• Journal of Chest Surgery
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• 제42권5호
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• pp.576-587
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• 2009

배경: Nitric oxide (NO)-cGMP 신호전달체계의 상향 조절(up-regulation)이 급성심근경색 3일 후 흰쥐의 혈관반응성의 변화에 관여한다고 알려져 있으나 그 기전에 대해서는 명확히 규명되지 않았다. 대상 및 방법: 좌전하행관상동맥을 30분간 폐쇄한 후 급성심근경색을 유도한 군을 AMI군으로, 동일한 모의 수술(sham operation)을 하였으나 관상동맥을 폐쇄하지 않은 군을 SHAM군으로 하였다 AMI 혹은 SHAM수술 3일 후 흰쥐의 대동맥 고리절편(내피를 보존한 대동맥 절편을 E(+), 내피를 제거한 대동맥 절편을 E(-))에서 phenylephrine (PE), KCl, acetylcholine (Ach) 및 sodium nitroprusside (SNP)에 대한 농도-반응 관계를 측정하였다 AMI군의 E(+) 대동맥 절편에서 PE의 농도-반응 관계를 NO synthase (NOS) 억제제인 $N{\omega}$-nitro-L-arginine methyl ester (L-NAME)와 cyclooxygenase 억제제인 indomethacin으로 각각 전처치한 대동맥 절편과 비교하였다. 혈장 nitrite/nitrate 농도는 Griess reaction으로 측정하였고, 방사면역 분석법을 이용한 흉부 대동맥 절편의 cGMP정량과 real time PCR을 이용한 endothelial nitric oxide synthase (eNOS) mRNA 발현양상 측정을 하였다. 결과: AMI군에서의 심근경색의 평균 크기는 $21.3{\pm}0.62%$였다. AMI군에서 심박수와 수축기 및 이완기 혈압은 의미있는 변화가 없었다. E(+)와 E(-) 대동맥 절편에서 PE와 KCl에 대한 수축반응의 민감도는 AMI군 대동맥 절편에서 의미 있게 감소하였다(p<0.05). L-NAME은 이러한 수축반응을 완전하게 역전시켰으나 indomethacin은 효과가 없었다(p<0.05). 또한 AMI군에서 Ach에 대한 이완반응의 민감도가 의미 있게 감소하였다(p<0.05). AMI군에서 SHAM군에 비해 혈장 nitrite/nitrate 농도(p<0.05), 기저 cGMP 농도(p<0.05), 및 eNOS mRNA 발현양상(p=0.056)이 증가하였다. 결론: 이상의 결과들로 보아 eNOS의 발현 증가와 NO-cGMP 신호전달체계의 상향조절이 급성심근경색 3일 후 흰쥐 흉부대동맥에서의 수축 및 이완 반응성 감소의 원인으로 생각된다.

• 한국식품영양과학회지
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• 제40권9호
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• pp.1256-1264
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• 2011

