• 제목/요약/키워드: One-step 연마법

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연마시스템에 따른 복합레진의 표면거칠기와 연마시간에 대한 평가 (The evaluation of surface roughness and polishing time between polishing systems)

  • 김예미;신수정;송민주;박정원
    • Restorative Dentistry and Endodontics
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    • 제36권2호
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    • pp.119-124
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    • 2011
  • 연구목적: 본 실험은 현재 임상에서 사용되고 있는 4가지 복합레진 연마 시스템의 연마 능력과 연마에 걸리는 시간을 평가하여 그 효율성을 알아보고자 하였다. 연구 재료 및 방법: 직경 4 mm, 높이 2 mm 의 테플론 몰드에 Z-250 (3M ESPE) 복합레진을 충전하고 양면을 슬라이드 글라스로 압접한 후 Optilux 501을 이용하여 각 면을 40초씩 중합하였다. 중합된 복합레진 디스크를 분리하고 #320 사포로 연마하여 동일한 거친면을 형성한 후 다음의 4가지 연마시스템을 이용하여 표면을 연마하였다: Sof-Lex (3M ESPE), Jiffy (Ultradent), Enhance (Dentsply/Caulk), and Pogo (Dentsply/Caulk). 연마된 면을 표면조도측정기를 이용하여 거칠기를 측정하고 연마에 소요된 시간을 측정하여 연마도와 효율성을 비교 평가하였다. 통계는 one-way ANOVA후 Duncan's multiple range test를 이용하여 군간의 비교를 하였다. 결과: 연마 후 표면조도는 Pogo에서 가장 낮게 나타났으며 Sof-Lex에서 가장 높게 나타났다. 연마에 소요된 시간은 Pogo에서 가장 짧게 걸렸으며 Sof-Lex, Enhance, Jiffy의 순으로 나타났다. 결론: One-step 연마 시스템인 Pogo는 복합레진의 연마에 있어 매우 짧은 시간에 매우 매끈한 면을 얻을 수 있는 것으로 나타나 수복물의 최종 연마에 매우 효율적으로 사용할 수 있는 것으로 평가되었다.

웨이퍼 레벨 Cu 본딩을 위한 Cu/SiO2 CMP 공정 연구 (Cu/SiO2 CMP Process for Wafer Level Cu Bonding)

  • 이민재;김사라은경;김성동
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제20권2호
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    • pp.47-51
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    • 2013
  • 본 연구에서는 웨이퍼 레벨 Cu 본딩을 이용한 3D 적층 IC의 개발을 위해 2단계 기계적 화학적 연마법(CMP)을 제안하고 그 결과를 고찰하였다. 다마신(damascene) 공정을 이용한 $Cu/SiO_2$ 복합 계면에서의 Cu dishing을 최소화하기 위해 Cu CMP 후 $SiO_2$ CMP를 추가로 시행하였으며, 이를 통해 Cu dishing을 $100{\sim}200{\AA}$까지 낮출 수 있었다. Cu 범프의 표면거칠기도 동시에 개선되었음을 AFM 관찰을 통해 확인하였다. 2단 CMP를 적용하여 진행한 웨이퍼 레벨 Cu 본딩에서는 dishing이나 접합 계면이 관찰되지 않아 2단 CMP 공정이 성공적으로 적용되었음을 확인할 수 있었다.