• 한국전자파학회논문지
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• 제13권6호
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• pp.582-589
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• 2002

본 논문에서는 스위칭 소자인 beam lead 형태의 pin 다이오드대신에 저가인 증폭기용 HEMT를 스위칭소자로 하여 12 GHz 대역에서 동작하는 일정 삽입 손실의 5-비트 디지털 반사형 위상 변위기를 설계 및 제작한다. 기존의 이상적인 스위칭소자에 기초한 이론에 의해 설계할 때 필연적인 HEMT소자의 on, off시 큰 삽입손실차는 특정한 길이의 전송선로를 우선 스위칭 소자에 연결하여 HEMT소자의 on, off시 임피던스를 변환한 후 기존의 방식대로 설계하는 방법에 의해 제거할 쑤 있었다. 제작된 위상변위기는 설계 주파수인 12.2GHz - 12.7GHz 대역내 32단계의 스위칭 상태에서 삽입손실이 -4.5dB에서 -6dB 범위에 있으며 특히 전 단계에서 삽입 손실의 변화량이 1.5 dB 이내로 양호한 특성을 가져 본 논문에서 처음 시도한 임피던스 변환용 전송선에 의한 삽입 손실차 제거방법의 타당성을 확인할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제30권4호
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• pp.214-217
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• 2017

An IGBT (insulated gate bipolar transistor) device has an excellent current-conducting capability. It has been widely employed as a switching device to use in power supplies, converters, solar inverters, and household appliances or the like, designed to handle high power. The aim with IGBT is to meet the requirements for use in ideal power semiconductor devices with a high breakdown voltage, an on-state voltage drop, a high switching speed, and high reliability for power-device applications. In general, the concentration of the drift region decreases when the breakdown voltage increases, but the on-resistance and other characteristics should be reduced to improve the breakdown voltage and on-state voltage drop characteristics by optimizing the design and structure changes. In this paper, using the T-CAD, we designed the NPT-IGBT (non punch-through IGBT) and FS-IGBT (field stop IGBT) and analyzed the electrical characteristics of those devices. Our analysis of the electrical characteristics showed that the FS-IGBT was superior to the NPT-IGBT in terms of the on-state voltage drop.