시중에 유통되고 있는 조제분유의 지방산 및 TAG 조성을 알아보기 위하여 국내외 조제분유 총 11 품목을 선정하였고, Folch법을 이용하여 지방을 추출한 다음 총 지방산과 sn-2 위치의 지방산 및 silver ion HPLC를 이용한 단일불포화-포화-단일불포화 glycerol(MSM)의 조성을 분석하였다. 조제분유의 조지방의 함량은 17.21~23.51%이었고, 특히 K5의 조지방 함량이 23.51%로써 분석된 조제분유들 중에서 가장 높게 나왔으나, K1은 17.21%의 함량을 보이면서 가장 낮게 나타났다. 분석된 조제분유들의 주요 포화지방산은 lauric acid(C12:0), myristic acid(C14:0), palmitic acid(C16:0), stearic acid(C18:0)이었다. Lauric acid의 함량은 K5와 K6에서 19.49%와 23.34%로 분석되어 15%보다 높은 함량을 나타냈다. 한편, 분석된 조제분유의 palmitic acid의 함량은 7.59~21.65%의 범위로써 K2, K3, K6, F1에서 각각 14.64%, 8.29%, 13.47% 및 7.59%로써 낮은 함량을 나타냈다. 불포화 지방산들 중에서 단일불포화지방산(C14:1, myristoleic acid; C16:1, palmitoleic acid; C17:1, heptadecenoic acid; C18:1, oleic acid; C18:1t, elaidic acid)의 함량은 20.23~45.07%로 나타났고, 단일불포화지방산들 중에서 대부분을 구성하고 있는 지방산은 oleic acid(C18:1)이었다. 분석된 조제분유에서 oleic acid의 함량은 19.64~44.64%의 범위였고 총 다가불포화지방산은 19.08~29.67%의 범위였다. Omega-6 다가불포화지방산과 omega-3 다가불포화지방산의 주요한 지방산은 필수지방산인 linoleic acid(C18:2)와 linolenic acid(C18:3, n-3)로 분석된 조제분유의 비율은 10:1~13:1로, 조제분유의 지방산 조성에 대한 지표인 linoleic acid/linolenic acid의 비율인 5:1~15:1 범위 내였다. 분석한 조제분유들 중에서 sn-2 위치에서의 lauric acid 함량은 7.70~52.09%로 나타났고, myristic acid의 함량은 3.15~20.89%로써 분석된 조제분유들은 전반적으로 sn-2 위치에서의 lauric acid 함량이 20% 이상으로 높게 나타났다. 특히, 분석된 조제분유들의 sn-2 위치에 존재하는 palmitic acid의 함량은 1.84~38.74%의 범위로써 K8과 F3이 각각 38.55%와 38.90%의 높은 함량을 나타냈다. 따라서 대부분의 국내외 조제분유들을 구성하는 triacylglycerol(TAG)의 sn-2 위치에서의 palmitic acid 함량이 모유와 비교하였을 때 낮은 경향을 보임을 알 수 있었다. 이러한 조제분유보다 더 나아가 HPLC 분석을 통해서 모유의 주요 TAG 형태라고 할 수 있는 단일불포화-포화-단일불포화 glycerol(MSM)의 함량이 외국의 조제분유인 F3이 가장 높게 나타났다. 따라서 조제분유에 이러한 MSM 형태의 지방 함량을 높여야하며, MSM 형태의 모유대체지 연구를 산업화하려는 노력이 필요하다.

• Tuberculosis and Respiratory Diseases
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• 제43권3호
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• pp.420-433
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• 1996

연구 배경 : 기도의 신경성 염증에서 산화질소가 관여하는 것으로 알려져 있으나, 그 역할에 대해서는 논란이 많다. 본 연구는 기도 신경성 염증에 관여하는 산화질소의 역할을 보다 명확히 밝히고자 하였다. 방법 150-350gm의 백서를 이용하여 기도의 신경성 염증에서 신경단백질 수용체 차단제인 FK224와 산화질소 합성효소 억제제인 $N^{\omega}$-nitro-L-arginine (L-NNA) 의 혈장유출에 대한 효과를 먼저 확인하고, 기도 신경성 염증에 관여하는 산화질소가 기도의 신경말단에서만 유리되는 지 또는 신경성 염증에서 유리된 신경 단백질로 인하여 다른 폐장 조직 세포에서도 산화질소가 유리되는 지를 규명하기 위하여 산화질소 합성효소의 종류와 그 분포를 polyclonal anti-NOS antibody에 대한 면역화학효소법으로 확인하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 결과 : 백서의 기도 신경성 염증에서 신경단백질 수용체 차단제인 FK224는 혈장유출을 억제시키며 산화질소 합성효소 억제제인 L-NNA는 혈장유출을 증가시켰다(P<0.05). 기도 신경성 염증유발시 조직내 염증세포의 침윤은 증가되었으며, FK224로 전처치시 조직내의 염증세포의 침윤을 억제시켰다(P<0.05). 염증을 유발하는 것으로 알려진 유도형 산화질소 합성효소(iNOS)의 활성도는 침착된 염증세포에서만 유의하게 증가하였다(P<0.05). 염증을 억제하는 것으로 알려진 산화질소를 생성하는 구성형 산화질소 합성효소(cNOS)인 eNOS의 활성노는 혈관내피세포에서 증가하였으나 의미는 없었고, bNOS의 활성도는 신경성 염증에서 신경세포에서만 증가되었으며, FK224에 의해서도 bNOS의 활성도는 억제되지 않았다. 결론 : 기도의 신경성 염증에서 조직내 염증세포가 증가되며 iNOS에서 생성되는 산화질소가 주로 혈장유출에 관여하는 것으로 사료된다. FK224의 전처치는 염증세포의 조직내 침윤을 억제시키며, iNOS 의 활성도도 감소시켜 기도 혈장유출을 억제시키는 것으로 생각된다. 또한 기도의 신경성 염증에서 NANC신경에서도 산화질소가 유리됨을 알 수 있었으며, 기도 신경성 염증에서 산화질소 합성효소 억제제인 L-NNA로 혈장유출이 증가되는 것은 bNOS에서 유리되는 산화질소의 생성을 L-NNA가 억제시킬 수 있으므로 산화질소 합성효소 억제제가 기도 신경성 염증의 혈장유출을 증가시키는 데에 bNOS가 일부 작용할 것으로 생각되는 바이다.

