A series of $CaNb_2O_6:Dy^{3+}$, $CaNb_2O_6$:$Eu^{3+}$ and $CaNb_2O_6:Dy^{3+}$, $Eu^{3+}$ phosphors were prepared by solid-state reaction process. The effects of activator ions on the structural, morphological and optical properties of the phosphor particles were investigated. XRD patterns showed that all the phosphors had an orthorhombic system with a main (131) diffraction peak. For the $Dy^{3+}$-doped $CaNb_2O_6$ phosphor powders, the excitation spectra consisted of one broad band centered at 267 nm in the range of 210-310 nm and three weak peaks; the main emission band showed an intense yellow band at 575 nm that corresponded to the $^4F_{9/2}{\rightarrow}^6H_{13/2}$ transition of $Dy^{3+}$ ions. For the $Eu^{3+}$-doped $CaNb_2O_6$ phosphor, the emission spectra under ultraviolet excitation at 263 nm exhibited one strong reddish-orange band centered at 612 nm and four weak bands at 536, 593, 650, and 705 nm. For the $Dy^{3+}$ and $Eu^{3+}$-codoped $CaNb_2O_6$ phosphor powders, blue and yellow emission bands due to the $^4F_{9/2}{\rightarrow}^6H_{15/2}$ and $^4F_{9/2}{\rightarrow}^6H_{13/2}$ transitions of $Dy^{3+}$ ions and a main reddish-orange emission line at 612 nm resulting from the $^5D_0{\rightarrow}^7F_2$ transition of $Eu^{3+}$ ions were observed. As the concentration of $Eu^{3+}$ ions increased from 1 mol% to 10 mol%, the intensities of the emissions due to $Dy^{3+}$ ions rapidly decreased, while those of the emission bands originating from the $Eu^{3+}$ ions gradually increased, reached maxima at 10 mol%, and then slightly decreased at 15 mol% of $Eu^{3+}$. These results indicate that white light emission can be achieved by modulating the concentrations of the $Eu^{3+}$ ions incorporated into the $Dy^{3+}$-doped $CaNb_2O_6$ host lattice.
The design of a telecentric f-${\theta}$ lens with a field of view (FOV) $30^{\circ}$ and an effective focal length of 1000mm is presented. The optical stop is placed at the front plane and the design is based on a geometric ray tracing technique, and the designed system consists of a series of convex and concave lenses. The designed f-${\theta}$ lens showed a considerable reduction in weight with a simplified structure and resulted in a good performance in the designated FOV. Detail analysis of rays is also presented. 653nm (red laser), 586nm (green laser), and 468nm (blue laser) were simulated as a light source and image illuminating source. The developed optical design requires 7 pieces of lenses made of SF1, N-FK56, N-LAK33, and BK7 glass materials. With optimal parametric design, the effective focal length was calculated to be 974.839mm which is very close to the initial design target. For the manufacturing purpose, the dimensions of lens curvature and thickness were truncated with error ranging 0.1% to 3.2%. As a result, the overall error was calculated to be 3.2% which can be still tolerable for display, laser material, and machining processing.
700nm red emission(3F3longrightarrow3H6) in Tm3+ ion with 800 nm(3H6longrightarrow3H4) excitation via upconversion process has been reported only in host materials which have low phonon energies such as halide crystals. However, we observed 700nm and 480nm(1G4longrightarrow3H6) upconverted emission with 800nm excitation in several oxide glasses which has never reported. With spectroscopic analyses and lifetime measurements of each nergy level of Tm3+ ion doped in various oxide glasses, following mechanisms are suggested. For red upconversion, upconversion mechanism changed with Tm3+ concentration. While direct excitation up to 3F3 level via anti-Stokes excitation was dominated at low concentration, two-step excitation via 3H6longrightarrow3H4 and 3F4longrightarrow3F3 transitions was dominated at high concentration. For blue upconversion, two step excitation mechanism up to 1G4 level was suggested as follows : electrons are exciated up to 3H5 with direct excitation with pumping light up to 3H4 followed by multiphonon relaxation, and then additional reabsorption of pumping light excites electrons up to 1G4.
