The rear side contact recombination in the crystalline silicon solar cell could be reduced by back surface field. We formed polycrystalline silicon as a back surface field through crystallization of amorphous silicon. A thin silicon oxide applied to the passivation layer. We used quasi-steady-state photoconductance measurement to analyze electrical properties with various annealing condition. And, blister formed on surface of wafer during the annealing process. We observed the blister after varied annealing process with wafer of various surface. Shape and density of blister is influenced by various annealing temperature and process time. As the annealing temperature became higher, the average diameter of blister is decreased and total number of blister is increased. The sample with the $600^{\circ}C$ annealing temperature and 1 min annealing time exhibited the highest implied open circuit voltage and lifetime. We predicted that the various shape and density of blister affects the lifetime and implied open circuit voltage.
In this paper, we report on the 10.33% efficient thin film/bulk tandem solar cells with the top cell made of amorphous silicon thin film and p-type bulk crystalline silicon bottom cell. The tunneling junction layers were used the doped nanocrystalline Si layers. It has to allow an ohmic and low resistive connection. For player and n-layer, crystalline volume fraction is ~86%, ~88% and dark conductivity is $3.28{\times}10-2S/cm$, $3.03{\times}10-1S/cm$, respectively. Optimization of the tunneling junction results in fill factor of 66.16 % and open circuit voltage of 1.39 V. The open circuit voltage was closed to the sum of those of the sub-cells. This tandem structure could enable the effective development of a new concept of high-efficiency and low cost cells.
In the region of high temperature, a very appreciable short-circuit current Is was observed from M1(A1)-P(PET)-M2(Cu) system sandwitched with hetero metals without applying external field. The short-circuit current Is is greatly dependent on electrode material and it has been certified by measuring open-circuit voltage. From these experimental results, we can see that Is is due to electro-chemical action in M-P interface. In this electro-chemical reaction,the generation reaction and the solution reacftion of the oxidies from electrode are probably co-exist and the measured values of the open-circuit voltage was almost correspond to those calculated from Nernst equation.
In this study, The cation exchange membrane and the anion exchange membrane affect in electrical conduction of metal fuel cell was investigated. Magnesium material as anode electrode and the NaCl solution dissolved with 5~15wt% as electrolyte were used for the metal fuel cell. It was found that magnesium slag where flows toward the air electrode was suppressed by using ion exchange membrane. The open circuit voltage variation during discharge has very flat pattern by using ion exchange membrane, but the case which is not the exchange membrane, the open circuit voltage increased according to time. When using the anion exchange membrane, the electric current was higher case of the cation exchange membrane, as a result of higher equivalent conductivity in anion Cl-. The cation exchange membrane was observed with the fact that the output power is excellent in compared with anion exchange membrane.
This is a thesis that 100W class open frame type power module of a quarter-brick size appropriate for telecommunication is reported. The input voltage is established between 36 and 75 in range in order for power module to be utilized for the telecommunication, and output were set at 3.3V and 30A. A number of parts used for transformer, inductor, and hit sink are composed of PCB in order for DC-DC converter to be lowered below 8 mm. A constant current control circuit was annexed to the system as well as basic protection prototypes such as over-voltage, over-current, and over-temperature were well considered to enhance more credibility, and were tested. As a result, high circuit performance and credibility turned out to be significant.
DAFC(direct alcohol fuel cell) takes the same structure and operational principle with PEMFC(Proton exchange membrane fuel cell). However, DAFC, which uses liquid alcohol instead of hydrogen as fuel, is able to be used as a portable power for small-scaled electronic devices such as MP3, PMP, and mobile phone because alcohol is quite convenient steady-state compound to carry and store it. This paper presents the OCV(open circuit voltage) characteristics of the cases which are alcohol species and different weight rate of ethanol, respectively. The OCV of methanol fuel cell is slightly higher 0.2V than ethanol one, and 8% wt. rate ethanol is rated as the most appropriate fuel for DAFC.
Superconducting fault current limiter (SFCL) provides the effect such as enhancement in power system reliability due to limiting fault current in a few miliseconds. The flux-lock type SFCL among various type SFCLs consists of two coils wound on the same iron core and a component using the YBCO thin film. In the SFCL, operation characteristics can be controlled by adjusting the inductances and the winding directions of the coils. In this paper, we investigated the various fault current limiting characteristics according to the voltage level. To analyze the current limiting performance, we compared operational characteristics on the subtractive polarity winding direction on in case of open-loop iron core.
철극형동기기를 무부하상태로 전환을 할때 갑지기 2상간에 단락이 돌발한 경우 다른 개로상단자에 유기되는 open-phase voltage의 과도상태를 구명하는데 본 논문의 목적이 있다. 우선 전기자전압의 직축분과 횡축분을 구하기 위하여 Blondel씨가 제창한 이론을 matrix form으로 전개하여 그의 기본전압방정식을 확립시키고 이어서 상간단락전류를 구해가지고 개로상단자에 유기되는 이상전압, 즉 open-phase voltage의 치를 e$_{a}$ =e$_{d}$cos.theta.-e$_{q}$ sin.theta.+e$_{0}$의 관계식에 의거해서 구해보자는 것이다. 논설상의 편의를 도모키 위해 몇가지 가정을 마련하는 것이 순서라고 본다. 제동권선이 없는 철극동기기를 취급하고 포화현상을 무시하며 직축상에 주계자가 존재하는것으로 간주하며, 전기자회로의 저항은 근소치임으로 시정수에 한애서만 영향을 주는 것 이외에는 계산상에서 이를 무시하고 역시 계산에 나오는 무든 양은 per-unit notation을 사용하고 영상분은 고려하지 않으며 대표적인 동기기정수를 x$_{d}$=0.78, x'$_{d}$=0.21, x$_{q}$ =0.48 및 E=1로 정해서 구명해보자는 것이다.
In this paper, a 1.5V CMOS high frequency operational amplifier for high frequency signal processing systems is presented. For obtaining the high gain and the high unity gain frequency with the 1.5V supply voltage, the op-amp is designed with simple two stages which are consisting of the rail-to-rail differential input stage and the class-AB output stage. The designed op-amp operates with the 1.5V supply voltage, and shows well the push-pull class-AB operation. The simulation results show the DC open loop gain of 77dB and the unity gain frequency of 100MHz for the 1㏁ ┃ 10pF load. When the resistive load R$_1$. is varied from 1㏁ to 1 ㏀, the DC open loop gain decreases by only 4dB.
The high-tc superconducting fault current limiters (SFCL) are studied worldwide to be classified as resistive type or inductive type such as magnetic shielding type and dc reactor type. This Paper deals with an open core type SFCL, a kind of magnetic shielding type SFCL. We manufactured a 30 kVA open core type SFCL. It was modified from the old one with a rated power of 8 kVA. We stacked four superconducting tubes as magnetic shielding material and used the same primary winding as the old one. The experiments were performed with a maximum source voltage of 1 kV. The results show that the fault current in the source voltage of 1 kVrms was reduced to be about 105 Apeak, which was calculated to be about 22 % of the fault current in the system without an SFCL.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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