• 한국농공학회지
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• 제12권3호
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• pp.2019-2028
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• 1970

1. 트랙터에 의(依)한 효율적(效率的) 경기방법(耕起方法)을 실험(實驗) 고찰(考察)하여 다음과 같은 결과(結果)를 얻었다. 가. 포장내측경기(圃場內側耕起)에 있어서 선회소요시간(旋回所要時間)을 최소(最少)하는 효율적(效率的) 선회법(旋回法)은 선회간격(旋回間隔)이 zr(r=최소선회반경(最少旋回半徑))보다 작을때는 Q 자형(字型), 클때는 U 자형(字型)이다. 나. 포장내측경기(圃場內側耕起)의 단위선회구(單位旋回區) 건(巾) w는 2.5r 시(時) 가장 효율적(效率的)이다. 다. 포장주변부(圃場周邊部) 경기(耕起)에 있어서는 W>-0.0345L + 35.84 시(時)는 혼합경법(混合耕法)이 능률적(能率的)이고 W<-0.0345 + 35.84 시(時)는 반접속경법(半接續耕法)이 능률적(能率的)이다. 라. 포장주변부(圃場周邊部)의 건(巾)l는 내측경기시(內側 耕起時)와 주변경기시(周邊耕起時)에 있어서 모두 적을수록 효과적임으로 최소치(最少値)인 2r가 가장 적합(適合)하다. 2. 트랙터에 의(依)한 단위포장(單位圃場)과 경기능률(耕起能率)과의 관계(關係)를 고찰(考察)하여 다음과 같은 결과(結果)를 얻었다. 가. 종횡비(縱橫比)$\frac{L}{W}$ 및 면적(面積) A가 크면 일반적(一般的)으로 경기능률(耕起能率)은 증가(增加)한다. 나. 경기능률(耕起能率)의 증가율(增加率)은 종횡비(縱橫比) 및 면적(面積)이 크면 클수록 증가율(增加率)이 점차적으로 감소(減少)한다. 다. $\frac{L}{W}-T$ 곡선(曲線)에서 $\frac{L}{W}$에 대(對)한 T의 변화(變化)가 큰 범위(範圍)는 대략(大略) 20a에서 6, 30a에서 5, 50a에서 4, 80a에서 3, 100a에서 2.5 이내(以內)이다. 라. T-A 곡선(曲線)의 변화율(變化率)은 $\frac{L}{W}$의 영향(影響)을 받으나 대략(大略) $T=A^{-\frac{2}{3}}$ 곡선(曲線)의 변화율(變化率)과 같다. 마. 종횡비(縱橫比)가 3이상(以上)일때는 면적(面積)의 크기에 상관(相關)없이 경기능률(耕起能率)에 미치는 10a 면적증가(面積增加)의 효과는 약(約) 5 정도(程度)의 종횡비(縱橫比) 증가효과와 같다. 바. 종횡비(縱橫比)가 $2{\sim}3$일때는 면적(面積)의 크기에 상관(相關)없이 경기능률(耕起能率)에 미치는 10a 면적증가(面積增加)의 효과는 약(約) $4{\sim}2$ 정도(程度)의 종횡비(縱橫比) 증가효과와 같으면 이는 종횡비(縱橫比)가 적을수록, 면적(面積)이 클수록 차차(次次) 감소(減少)한다.

