Ham, Kahyun;Chung, Sunki;Choi, Mihwa;Yang, Seugran;Lee, Jaeyoung
Applied Chemistry for Engineering
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v.30
no.4
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pp.493-498
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2019
In polymer exchange membrane fuel cells, it is crucial to fabricate a highly active and thin Pt catalyst layer for the smooth mass transport of dissolved oxygen and water. Although a highly loaded platinum (Pt) catalyst based on the hydrothermal synthesis has been reported in several studies, its growing behaviors and kinetics were yet to be understood. In this study, we investigated the growth of Pt crystal in suspension after the reduction step depending on a stirring time and evaluated the electrochemical activity. For only a couple of hours in the early stage, Pt colloids were adsorbed on the Pt-carbon catalyst and the Pt crystal was grown. After that, the small Pt colloid was formed by another nucleation step, which did not involve the growth of Pt crystal. We reveal that the Pt-Carbon catalyst with stirring for 6 h showed a high activity toward the oxygen reduction reaction.
Highly-siliceous dealuminated zeolite, silicalite(end member of ZSM-5) was synthesized from a batch composition of 2.55 $Na_2O-5.0$ TPABr-$100SiO_2-2800H_2O $ at $180^{\circ}C$ and at times ranging from one to seven days of reaction time. Autoclaves containing the synthesis mixture were centrifuged within the specially-equipped convection oven to provide an elevated gravitational force field like 30 and 50 G. Tests were also conducted at normal gravity. For synthesis performed under elevated gravities, average and maximum crystal sizes were substantially greater than those synthesized under normal gravity and product yields were also found to be affected by elevated gravity ; that is, product yields were substantially enhanced under elevated gravity from 4 % to 55 % with respect to normal gravity. The average crystal sizes of silicalite synthesized at normal gravity were 50 to $70{\mu}m$ over an entire range of reaction time, one to seven days while the average crystal sizes synthsized under elevated gravities, 30 and 50 G, were 160 to $190{\mu}m$ respectively. For the elevated gravity, in particular, two separate nucleations and growths were observed. For examples, at 50G, large crystals of $200{\mu}m$ were produced through the second growing stage after 5 days of reaction following the rapid first growing stage where fairly large crystals of $135{\mu}m$ were produced only in 2 days of reaction. The maximum crystal sizes obtained through the above two growing stages were 190 and $300{\mu}m$, respectively. A discussion of how elevated gravity affects nucleation, growth, yield and crystal size of silicalite is presented.
Introduction of the buffer layer and the nitridation of a sapphire substrate were one of the most general methods employed for the reduction of lattice defects in GaN thin films Brown on sapphire by MOCVD. In an effort to improve the initial nucleation and growth condition of the GaN, reactive ion beam (RIB) of nitrogen treatment of the sapphire surface has been attempted. The 10 nm thick, amorphous $AlO_xN_y$ layer was formed by RIB and was partially crystallized alter the main growth of GaN at high temperature, leaving isolated amorphous regions at the interface. The beneficial effect of amorphous layer at interface in relieving the thermal stress between substrate and GaN film was examined by measuring the lattice strain value of the GaN film grown with and without the RIB treatment. Higher order Laue zone pattern (HOLZ) of $[\bar{2}201]$ zone axis was compared with simulated patterns and lattice strain was estimated It was confirmed that the great reduction of thermal strain was achieved by RIB process and the amount of thermal stress was 6 times higher in the GaN film grown by conventional method without the RIB treatment.
Kim, Jinse;Nam, Soyoung;Jung, Hyun Kyung;Son, Jae Yong;Choi, Dong Soo;Kim, Yong Hoon;Lee, Soo Jang;Park, Chun Wan;Kim, Ha Yoon;Park, Seok Ho
Food Engineering Progress
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v.23
no.4
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pp.270-277
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2019
Commercial direct refrigerators have good energy efficiency, but are difficult to use for supercooled storage due to their large temperature deviation. Placing insulators and conductors inside the refrigerator could reduce these temperature deviations to within 0.3 degrees, allowing for the supercooled storage. The supercooled storage of salted Chinese cabbages during ten weeks was progressed to compare the other low temperature storages. The nucleation temperatures of salted Chinese cabbage were around -2.5℃ and the freezing points were around -0.4℃, so -2℃ was selected for the supercooled storage. The growth rate of lactic acid bacteria and yeast at -2℃ storage was lower than that at 2℃ storage. The reducing sugar was maintained higher due to the growth rate of lactic acid bacteria. The supercooled storage had an effect of delaying the fermentation of the salted Chinese cabbage, which may have the effect of delaying the fermentation of kimchi. This enhancement method of the direct refrigerator was effective for the supercooled storage and would be promising for commercial use.
