpha}$선 선폭 및 HI, HeI, HeII의 위상별 변화를 보이는 방출선의 특성으로부터, 방출선들은 백색왜성 주위를 감싸는 강착원반과 이 원반 안의 두 라그랑지안(Lagrangian) 포인트 $L_1$과 $L_2$지역에서 주로 생성된 것으로 결론지었다. Z And는 활동성이 2009년과 2001년에 가장 활발했고, 2002년의 선 윤곽은 매우 복잡한 양상을 보임에도 불구하고, 활동성은 비교적 조용하였음을 암시하고 있다.
In this paper, the emission properties of electrodeless fluorescent lamp were discussed using the inductively coupled plasma. To transmit the electromagnetic energy into the chamber, a RF power of 13.56MHz was applied to the antenna and considering the Ar gas pressure and the RF electric power change, the emission spectrum, Ar- I line, luminance were investigated. At this time the input parameter for ICP RF plama, Ar gas pressure and RF power were applied in the range of $10{\sim}60m$ Torr, $10{\sim}300W$ respectively.
We have generated Ne-Xe plasma in dense plasma focus device with hypocycloidal pinch for extreme ultraviolet (EUV) lithography and investigated an electron temperature. We have applied an input voltage 4.5 kV to the capacitor bank of 1.53 uF and the diode chamber has been filled with Ne-Xe(30%) gas in accordance with pressure. If we assumed that the focused plasma regions satisfy the local thermodynamic equilibrium (LTE) conditions, the electron temperature of the hypocycloidal pinch plasma focus could be obtained by the optical emission spectroscopy (OES). The electron temperature has been measured by Boltzmann plot. The light intensity is proportion to the Bolzman factor. We have been measured the electron temperature by observation of relative Ne-Xe intensity. The EUV emission signal whose wavelength is about 6~16 nm has been detected by using a photo-detector (AXUV-100 Zr/C, IRD) and the line intensity has been detected by using a HR4000CG Composite-grating Spectrometer.
We carried out CO survey toward IR-excess clouds using SRAO 6-m telescope in search of molecular $H_2$. These clouds, which show far-infrared excess over what is expected from HI column density, are considered to be candidates of molecular clouds. In order to find new high Galactic latitude clouds, we made mapping observations for 14 IR-excess clouds selected from Reach et al.(1998) in $^{12}CO$ J = 1 - 0 line, supplementing the similar survey in southern hemisphere (Onishi et al. 2001). $^{12}CO$ emission is detected from three IR-excess clouds among 14 objects. Three newly detected clouds exhibit somewhat clumpy morphology and column densities amount to ${\sim}10^{21}\;cm^{-2}$. One of three clouds, DIR120-28, show discrepancy between IR-excess center and CO emission center. It seems that IR-excess may not be an effective tracer of molecular gas. Instead, optical depth$(\tau)$ excess, i.e., IR-excess corrected for temperature dependence, may be more effective tracer of molecular clouds, since, by combining statistics from both hemispheres, we found that the detection rate is higher for IR-excess clouds with lower dust temperature.
본 논문에서는 온도 제어가 가능한 blackbody를 이용하여 수동형 FTIR 분광계의 radiometric calibration을 수행하고 타당성을 살펴보았다. Radiometric calibration은 분광계로 입사되는 radiance의 온도 변화에 대한 광 검출기의 파장 별 응답특성과 기기 내부에서 발생되는 온도 및 반사율에 의해 발생되는 측정 오차를 보정하여 Planck radiance로 변환하는 기법이다. 시료에 대한 calibration 과정을 수행한 스펙트럼을 spectral library와 비교한 결과, 흡수 스펙트럼의 파장 별 선폭과 상대적인 intensity가 매우 유사하게 나타났으며 입사 광원의 온도차와 비례하여 spectral intensity가 일정하게 증가됨을 확인할 수 있었다.
Several studies have reported the presence of sodium excess objects having neutral atomic absorption lines at $5895{\AA}$ (NaD) and $8190{\AA}$ that are deeper than expected based on stellar population models that match the stellar continuum. The origin of these lines is therefore hotly debated. van Dokkum & Conroy proposed that low-mass stars (0.3M) are more prevalent in massive early-type galaxies, which may lead to a strong NaI 8190 line strength. It is necessary to test this prediction, however, against other prominent optical line indices such as NaD, Mgb, and Fe5270, which can be measured with a significantly higher signal-to-noise ratio than NaI 8190. We identified a new sample of roughly one thousand NaD excess objects (NEOs; ~8% of galaxies in the sample) based on NaD line strength in the redshift range 0.00$H{\beta}$ line strengths and significant emission lines, which are indicative of the presence of young stellar populations. This result implies that the presence of the interstellar medium and/or dust contributes to the increase in NaD line strengths observed for these galaxies.