• 한국재료학회지
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• 제21권5호
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• pp.277-282
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• 2011

Negative temperature coefficient (NTC) materials have been widely studied for industrial applications, such as sensors and temperature compensation devices. NTC thermistor thick films of $Ni_{1+x}Mn_{2-x}O_{4+{\delta}}$ (x = 0.05, 0, -0.05) were fabricated on a glass substrate using the aerosol deposition method at room temperature. Resistance verse temperature (R-T) characteristics of the as-deposited films showed that the B constant ranged from 3900 to 4200 K between $25^{\circ}C$ and $85^{\circ}C$ without heat treatment. When the film was annealed at $600^{\circ}C$ 1h, the resistivity of the film gradually decreased due to crystallization and grain growth. The resistivity and the activation energy of films annealed at $600^{\circ}C$ for 1 h were 5.203, 5.95, and 4.772 $K{\Omega}{\cdot}cm$ and 351, 326, and 299 meV for $Ni_{0.95}Mn_{2.05}O_{4+{\delta}}$, $NiMn_2O_4$, and $Ni_{1.05}Mn_{1.95}O_{4+{\delta}}$, respectively. The annealing process induced insulating $Mn_2O_3$ in the Ni deficient $Ni_{0.95}Mn_{2.05}O_{4+{\delta}}$ composition resulting in large resistivity and activation energy. Meanwhile, excess Ni in $Ni_{1.05}Mn_{1.95}O_{4+{\delta}}$ suppressed the abnormal grain growth and changed $Mn^{3+}$ to $Mn^{4+}$, giving lower resistivity and activation energy.

• Progress in Superconductivity
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• 제6권1호
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• pp.74-78
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• 2004

YBCO coated conductor is one of the most promising materials as a new generations wire especially for practical power applications. In this work, $YBa_2$$Cu_3$$O_{7}$ -$\delta$/(YBCO) coated conductors (CC) were deposited by pulsed laser deposition (PLD) from buffer layers to superconducting layer on hi-axially textured metal tape. The oxide multilayer buffered substrate of architectures of $CeO_2$/$YSZ/Y_2$$O_3$ was fabricated by PLD at steady status. Then YBCO layer was deposited on RABiTS substrate by stationary and reel-to-reel (R2R) continuous process and we compared with deposition conditions of both processes. The degree of texture of each layer was investigated using X-ray diffraction including $\theta$-2$\theta$ scans, $\omega$-scans and $\Phi$-scans analysis. Their surface morphology was observed by scanning electron microscopy (SEM). The FWHM of the X-ray $\Phi$-scans and $\Phi$-scans indicated that YBCO and buffer layers closely replicate the in-plane and out-of-plane texture of metal tape. Critical current (Ic) at 77 K, self-field of 75.8 A/cm-width, critical temperature (Tc) of 85 K, and critical current density (Ic) of 3.7 MA/$\textrm{cm}^2$ were measured from coated conductor deposited by stationary process. And coated conductor deposited by R2R continuous process had Ic of 57.5 A/cm-width, Tc of 86.5 K and Jc of 2.0 MA/$\textrm{cm}^2$. The film also exhibits a homogeneous and dense surface morphology.

• 한국세라믹학회지
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• 제44권12호
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• pp.740-746
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• 2007

The potential candidates for IT-SOFCs cathode materials, $Ba_{0.5}Sr_{0.5}Co_{0.8}Fe_{0.2}O_{3-{\delta}}$ (BSCF) and $La_{0.6}Ba_{0.4}Co_{0.2}Fe_{0.8}O_{3-{\delta}}$ (LBCF) powders, were synthesized by a EDTA-citrate combined method from $Sr(NO_3)_2$, $Ba(NO_3)_2$, $La(NO_3)_3{\cdot}6H_2O$, $Co(NO_3)_2{\cdot}6H_2O$, $Fe(NO_3)_3{\cdot}9H_2O$, citric acid and $EDTA-NH_3$. The cathode performance of symmetrical electrochemical cells consisting of BSCF-GDC or LBCF-GDC composite electrodes and a GDC electrolyte was investigated using by AC impedance spectroscopy at the temperature range of 500 to $700^{\circ}C$. It was found that a single phase perovskite could be successfully synthesized when the precursor is heated at $850^{\circ}C$ for 2 h. Due to thermal expansion mismatch between BSCF and GDC, the composite cathodes with lower GDC content than 45 wt% were peeled off from the GDC electrolyte and their electrode polarization resistance was estimated to be high. The thermal expansion coefficient of BSCF-GDC composites was decreased with increasing the GDC content and the electrode peeling off did not occur in BSCF-45 and 55 wt% GDC composites. BSCF-45 wt% GDC composite electrode showed the lowest area specific resistances (ASR) of 0.15 and $0.04{\Omega}{\cdot}cm^2$ at 600 and $700^{\circ}C$, respectively. On the other hand, LBCF-GDC composite cathodes showed higher ASR than the BSCF-45 and 55 wt% GDC and their cathode performance were decreased with the GDC content.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.418-418
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• 2008

