Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2002.05a
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pp.132-132
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2002
Diamond is well known as the hardest material in nature. It also has other unique bulk physical and mechanical properties, such as very high thermal conductivity and broad optical transparency, which enable a number of new applications now that large areas of diamond can be fabricated by the new diamond plasma chemical vapor deposition (CVD) technologies. A study on the effects of growth kinetics and properties of diamond films obtained by addition of argon (~7 vol. %) into the methane/hydrogen mixture is carried out using HFCVD system. A negative bias was used as a nucleation enhancement method in addition to the argon dilution. The scanning electron microscopy (SEM) image of surface morphology shows well faceted crystallites with a predominance of angular shapes corresponding to <100> and <110> crystalline surfaces. The nucleation density and growth rate with argon dilution is two orders of magnitude higher than without argon deposition. The Raman spectra show a good quality film whereas XPS spectra show existence of only diamond phase.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.67-67
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2012
Graphene, two-dimensional one-atom-thick planar sheet of carbon atoms densely packed in a honeycomb crystal lattice, exhibits fascinating electrical properties, such as a linear energy dispersion relation and high mobility in addition to a wide-range optical absorption and high thermal conductivity. Graphene's outstanding tensile strength allows graphene-based electronic and photonic devices to be flexible, bendable, or even stretchable. Recently many groups have reported high performance electronic and optoelectronic devices based on graphene materials, i.e. field-effect transistors, gas sensors, nonvolatile memory devices, and plasmonic waveguides, in which versatile properties of graphene materials have been incorporated into a flexible electronic or optoelectronic platform. However, there are several fundamental or technological hurdles to be overcome in real applications of graphene in electronics and optoelectronics. In this tutorial we will present a short introduction to the basic material properties and recent progresses in applications of graphene to electronics and optoelectronics and discuss future outlook of graphene-based devices.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.18
no.2
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pp.93-96
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2017
The structural, electrical and optical properties of Ti thin films fabricated by dual magnetron sputtering were investigated under various film thicknesses. The fabricated Ti thin films exhibited uniform surfaces, crystallinity, various grain sizes, and with various film thicknesses. Also, the crystallinity and grain size of the Ti thin films increased with the increase of film thickness. The electrical properties of Ti thin films improved with the increase of film thickness. The results showed that the performance of TCO-less DSSC critically depended on the film thickness of the Ti working electrodes, due to the conductivity of Ti thin film. However, the maximum conversion efficiency of TCO-less DSSC was exhibited at the condition of 100 nm thickness due to the surface scattering of photons caused by the variation of grain size.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.185.2-185.2
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2015
Tin Oxide (SnO2) has been widely investigated as a transparent conducting oxide (TCO) and can be used in optoelectronic devices such as solar cell and flat-panel displays. In addition, it would be applicable to fabricating the wide bandgap semiconductor because of its bandgap of 3.6 eV. There have been concentrated on the improvement of optical properties, such as conductivity and transparency, by doping Indium Oxide and Gallium Oxide. Recently, with development of fabrication techniques, high-qulaity SnO2 epitaxial thin films have been studied and received much attention to produce the electronic devices such as sensor and light-emitting diode. In this study, powder sputtering method was employed to deposit epitaxial thin films on sapphire (0001) substrates. A commercial SnO2 powder was sputtered. The samples were prepared with varying the growth parameters such as gas environment and film thickness. Then, the samples were characterized by using XRD, SEM, AFM, and Raman spectroscopy measurements. The details of physical properties of epitaxial SnO2 thin films will be presented.
A novel poly(phenylene ethynylene) derivative containing cyano group as electron-transporting moiety was synthesized via Pd-catalyzed coupling reaction. The structures of the monomers and polymer were confirmed by spectroscopy. The polymer demonstrated a wide variation of solubility, optical absorption, electrical conductivity and electrochemical properties.
