• 제목/요약/키워드: Noise figure

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잡음지수분석기의 새로운 교정방법과 잡음상관행렬 측정 (Novel Calibration Method of Noise Figure Analyzer and Measurement of Noise Correlation Matrix)

  • 이동현;염경환
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제29권7호
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    • pp.491-499
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    • 2018
  • 잡음지수분석기의 일반적인 교정방법은 잡음전원을 이용하는 방법이다. 이 방법은 교정 시 잡음전원과 잡음지수분석기의 부정합을 고려하지 않기 때문에 측정결과에서 심각한 불규칙 리플을 동반한다. 본 논문에서는 잡음전원과 잡음지수분석기의 부정합을 모두 고려한 새로운 잡음지수분석기의 교정 및 이를 이용한 새로운 잡음상관행렬 측정방법을 제안한다. 제안하는 방법은 uncorrected 잡음전력을 이용, 교정하지 않은 잡음지수분석기의 이득과 잡음상관행렬을 결정하였다. 그리고 결정된 이득과 잡음상관행렬을 이용, DUT에 대한 잡음상관행렬 측정결과에서 잡음지수분석기의 영향을 교정하였다. 제안된 방법을 통해, 측정된 DUT의 잡음파라미터는 상대적인 잡음비를 이용한 측정 결과와 같은 정도의 불규칙 리플을 보였다.

65nm CMOS 기술에서의 cascode기반 LNA 잡음지수 분석 (Noise analysis of cascode LNA with 65nm CMOS technology)

  • Jung, Youngho;Koo, Minsuk
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제24권5호
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    • pp.678-681
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    • 2020
  • In this paper, we analyzed the noise figure of cascode low noise amplifier (LNA) based on the measured data of 65nm CMOS devices. By using the channel thermal noise model of transistors, we expanded noise figure equation and divided the equation into three parts to see its contributions to noise figure. We also varied design parameters such as bias point, transistor gate width, and operating frequency. Our results show that different noise sources dominate at the different operating frequencies. One can easily find the noise transition frequency with device models in ahead of the practical design. Therefore, this research provides a low noise design approach for different operating frequencies.

On-Chip 나선형 인덕터의 품질계수 향상을 통한 저잡음 RF 전치부 설계 (A Design of Low Noise RF Front-End by Improvement Q-factor of On-Chip Spiral Inductor)

  • 고재형;정효빈;최진규;김형석
    • 전기학회논문지
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    • 제58권2호
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    • pp.363-368
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    • 2009
  • In the paper, we confirmed improvement Noise figure of the entire RF front-end using spiral inductor with PGS(Patterned Ground Shield) and current bleeding techniques. LNA design is to achieve simultaneous noise and input matching. Spiral inductor in input circuit of LNA inserted PGS for betterment of Q-factor. we modeling inductor using EM simulator, so compared with inductor of TSMC 0.18um. We designed and simulation the optimum structure of PGS using Taguchi's method. We confirmed enhancement of noise figure at LNA after substituted for inductor with PGS. Mixer designed using current bleeding techniques for reduced noise. We designed LNA using inductor with PGS and Mixer using current bleeding techniques, so confirmed improvement of noise figure.

비행탑재용 레이다의 코히어런트 송수신단 설계 및 잡음지수 해석 (Design and Noise Figure Analysis of Coherent Transceiver for Airborne Radar)

  • 우덕제;김상중;이택경
    • 한국항행학회논문지
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    • 제8권1호
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    • pp.38-47
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    • 2004
  • 레이다에서 도플러 측정과 MTI(Moving Targer Indicator), 고해상도 등의 기능을 수행하기 위해서는 송신 및 수신회로 전체가 코히어런트 시스템으로 동작하여야 한다. 본 논문에서는 코히어런트로 동작하는 레이다의 송수신단을 설계하기위해 TWTA(Traveling Wave Tube Amplifier)와 STALO(Stable Local Oscillator) 및 COHO(Coherent Oscillator)를 사용하였으며, 설계된 수신단에서의 잡음지수를 계산하였다. 계산된 잡음지수로 레이다 방적식을 이용하여 각 송신모드별로 최대 탐지 거리를 산출하였다.

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CMOS 능동 인덕터를 이용한 동조가능 저잡음 증폭기의 잡음성능 향상에 관한 연구 (Study on Noise Performance Enhancement of Tunable Low Noise Amplifier Using CMOS Active Inductor)

  • 성영규;윤경식
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제15권4호
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    • pp.897-904
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    • 2011
  • 본 논문에서는 CMOS 능동 인덕터를 이용하여 1.8GHz PCS 대역과 2.4GHz WLAN 대역에서 동조가 가능한 저잡음 증폭기의 새로운 회로구조를 제안하였다. CMOS 능동 인덕터 부하를 이용하는 저잡음 증폭기의 높은 잡음지수를 줄이기 위한 회로구조와 잡음지수를 더욱 감소시키기 위한 잡음상쇄기법을 적용하고 해석하였다. 이 동조가능 저잡음 증폭기를 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정기술로 시뮬레이션을 수행한 결과는 잡음성능이 약 3.4dB 향상된 것을 보여주며, 이는 주로 제안된 새로운 회로구조에 기인한다.