Granitic rocks in the Cheongsan area cosist of three plutons-Baegrog granodiorite, Cheongsan porphyritic granite, and two mica granite. Amphilboles from the Baegrog granodiorite belong to the calcic amphilbole group and show compositional variations from magnesio-hornblende in the core to actinolitic hornblende in the rim. Biotites from the three granites represent intermediate compositions between phlogopite and annite. Muscovites from the two mica granite are considered to be primary muscovite in terms of the occurrence and mineral chemistry. Each granitic rock reveals systematic variation of major oxide contents with $SiO_2$. Major oxide variation trends of the Baegrog granodiorite are fairly different from those of Cheongsan porphyritic granite and two mica granite. The latter two granitic rocks are also different with each other in variation trends for some oxides. Thus three granitic rocks in the Cheongsan area were solidifield from the independent magmas of chemically different, heterogeneous origin. The granitic rocks in the area show calc-alkaline nature. The whole rock geochemistry shows that the Baegrog granodiorite and Cheongsan porphyritic granite belong to metaluminous, I-type granite, whereas the two mica granite to peraluminous, I/S-type granite. The opaque mineral contents and magnetic susceptibility represent that the granitic rocks in the area are ilmenite-series granite, indicating that each magma was solidified under relatively reducing environment. The tectonic environment of the granitic activity in the area seems to have been active continental margin. Alkali feldspar megacryst in the Cheongsan porphyritic granite is considered to be magmatic, judging from the crystal size, shape, arrangement, and distribution pattern of inclusions. The petro-graphical characteristics of the Cheongsan porphyritic granite can be explained by two stage crystallization. Under the smaller degree of undercooling the alkali feldspar megacrysts rapidly grew owing to slow rate of nucleation and fast growth rate. At the larger degree of undercooling the nucleation rate and density drastically increased and the small crystals of the matrix were formed.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.77-77
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2016
Thin films synthesized by plasma processes have been widely applied in a variety of industrial sectors. The structure control of thin film is one of prime factor in most of these applications. It is well known that the structure of this film is closely associated with plasma parameters and species of plasma which are electrons, ions, radical and neutrals in plasma processes. However the precise control of structure by plasma process is still limited due to inherent complexity, reproducibility and control problems in practical implementation of plasma processing. Therefore the study on the fundamental physical properties that govern the plasmas becomes more crucial for molecular scale control of film structure and corresponding properties for new generation nano scale film materials development and application. The thin films are formed through nucleation and growth stages during thin film depostion. Such stages involve adsorption, surface diffusion, chemical binding and other atomic processes at surfaces. This requires identification, determination and quantification of the surface activity of the species in the plasma. Specifically, the ions and neutrals have kinetic energies ranging from ~ thermal up to tens of eV, which are generated by electron impact of the polyatomic precursor, gas phase reaction, and interactions with the substrate and reactor walls. The present work highlights these aspects for the controlled and low-temperature plasma enhanced chemical vapour disposition (PECVD) of Si-based films like crystalline Si (c-Si), Si-quantum dot, and sputtered crystalline C by the design and control of radicals, plasmas and the deposition energy. Additionally, there is growing demand on the low-temperature deposition process with low hydrogen content by PECVD. The deposition temperature can be reduced significantly by utilizing alternative plasma concepts to lower the reaction activation energy. Evolution in this area continues and has recently produced solutions by increasing the plasma excitation frequency from radio frequency to ultra high frequency (UHF) and in the range of microwave. In this sense, the necessity of dedicated experimental studies, diagnostics and computer modelling of process plasmas to quantify the effect of the unique chemistry and structure of the growing film by radical and plasma control is realized. Different low-temperature PECVD processes using RF, UHF, and RF/UHF hybrid plasmas along with magnetron sputtering plasmas are investigated using numerous diagnostics and film analysis tools. The broad outlook of this work also outlines some of the 'Grand Scientific Challenges' to which significant contributions from plasma nanoscience-related research can be foreseen.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.19
no.2
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pp.67-72
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2012