New monomers, possessing various alkyl substituents on propylene dioxypyrrole, were synthesized. The monomers could be easily polymerized to produce highly conductive and soluble polymers. The corresponding polymers showed excellent solubility, retaining electrochemical and optical properties of their parent polymer [poly(propylene dioxypyrrole)]. The conductivities of chemically prepared polymers were quite high in a range of 20 and $60\;Scm^{-1}$. Solubility of the polymer in a common organic solvent was as high as no polymer is deposited on an electrode. The redox potentials of the electrochemically prepared polymers revealed quite stable electro-activity during repeated redox switching up to 500 times. The optoelectrochemistry studies also showed distinct color changes of the polymers upon changing the doping state, indicating strong absorption peaks at 400~600 nm in reduced states and complete bleaching in fully oxidized states.
A model for the phonon dispersion relationship for cubic zinc sulfide structure, for example SiC, is developed in terms of two unknown force constants. Born model that incorporates bond bending and bond stretching, is used for the force constants. The force constants are determined by fitting to experimental data. Using only the nearest-neighbor coupling results in $6{\times}6$ sized dynamic matrix. The eigenvalues of dynamics matrix for each wavenumber in 3-D ${\kappa}$ space correspond to frequencies, 3 for optical phonon and 3 for acoustic phonon, which is so-called dispersion relation (${\kappa}$-${\omega}$). The density of state is determined by counting the states for each frequency bin, and the properties such as specific heat and thermal conductivity can be obtained. The specific heat is estimated on this model and compared with experiment and other models, i.e. Debye model, Einstein model and combined Debye-Einstein model. In spite of the simple bond potential model, reasonable agreements are found.
The discovery of carbon nanotubes(CNTs) has opened up exciting opportunities for the development of novel materials with desirable properties. The superior mechanical properties and excellent electrical conductivity make CNTs a good filler material for composite reinforcement. However, the dispersal of CNTs in a polymer solution or melt is difficult due to their tendency to agglomerate. Many attempts have been made to fully utilize CNTs for the reinforcement of polymeric media. Therefore, different types of polymer/CNTs nanocomposites have been synthesized and investigated. This paper reviews the current progress in the preparation, properties and application of polyamide/CNTs(nylon/CNTs) nanocomposites. The effectiveness of different processing methods has increased the dispersive properties of CNTs and the amelioration of their poor interfacial bonding. Moreover, the mechanical properties are significantly enhanced even with a small amount of CNTs. This paper also discusses how reinforcement with CNTs improves the electrical thermal and optical properties of nylon/CNTs nanocomposites.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.11a
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pp.234-234
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2003
Indium tin oxide(ITO) is an advanced ceramic material with many electronic and optical applications due to its high electrical conductivity and transparency to light ITO thin films are used in transparent electrodes for display devices, transparent coatings for solar energy heat mirrors and windows films in n-p heterojunction solar cells, etc. Almost all display devices were fabricated on transparent ITO electrode substrates. There are several factors that cause decay in the efficiency and the failure of display devices. The degradation or damage of ITO is one of the main factors. Under normal operating conditions, the electric fold required for the operation of display devices is very high As a high electric field induces the joule heat, the degradation of the ITO thin film may be expected. Therefore, it is worthy to investigate the thermal and electrical effect on ITO thin films.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.66
no.8
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pp.1236-1241
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2017
We deposited Al-doped ZnO (ZnO:Al) thin films on glass substrates ($200mm{\times}200mm$) by using in-line magnetron sputtering system. Effects of various deposition parameters such as working pressure, deposition power and substrate temperature on optoelectronic characteristics including surface-texture etching profiles were carefully investigated in this study. We found that relatively low working pressure and high deposition power offered to obtain enhanced conductivity and optical transmittance. Haze properties showed similar trend with the transmittance. Furthermore, surface-texture etching study exhibited good morphologies when the films were deposited at $200-300^{\circ}C$. On the basis of these optimizations, we could find the deposition region that produces highly transparent and conductive properties including efficient light scattering capability.
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