$Cu(In,Ga)Se_2$(CIGS) 박막 태양전지는 Chalcopyrite계 박막 태양전지로 Cu, In, Ga, Se 각 원소의 조성을 적절히 조절하여 박막을 성장시킨다. 성장시킨 CIGS 박막은 광흡수계수가 105cm-1로 다른 물질 보다 뛰어나고 직접 천이형 반도체로서 얇은 두께로도 고효율의 박막 제작이 가능하다. 얇은 두께로도 충분히 빛의 흡수가 가능하지만, cell 표면 반사에 의한 광 손실은 cell 효율을 떨어뜨리게 된다. 본 연구에서는 CIGS 박막 태양전지의 광 흡수 향상을 위해 굴절률이 1.86인 ITO 위에 ITO보다 굴절률이 작은 $MgF_2$ (n=1.377) [1]를 80, 100, 120, 140 nm로 증착하여 $MgF_2$/Al/Ni/ITO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG 시료를 제작하고, optical reflectance, Quantum Efficiency를 이용하여 분석하였다. optical reflectance 분석 결과, $MgF_2$ AR coating을 한 경우, 두께가 두꺼워짐에 따라 광 반사도가 감소하는 경향을 보였다. 또한 AR coating 두께가 커짐에 따라 fluctuation이 점점 커지며, 파형이 장파장 쪽으로 shift하는 것을 관찰 할 수 있었다. Quantum efficiency (QE)를 분석한 결과 $MgF_2$ AR coating 할 경우, 측정된 대부분의 파장에서 QE가 향상되는 것을 확인할 수 있었다. 하지만 AR coating 두께에 따른 변화는 뚜렷한 차이를 보이지 않았다. AR coating 결과, JSC가 증가하여 efficiency가 향상되는 것을 확인 할 수 있다. 그러나 $MgF_2$ AR coating 80~140 nm 범위에서 cell 효율 변화의 뚜렷한 차이는 관찰할 수 없었다.
The luminescence spectra of Eu(Ⅲ) complexes have been measured as a function of molar metal-to-ligand ratio and pH. The ligands used in this study are tridentate iminodiacetate (IDA) and methyliminodiacetate (MIDA). The 620 nm emission band, attributed to the $^5D_0{\to}^7F_2$ transition, is monitored to investigate the optimum condition for $EuL_3^{3-}$ complex formation in aqueous state. In addition, the sensitivity of the 465 nm absorption band, attributed to the $^7F_0{\to}^5D_2$ transition, to the ligand environment has been also investigated.
SrMoO4:RE3+ (RE=Dy, Sm, Tb, Eu, Dy/Sm) phosphors are prepared by co-precipitation method. The effects of the type and the molar ratio of activator ions on the structural, morphological, and optical properties of the phosphor particles are investigated. X-ray diffraction data reveal that all the phosphors have a tetragonal system with a main (112) diffraction peak. The emission spectra of the SrMoO4 phosphors doped with several activator ions indicate different multicolor emissions: strong yellow-emitting light at 573 nm for Dy3+, red light at 643 nm for Sm3+, green light at 545 nm for Tb3+, and reddish orange light at 614 nm for Eu3+ activator ions. The Dy3+ singly-doped SrMoO4 phosphor shows two dominant emission peaks at 479 and 573 nm corresponding to the 4F9/2→6H15/2 magnetic dipole transition and 4F9/2→6H13/2 electric dipole transition, respectively. For Dy3+ and Sm3+ doubly-doped SrMoO4 phosphors, two kinds of emission peaks are observed. The two emission peaks at 479 and 573 nm are attributed to 4F9/2→6H15/2 and 4F9/2→6H13/2 transitions of Dy3+ and two emission bands centered at 599 and 643 nm are ascribed to 4G5/2→6H7/2 and 4G5/2→6H9/2 transitions of Sm3+. As the concentration of Sm3+ increases from 1 to 5 mol%, the intensities of the emission bands of Dy3+ gradually decrease; those of Sm3+ slowly increase and reach maxima at 5 mol% of Sm3+ ions, and then rapidly decrease with increasing molar ratio of Sm3+ ions due to the concentration quenching effect. Fluorescent security inks based on as-prepared phosphors are synthesized and designed to demonstrate an anti-counterfeiting application.