The electrochemical etching of silicon in HF-based solutions is known to form various types of porous structures. Porous structures are generally classified into three categories according to pore sizes: micropore (below 2 nm in size), mesopore (2 ~ 50 nm), and macropore (above 50 nm). Recently, the formation of macropores has attracted increasing interest because of their promising characteristics for an wide scope of applications such as microelectromechanical systems (MEMS), chemical sensors, biotechnology, photonic crystals, and photovoltaic application. One of the promising applications of macropores is in the field of MEMS. Anisotropic etching is essential step for fabrication of MEMS. Conventional wet etching has advantages such as low processing cost and high throughput, but it is unsuitable to fabricate high-aspect-ratio structures with vertical sidewalls due to its inherent etching characteristics along certain crystal orientations. Reactive ion dry etching is another technique of anisotropic etching. This has excellent ability to fabricate high-aspect-ratio structures with vertical sidewalls and high accuracy. However, its high processing cost is one of the bottlenecks for widely successful commercialization of MEMS. In contrast, by using electrochemical etching method together with pre-patterning by lithographic step, regular macropore arrays with very high-aspect-ratio up to 250 can be obtained. The formed macropores have very smooth surface and side, unlike deep reactive ion etching where surfaces are damaged and wavy. Especially, to make vertical microwire or nanowire arrays (aspect ratio = over 1:100) on silicon wafer with top-down photolithography, it is very difficult to fabricate them with conventional dry etching. The electrochemical etching is the most proper candidate to do it. The pillar structures are demonstrated for n-type silicon and the formation mechanism is well explained, while such a experimental results are few for p-type silicon. In this report, In order to understand the roles played by the kinds of etching solution and mask patterns in the formation of microwire arrays, we have undertaken a systematic study of the solvent effects in mixtures of HF, dimethyl sulfoxide (DMSO), iso-propanol, and mixtures of HF with water on the structure formation on monocrystalline p-type silicon with a resistivity with 10 ~ 20 $\Omega{\cdot}cm$. The different morphological results are presented according to mask patterns and etching solutions.

• 수산해양기술연구
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• 제34권3호
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• pp.274-282
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• 1998

그물실의 직경과 발 길이의 비율 d/l이 선망의 침강 운동에 어떤 영향을 끼칠 것인가를 해명하기 위해서 그물실의 직경은 0.45mm(PES 28 tex${\times}$2${\times}$2)의 것으로 모두 같고, 발 길이는 4.3, 5.0, 5.5, 6.0, 6.6 및 7.7mm로 각각 다르게 편망된 6종류의 무결절 그물감을 사용해서 뜸줄의 길이 450cm, 그물의 폭 85cm가 되도록 제작하고 뜸 160g과 발돌 50g을 매달아서, 각각 I,II,III,IV,V및 Ⅵ형 그물이라고 했다. 회류 수조의 수로 상에 투망 장치를 설치해서 정지 상태의 수중에 선망 그물을 투망하고 상방과 측면에 설치한 비디오 카메라를 사용하여 그물의 침강과정을 촬영 톡화했으며, 그물에 표시한 측정점의 좌표를 화상 해석 장치로 읽고 실험 값을 구했다. 그리고, Runge-Kutta-Gill법에 의한 연립 미분방정식 해법을 이용하여 수치 해석을 행하였으며, 그 결과는 다음과 같다. 1.그물 아랫자락의 침강속도는 d/l이 가장 작은 Ⅵ형 그물이 가장 빠르고, V,IV,III,II및 I형 그물 순으로 늦게 나타났다. 2.그물 벽에 대한 저항 계수는 d/l의 크기에 의존하여 $K{\arg}$=0.081$(d/l)^-0.5$의 관계식으로 나타낼 수 있었다. 3.그물 다발의 저항 계수는 d/l의 크기에 의존하지 않은 $C_R=0.91(\frac{p}{$p_u$})$의 관계식으로 나타낼 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.163-163
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• 2010

