• 한국방사선학회논문지
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• 제9권1호
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• pp.39-45
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• 2015

본 연구는 고상법으로 형광체를 합성하였다. 모체 물질은 $La_2W_3O_{12}$에 활성제로 $Eu^{3+}$이온을 첨가하여 활성제 조성변화에 따른 XRD 분석과 여기 및 방출 스펙트럼 및 온도에 따른 형광 스펙트럼 분석과 수명시간을 측정하였다. $La_2W_3O_{12}:Eu^{3+}$의 1 mol%의 XRD 스펙트럼은 ICSD 카드 (78180)에 보고된 데이터 스펙트럼과 비교하였을 때 XRD 스펙트럼이 잘 일치함을 확인 하였다. $La_2W_3O_{12}$ 형광체에 활성제로 $Eu^{3+}$이온 1 mol%를 첨가한 여기 스펙트럼에서는 286 nm 근처에서 286 nm 넓은 전하전달밴드가 관찰된다. 이 전하전달밴드는 $WO_4$그룹과 $Eu^{3+}$이온의 전하 전달 밴드이며 $O^{2-}-W^{6+}$, $O^{2-}-Eu^{3+}$의 ligand-to-metal 전하 전달 흡수가 이루어진다. 350~500 nm 영역에서는 $Eu^{3+}$의 f-f 전이에 의한 피크가 나타났다. 여기 스펙트럼에서 $Eu^{3+}$의 $^7F_0{\rightarrow}{^5D_4},{^5D_4},{^5L_6},{^5G_4},{^5D_3},{^5D_2}$ 전이에 해당한다. 방출 스펙트럼은 280, 395 nm로 각각 여기한 결과 $Eu^{3+}$이온의 $^5D_0{\rightarrow}^7F_2$(618nm)에서 강한 피크가 보였다. 희토류 이온이 도핑 되지 않은 $La_2W_3O_{12}$ 형광체를 266 nm로 여기하여 온도에 변화 따른 방출 스펙트럼은 저온에서 상온으로 갈수록 형광의 세기가 약하게 나타났다. 온도에 따른 수명시간은 7 K($114{\mu}s$), 100 K($94{\mu}s$), 200 K($10{\mu}s$), 300 K($0.5{\mu}s$)로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제30권11호
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• pp.717-721
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• 2017

We studied the performance enhancement of organic light-emitting diodes (OLEDs) using 2,3,5,6-fluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane ($F_4-TCNQ$) as the hole-transport layer. To investigate how $F_4-TCNQ$ affects the device performance, we fabricated a reference device in an ITO (170 nm)/TPD(40 nm)/$Alq_3$(60 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(100 nm) structure. Several types of test devices were manufactured by either doping the $F_4-TCNQ$ in the TPD layer or forming a separate $F_4-TCNQ$ layer between the ITO anode and TPD layer. N,N'-diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)-benzidine (TPD), tri(8-hydroxyquinoline) aluminum ($Alq_3$), and $F_4-TCNQ$ layers were formed by thermal evaporation at a pressure of $10_{-6}$ torr. The deposition rate was $1.0-1.5{\AA}/s$ for TPD and $Alq_3$. The LiF was subsequently thermally evaporated at a deposition rate of $0.2{\AA}/s$. The performance of the OLEDs was considered with respect to the turn-on voltage, luminance, and current efficiency. It was found that the use of $F_4-TCNQ$ in OLEDs enhances the performance of the device. In particular, the use of a separate layer of $F_4-TCNQ$ realizes better device performance than other types of OLEDs.

• 한국표면공학회지
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• 제42권6호
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• pp.287-293
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• 2009

The passivation films with epoxy layer on LiF, $SiN_x$ and LiF/$SiN_x$ inorganic layer were fabricated on OLED to protect device from the direct damage of $O_2$ and $H_2O$ and to apply for a buffer layer between OLED device and passivation multi-layer with organic/inorganic hybrid structure as to diminish the thermal stress and expansion. Red OLED doped with 1 vol.% Rubrene in $Alq_3$ was used as a basic device. The device structure was multi-layer of ITO(150 nm) / ELM200_HIL(50 nm) / ELM002_HTL(30 nm) / $Alq_3$: 1 vol.% Rubrene(30 nm) / $Alq_3$(30 nm) / LiF(0.7 nm) / Al(100 nm). LiF/epoxy applied as a protective layer didn't contribute to the improvement of life time. While in case of $SiN_x$/epoxy, damage was done in the passivation process because of difference in heat expansion between films which could occur during the formation of epoxy film. Using LiF/$SiN_x$/epoxy improved lifetime significantly without suffering damage in the process of forming films, therefore, the best structure of passivation film with inorganic/epoxy layers was LiF/$SiN_x$/E1.