In recent days, the wire width of IC is narrowed and the degree of integration of IC is increased to obtain the higher capacity of the devices in electronic industry. And then the surface quality of FCCL(Flexible Copper Clad Laminate) became increasingly important. Surface defects on FCCL are bump, scratch, dent and so on. In particular, bumps cause low reliability of the products. Even though there are bumps on the surface, if leveling characteristic of plating solution is good, it does not develop significant bump. In this study, the leveling characteristics of additives are investigated. The objective of study is to improve the leveling characteristic and reduce the surface step through additives and plating conditions. The additives in the electrodeposition bath are critical to obtain flat surface and free of defects. In order to form flat copper surface, accelerator, suppressor and leveler are added to the stock solution. The reason for the addition of leveler is planarization surface and inhibition of the formation of micro-bump. Levelers (SO(Safranin O), MV(Methylene Violet), AB(Alcian Blue), JGB(Janus Green B), DB(Diazine Black) and PVP(Polyvinyl Pyrrolidone) are used in copper plating solution to enhance the morphology of electroplated copper. In this study, the nucleation and growth behavior of copper with variation of additives are studied. The leveling characteristics are analyzed on artificially fabricated Ni bumps.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.10
no.3
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pp.29-35
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2003
The Sn-based lead-free solders with varying microstructure were prepared by changing the cooling rate from the melt. Bulky as-cast SnAg, SnAgCu, and SnCu, alloys were cold rolled and thermally stabilized before the creep tests so that there would be very small amount of microstructural change during creep (TS), and thin specimens were water quenched from the melt (WQ) to simulate microstructures of the as-reflowed solders in flip chips. Cooling rates of the WQ specimens were 140∼150 K/sec, and the resultant $\beta-Sn$ globule size was 5∼10 times smaller than that of the TS specimens. Subsequent creep tests showed that the minimum strain rate of TS specimens was about $10_2$ times higher than that of the WQ specimens. Fractographic analyses showed that creep rupture of the TS-SnAgCu specimens occurred by the nucleation of voids on the $Ag_3Sn$ Sn or $Cu_6Sn_5$ particles in the matrix, their subsequent growth by the power-law creep, and inter-linkage of microcracks to form macrocracks which led to the fast failure. On the other hand, no creep voids were found in the WQ specimens due to the mode III shear rupture coming from the thin specimens geometry.
Metal-organic frameworks (MOFs) are nanoporous materials that consist of organic and inorganic moieties, with well-defined crystalline lattices and pore structures. With a judicious choice of organic linkers present in the MOFs with different sizes and chemical groups, MOFs exhibit a wide variety of pore sizes and chemical/physical properties. This makes MOFs extremely attractive as novel membrane materials for gas separation applications. However, the synthesis of high-quality MOF thin films and membranes is quite challenging due to difficulties in controlling the heterogeneous nucleation/growth and achieving strong attachment of films on porous supports. Microwave-based synthesis technology has made tremendous progress in the last two decades and has been utilized to overcome some of these challenges associated with MOF membrane fabrication. The advantages of microwaves as opposed to conventional synthesis techniques for MOFs include shorter synthesis times, ability to achieve unique and complex structures and crystal size reductions. Here, we review the recent progress on the synthesis of MOF thin films and membranes with an emphasis on how microwaves have been utilized in the synthesis, improved properties achieved and gas separation performance of these films and membranes.
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.31
no.6
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pp.23-29
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2003
Transonic two-phase flow of Saturated humid air, in which relative humidity is 100%, with various condensation processes around thin airfoils is investigated. The study uses an extended transonic small-disturbance(TSD) model of Rusak and Lee [11, 12] which includes effects of heat addition to the flow due to condensation. Two possible limit types of condensation processes are considered. In the nonequilibrium and homogeneous process, the condensate mass fraction is calculated according to classical nucleation and droplet growth rate models. In the equilibrium process, the condensate mass fraction is calculated by assuming an isentropic process. The flow and condensation equations are solved numerical1y by iterative computations. Results under same upstream conditions describe the flow structure, field of condensate, and pressure distribution on airfoil's surfaces. It is found that flow characteristics, such as position and strength of shock waves and airfoil’s pressure distribution, are different for the two condensation processes. Yet, in each case, heat addition as a result of condensation causes significant changes in flow behavior and affects the aerodynamic performance of airfoils.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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