Sandwich structures of$ Nd_2Fe_{14}B/Fe/Nd_2Fe_{14}B $magnetic films have been grown by a KrF excimer laser (λ=248 nm) ablation technique. Magnetic properties were characterized by varying the thickness of hard ($Nd_2Fe_{14}B$) and soft (Fe) magnetic films and the volume fraction as well. In the (x)nm[NdFeB]/(y)nm[Fe]/(x)nm[NdFeB]/(100) Si structure the thickness (x) was varied from 3.6 to 54 nm, and (y) from 15 to 112 nm. At (y) = 15~20 nm where the volume fraction of Fe corresponded to 61~75%, the sandwich structure exhibited an enhanced Mr/Ms and iHc as well from the result of the exchange coupling between the magnetic layers. Experimentally calculated exchange constant$ (A_s) of A_s = 2.5{\times}10^{-10} J/m$ was estimated using the intrinsic coercivity (iHc) of 1.2 kOe at 5 K for the sandwich magnetic trilayers.
$Dy^{3+}$ and $Eu^{3+}$-co-doped $La_2MoO_6$ phosphor thin films were deposited on sapphire substrates by radio-frequency magnetron sputtering at various growth temperatures. The phosphor thin films were characterized using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy, ultraviolet-visible spectroscopy, and fluorescence spectrometry. The optical transmittance, absorbance, bandgap, and photoluminescence intensity of the $La_2MoO_6$ phosphor thin films were found to depend on the growth temperature. The XRD patterns demonstrated that all the phosphor thin films, irrespective of growth temperatures, had a tetragonal structure. The phosphor thin film deposited at a growth temperature of $100^{\circ}C$ indicated an average transmittance of 85.3% in the 400~1,100 nm wavelength range and a bandgap energy of 4.31 eV. As the growth temperature increased, the bandgap energy gradually decreased. The emission spectra under ultraviolet excitation at 268 nm exhibited an intense red emission line at 616 nm and a weak emission line at 699 nm due to the $^5D_0{\rightarrow}^7F_2$ and $^5D_0{\rightarrow}^7F_4$ transitions of the $Eu^{3+}$ ions, respectively, and also featured a yellow emission band at 573 nm, resulting from the $^4F_{9/2}{\rightarrow}^6H_{13/2}$ transition of the $Dy^{3+}$ ions. The results suggest that $La_2MoO_6$ phosphor thin films can be used as light-emitting layers for inorganic thin film electroluminescent devices.
200-300 nm 직경을 지닌 폴리비닐리덴 플루오라이드 초극세 섬유를 전기방사법으로 제조하였다. 이들을 불응화시킨 후, $800-1800^{\circ}C$ 온도에서 탄화시켜 PVdF 계 탄소나노 섬유를 제조하여 구조 및 기공분석을 하였다. 이들은 20-30 nm 크기의 탄소입자로 이루어져 있으며 탄소나노입자는 1 nm이하의 슬릿형 나노기공을 지니고 있었다. 탄화온도가 증가함에 따라 비표면적은 $1500^{\circ}C$에서 $414\;m^2/g$로 감소하였으나, $1800^{\circ}C$에서는 $1300\;m^2/g$로 급격히 다시 증가하였으며 1 nm 이하의 나노기공만을 지닌 탄소섬유가 얻어졌다. 비표면적 및 기공특성과 수소저장특성을 관계를 조사하기 위하여 Magnetic Syspension Balance(MSB)를 사용한 중량법으로 평가한 이들의 수소저장능은 0.04-0.4wt%이었다.
We have synthesized new blue electroluminescent polyalkylfluorene-based copolymers [poly(F-co-Py)x:y, where x:y = 99:1 or 95:5 mole ratios] containing the hole-injecting pyrazole derivative [3,3'-(4,6-bis(octyloxy)-1,3-phenylene)bis(1,5-diphenyl-4,5-dihydro-1H-pyrazole] through Ni(0) mediated polymerization, and their electroluminescent properties were investigated. Electroluminescent (EL) devices were fabricated with ITO / PEDOT:PSS (110 nm) / copolymers or PF homopolymer (80 nm) / Ca (50 nm) / Al (200 nm) configuration. Each EL device constructed from the copolymer exhibited significantly enhanced brightness and efficiency compared with a device constructed from the PF homopolymer. The EL device constructed with poly(F-co-Py)99:1 exhibited the highest luminous efficiency and brightness (0.95 cd/A and $2,907\;cd/m^2$, respectively). The achieved luminous efficiency was an excellent result, providing almost a 4-fold improvement on the efficiency obtainable with the a PF homopolymer device. This enhanced efficiency of the copolymer devices results from their improved hole injection and more efficient charge carrier balance, which arises from the HOMO level (~5.83 eV) of the poly(F-co-Py)99:1 copolymer, which is higher than that of the PF homopolyme (~5.90 eV).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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