• Advances in materials Research
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• 제3권4호
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• pp.227-232
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• 2014

$Ce^{4+}$, $Eu^{3+}$, $Tb^{3+}$ co-doped $Ca_3Si_3O_8F_2$ phosphor was synthesized via solid state reaction method using $CaF_2$, $CaCO_3$ and $SiO_2$ as raw materials for the host and $Eu_2O_3$, $CeO_2$, and $Tb_4O_7$ as activators. The luminescent properties of the phosphor was analysed by spectrofluorophotometer at room temperature. The effect of excitation wavelengths on the luminescent properties of the phosphor i.e. under near-ultraviolet (nUV) and visible excitations was investigated. The emission peaks of $Ce^{4+}$, $Eu^{3+}$, $Tb^{3+}$ co-doped $Ca_3Si_3O_8F_2$ phosphor lays at 480(blue band), 550(green band) and 611nm (red band) under 380nm excitation wavelength, attributed to the $Ce^{4+}$ ion, $Tb^{3+}$ ion and $Eu^{3+}$ ions respectively. The results reveal that the phosphor emits white light upon nUV (380nm) / visible (465nm) illumination, and a red light upon 395nm / 535nm illumination. RE ions doped $Ca_3Si_3O_8F_2$ is a promising white light phosphor for LEDs. The emission colours can be seen using Commission international de l'eclairage (CIE) co-ordinates. A single host phosphor emitting different colours under different excitations indicates that it is a potential phosphor having applications in many fields.

• 한국자기학회지
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• 제14권6호
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• pp.236-239
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• 2004

미소 자유자성층에 인접한 스핀필터층 (SFL; spin filter layer)을 갖는 Ta3/NiFe2/IrMn7/CoFe1/(NOL1)/CoFe2/Cu 1.8/CoFe( $T_{f}$)/Cu( $t_{SF}$ )/(NOL2)/Ta3.5 (두께단위 nm) 구조의 스페큘라 스핀밸브 (SSV; specular spin valve)를 마그네트론 스퍼터링 장치를 사용하여 제작하였다. 반강자성체 I $r_{22}$M $n_{78}$을 속박층으로 한 스핀필터 스페큘라 스핀밸브 (SFSSV; spin filter specular spin valve) 박막에 대하여 자유자성층의 두께 ( $t_{F}$)와 SFL의 두께 ( $t_{SF}$ )가 각각 1.5nm일 때 극대 자기저항 (MR; magnetoresistance)비 11.9%를 얻었으며, $t_{SF}$ 가 1.0nm으로 감소하여도 11%이상의 MR비를 유지하였다. 이것은 나노산화층 (NOL; nano-oxide layer)에 의한 스페큘라 전자와 SFL에 의한 전류분류효과의 증가 때문이다. 또한, 자유자성층과 피속박층 사이의 층간결합장 ( $H_{int}$; interlayer coupling field)은 RKKY력과 정자기결합력으로 설명할 수 있다. 자유자성층의 보자력 ( $H_{cf}$ ; coercivity of the free layer)은 기존의 스핀밸브 (TSV; traditional spin valve)에 비해 현저히 감소했으며, $t_{F}$가 1nm에서 4nm로 변하여도 4 Oe이하의 값을 유지하였다. 따라서 SFL의 삽입으로 자유자성층의 연자성 특성을 떨어뜨리지 않으면서 자유자성층 두께의 감소와 MR비의 향상을 가능하게 하였다.