Electrolyte cathode atomic discharge (ELCAD)는 용액 중에 포함된 미량 중금속을 연속 자동적으로 측정하기 위한 새로운 광학 측정기로서 플라스마에 의한 중금속들의 방출 강도를 측정하는 원자방출 분광법의 하나이다. 특히 이 방법은 검액을 전처리하지 않고 직접 분석할 수 있기 때문에 온라인 (on-line) 현장분석이 가능하다. ELCAD에서는 분위기 가스로 공기를 이용하고, 양극부분에 백금 전극을 사용하며, 음극에서는 연속적으로 전해질 시료를 주입하면서 플라스마를 형성하면서 미량의 중금속을 분석할 수 있다. 액상 글로우 방전의 기초 특성 연구로는 철의 원자 방출선 세기를 구한 다음 Einstein-Boltzmann식을 사용하여 플라스마 온도를 구한 다음 구리, 납, 철 및 니켈의 미량 분석 및 간섭 현상에 대해서 연구하였고, 검출 한계를 구하였다.
Kim, Boom-Soo;Kang, Tae-Yoon;Chun, Sang-Hyun;Son, Seung-Nam;Hong, Sang-Jeen
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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pp.464-464
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2010
A few years ago, for maintaining high stability and production yield of production equipment in a semiconductor fab, on-line monitoring of wafers is required, so that semiconductor manufacturers are investigating a software based process controlling scheme known as virtual metrology (VM). As semiconductor technology develops, the cost of fabrication tool/facility has reached its budget limit, and reducing metrology cost can obviously help to keep semiconductor manufacturing cost. By virtue of prediction, VM enables wafer-level control (or even down to site level), reduces within-lot variability, and increases process capability, $C_{pk}$. In this research, we have practiced VM on $SiO_2$ etch rate with optical emission spectroscopy(OES) data acquired in-situ while the process parameters are simultaneously correlated. To build process model of $SiO_2$ via, we first performed a series of etch runs according to the statistically designed experiment, called design of experiments (DOE). OES data are automatically logged with etch rate, and some OES spectra that correlated with $SiO_2$ etch rate is selected. Once the feature of OES data is selected, the preprocessed OES spectra is then used for in-situ sensor based VM modeling. ICP-RIE using 葰.56MHz, manufactured by Plasmart, Ltd. is employed in this experiment, and single fiber-optic attached for in-situ OES data acquisition. Before applying statistical feature selection, empirical feature selection of OES data is initially performed in order not to fall in a statistical misleading, which causes from random noise or large variation of insignificantly correlated responses with process itself. The accuracy of the proposed VM is still need to be developed in order to successfully replace the existing metrology, but it is no doubt that VM can support engineering decision of "go or not go" in the consecutive processing step.
행성상성운 NGC 6881은 4극자형태를 이루고 있고 JET이 영상에 나타난다. Lick 천문대에 있는 Hamilton Echelle Spectrograph(HES)을 사용하여 관측한 가시광 영역의 방출선 스펙트럼의 선윤곽을 연구하였다. 우리가 연구하는 HES 분광 자료는 직경이 4초각인 영역의 안쪽에서 관측된 것이다. IRAF와 StarLink/Dipso분석프로그램을 사용하여 HI, HeI, HeII, [OIII], [NII], [ArIII], [SII], [SIII] 등의 강한 선들의 선윤곽을 통해 팽창속도를 얻었다. HI선의 경우 단일 정상을 보이는 반면, He과 다른 금지선들은 두 개의 정상 분포가 겹치는 특성을 보였다. 가스 유출 속도는 중심별의 복사압에 의해 바깥쪽으로 갈수록 가속되는 것으로 분석되었다. 우리는 팽창속도자료를 통해, HST 영상에서 보여진 중심부분의 세 개의 고리는 양극콘(HI 선등에 나타남)과 고리(He, [SIII]선에 특성이 보임)의 복합 구조가 투영된 것으로 결론지었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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