중적외선 영역 ($3{\sim}5\;{\mu}m$)은 공기 중에 존재하는 이산화탄소나 수증기에 의해 흡수가 일어나지 않기 때문에 군사적으로 중요한 파장 영역이며, 야간에 적을 탐지하는데 응용되고 있다. InSb는 77 K에서 중적외선 파장 흡수에 적합한 밴드갭 에너지 (0.228 eV)를 갖고 있으며, 다른 화합물 반도체와 달리 전하 수송자 이동도 (전자: $10^6\;cm^2/Vs$, 정공: $10^4\;cm^2/Vs$)가 매우 빠르기 때문에 적외선 화상 감지기 재료로 매우 적합하다. 또한 현재 중적외선 영역대에서 널리 사용되는 HgCdTe (MCT)와 대등한 소자 성능을 나타냄과 동시에 낮은 기판 가격, 소자의 제작 용이성 때문에 MCT를 대체할 물질로 주목 받고 있다. 하지만, 기판과 절연막의 계면에 존재하는 결함 때문에 에너지 밴드갭 내에 에너지 준위를 형성하여 높은 누설 전류 특성을 보인다. 따라서 InSb 적외선 소자의 구현을 위하여 고품질의 절연막의 연구가 필수적이라고 할 수 있겠다. 절연막의 특성을 알아보기 위해, n형 InSb 기판에 플라즈마 화학 기상 증착법 (PECVD)을 이용하여 $SiO_2$, $Si_3N_4$를 증착하였으며, 증착 온도를 $120^{\circ}C$에서 $240^{\circ}C$까지 $40^{\circ}C$ 간격으로 변화하여 증착온도가 미치는 영향에 대하여 알아보았다. 절연막과 기판의 계면 특성을 분석하기 위하여 77 K에서 커패시턴스-전압 (C-V) 분석을 하였으며, 계면 트랩 밀도는 Terman method를 이용하여 계산하였다 [1]. $Si_3N_4$를 증착하였을 경우, $120{\sim}240^{\circ}C$의 증착 온도에서 $2.4{\sim}4.9{\times}10^{12}\;cm^{-2}eV^{-1}$의 계면 트랩 밀도를 가졌으며, 증착 온도가 증가할수록 계면 트랩 밀도가 증가하는 경향을 보였다. 또한 모든 증착 온도에서 flat band voltage가 음의 전압으로 이동하였다. $SiO_2$의 경우 $120{\sim}200^{\circ}C$의 증착온도에서 $7.1{\sim}7.3{\times}10^{11}\;cm^{-2}eV^{-1}$의 계면 트랩 밀도 값을 보였으나, $240^{\circ}C$ 이상에서 계면 트랩밀도가 $12{\times}10^{11}\;cm^{-2}eV^{-1}$로 크게 증가하였다. $SiO_2$ 절연막을 사용함으로써, $Si_3N_4$ 대비 약 25% 정도 낮은 계면 트랩 밀도를 얻을 수 있었으며, 모든 증착 온도에서 양의 전압으로 flat band voltage가 이동하였다. 두 절연막에 대한 계면 트랩의 원인을 분석하기 위하여 XPS 측정을 진행하였으며, 깊이에 따른 조성 분석을 하였다. 본 실험에서 최적화된 $SiO_2$ 절연막을 이용하여 InSb 소자의 pn 접합 연구를 진행하였다. Be+ 이온 주입을 진행하고, 급속열처리(RTA) 공정을 통하여 p층을 형성하였다. -0.1 V에서 16 nA의 누설 전류 값을 보였으며, $2.6{\times}10^3\;{\Omega}\;cm^2$의 RoA (zero bias resistance area)를 얻을 수 있었다.