Millimeter Wave MMIC Low Noise Amplifiers Using a 0.15 ${\mu}m$ Commercial pHEMT Process

  • Jang, Byung-Jun;Yom, In-Bok;Lee, Seong-Pal
    • ETRI Journal
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    • 제24권3호
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    • pp.190-196
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    • 2002
  • This paper presents millimeter wave monolithic microwave integrated circuit (MMIC) low noise amplifiers using a $0.15{\mu}m$ commercial pHEMT process. After carefully investigating design considerations for millimeter-wave applications, with emphasis on the active device model and electomagnetic (EM) simulation, we designed two single-ended low noise amplifiers, one for Q-band and one for V-band. The Q-band two stage amplifier showed an average noise figure of 2.2 dB with an 18.3 dB average gain at 44 GHz. The V-band two stage amplifier showed an average noise figure of 2.9 dB with a 14.7 dB average gain at 65 GHz. Our design technique and model demonstrates good agreement between measured and predicted results. Compared with the published data, this work also presents state-of-the-art performance in terms of the gain and noise figure.

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Gate-to-Drain Capacitance Dependent Model for Noise Performance Evaluation of InAlAs/InGaAs Double-gate HEMT

  • Bhattacharya, Monika;Jogi, Jyotika;Gupta, R.S.;Gupta, Mridula
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제13권4호
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    • pp.331-341
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    • 2013
  • In the present work, the effect of the gate-to-drain capacitance ($C_{gd}$) on the noise performance of a symmetric tied-gate $In_{0.52}Al_{0.48}As/In_{0.53}Ga_{0.47}As$ double-gate HEMT is studied using an accurate charge control based approach. An analytical expression for the gate-to-drain capacitance is obtained. In terms of the intrinsic noise sources and the admittance parameters ($Y_{11}$ and $Y_{21}$ which are obtained incorporating the effect of $C_{gd}$), the various noise performance parameters including the Minimum noise figure and the Minimum Noise Temperature are evaluated. The inclusion of gate-to-drain capacitance is observed to cause significant reduction in the Minimum Noise figure and Minimum Noise Temperature especially at low values of drain voltage, thereby, predicting better noise performance for the device.

24㎓ 2단 저잡음 증폭기의 설계 및 제작 (Design and Fabrication of two-stage Low Noise Amplifier for 24㎓)

  • 한석균
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제7권7호
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    • pp.1374-1379
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    • 2003
  • In this paper, twoㆍstage low noise amplifier(LNA) for 24㎓ is designed and fabricated using NE450284C HJ-FET of NEC CO. In order to get noise figure and input VSWR to be wanted it is considered input VSWR and noise figure simultaneously in matching-circuit designing. The fabricated two-stage low noise mph u has the gai of 16.6㏈, input VSWR of 1.6, and output VSWR under 1.5.

KaBand 3단 MMIC 저잡음 증폭기 설계 (Design of Ka-Band 3 Stage MMIC Low Noise Amplifiers)

  • 염인복;정진철;이성팔
    • 한국전자파학회:학술대회논문집
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    • 한국전자파학회 2000년도 종합학술발표회 논문집 Vol.10 No.1
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    • pp.216-219
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    • 2000
  • A Ka Band 3-stage MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) LNA(Low Noise Amplifiers) has been designed. The MMIC LNA consists of two single-ended type amplication stapes and one balanced type amplication stage to satisfy noise figure characteristics and high gain and amplitude linearity. The 0.15um pHEMT has been used to provide a ultra low noise figure and high gain amplification. Series and Shunt feedback circuits were inserted to ensure high stability over frequency range of DC to 80 GHz. The size of designed MMIC LNA is 3100mm ${\times}$ 2400um(7.44$\textrm{mm}^2$). The on wafer measured noise figure of the MMIC LNA is less than 2.0 dB over frequency range of 22 GHz to 30 GHz.

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위성방송 수신용 광대역 저잡음 증폭기 설계 및 구현 (Design and Implementation of Broadband Low Noise Amplifier for Satellite Broadcasting Receiver)

  • 이원규;양운근;윤광욱;박정우
    • 한국전자파학회:학술대회논문집
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    • 한국전자파학회 2002년도 종합학술발표회 논문집 Vol.12 No.1
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    • pp.209-212
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    • 2002
  • 본 논문에서는 위성방송 수신용 광대역 저잡음 증폭기를 설계 및 구현하였다. 전산모의 실험용 소프트웨어를 사용하여 저잡음 증폭기를 설계하였고, 제작된 저잡음 증폭기의 전기적 특성을 네트워크 분석기와 Noise Figure 분석기를 사용하여 측정하였다. LNA단의 Noise Figure에 중점을 두고 샘플을 제작하여 측정한 길과 전산모의실험에서 나온 데이터는 0.46㏈이하였고 전체 시스템에서 측정된 Noise figure는 0.6㏈정도의 좋은 길과를 나타내었지만, 반면에 이득과 반사손실의 결과가 약간 떨어짐을 보였다 위성 인터넷 등 위성을 이용하는 통신 인구의 급격한 증가와 더불어 구현된 저잡음 증폭기를 사용한 LNB(Low Noise Block down converter)가 널리 응용될 것으로 기대된다.

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