• 한국결정학회지
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• 제11권3호
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• pp.151-156
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• 2000

Yb/YAG single crystals were grown from the melt composition of Y/sub 1-x/Yb/sub x/)₃Al/sub 5/O/sub 12/ where x equal to 5, 10, 15, 20, 25, 33, 50, 75 and 100 at % by floating zone method. Optimum growth parameters to get high quality single crystals were 3.5 mm/h of growth rate and 20 rpm of rotation rate under the N₂ atmosphere. After the growth, color of crystals was appeared with pale blue due to the lack of oxygen, but it was disappeared after annealing at 1450℃ for 2 hr. Absorption coefficients were linearly increased depending on the concentration of Yb/sup 3+/ ions. Broad emission band was measured in the range of 1020 to 1050 nm with the peak intensity at 1031 nm and 1051 nm because of ²F/sub 5/2/(1)→²F/sub 7/2/(3) and ²F/sub 5/2/(1)→²F/sub 7/2/(4) transition respectively. When Yb/sup 3+/ ions were substituted with high rates, there were tendency to decrease the measured fluorescent lifetime for Yb ions depending on the concentration of Yb/sup 3+/ ions.

• 한국재료학회지
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• 제8권8호
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• pp.737-743
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• 1998

$SrAI_2O_4:Eu^{2+}$를 합성하여 장잔광 축광재료로서 가장 중요한 발광특성과 장잔광특성을 조사하였다. 융제로서 $B_2O_3$를 3wt% 첨가한 $SrCO_3$, $Eu_2O_3$, $AI_2O_34의 혼합분말은 $1000^{\circ}C$이상에서 모체결정인 $SrAl_2O_4$의 단일상이 형성되었으나, 장잔관 형광체로서 최적의 합성조건은 $1300^{\circ}C$, 3시간이었다. 그리고 $SrAI_2O_4:Eu^{2+}$는 부활제인 $Eu^{2+}$의 $4f^65d^1$ $\rightarrow$$4f^7$천이에 기인하여 황록색발광영역의 520nm(2.384eV)를 최대 발파장으로 하는 450~650nm의 폭넓은 발광스펙트럼을 보였으며, 또한 발광파장을 520nm로 고정하여 측정한 여기스펙트럼의 최대 흡수피크는 360nm이고 250nm에서 480nm의 넓은 범위에서 흡수스펙트럼이 관찰되었다.

• 한국잠사곤충학회지
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• 제40권1호
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• pp.43-51
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• 1998

곤충 후배자발생과정(약령기)에 있어서 유전자의 형질발현기구를 구명하기 위한 연구의 일환으로, 누에의 유전적 돌연변이 불면잠계통을 재료로 하여 실험을 실시하였다. nm-d, nm-f, nm-k, nm-i, nm등의 5개 불면잠계통에 대한 불면잠의 발현양상, 생존일수, 치사율, 체액단백질의 농도 및 조성 등을 조사한결과, 불면잠계통들은 대체로 유사한 형질발현을 하였으나 각 계통들의 유전자특유의 형질특성은 인정되었다. 이들 특성을 기초로하여 불면잠계통을 두가지 유형으로 구분할 수 있었다. 즉 치사시기가 빠르고 체액단백질성분의 대부분이 소실되는 약령기퇴화형불면잠과 생존기간이 비교적 길며 체액단백질성분의 감소가 비교적 적은 약령기유지형 불면잠으로 그 특성이 구분되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제19권3호
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• pp.130-134
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• 2009

새로운 $CaZrO_3$, 축광성 형광체를 고온의 약한 환원 분위기에서 전통적인 고상반응법으로 합성하였다 광발광 분석 결과 $Tb^{3+}$ 이온을 첨가한 $CaZrO_3$ 축광성 형광체는 $^5D_3$, $^5D_4$ 에너지 준위에서 $^7F_1{\sim}^7F_6$ 준위로의 전이에 의해 황녹색의 발광을 나타내며, 고온의 질소분위기에서 합성한 경우의 축광성 형광체에 대한 스펙트럼의 주 피크는 $^5D_4{\rightarrow}^7F_5$ 전이에 의한 542 nm의 발광 피크가 생성되었다. $CaZrO_3:Tb^{3+}$ 축광성 형광체의 잔광 발광 스펙트럼은 좁은 영역의 546 nm의 피크가 강하게 생성되었다 잔광 휘도는 254 nm 자외선을 조사하고 전원을 끈 후에 측정하였으며, 녹황색의 축광성 형광체가 사람이 어두운 곳에서 인지 가능한 $0.32\;mcd/m^2$까지 8시간 지속됨을 관찰하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.345-346
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• 2008

We have studied an emission spectra of top-emssion organic light-emitting diodes(TEOLED) due to a change of cathode and organic layer thickness. Device structure is Al(100nm)/TPD(xnm)/$Alq_3$(ynm)/LiF(0.5nm)/cathode. And two different types of cathode were used; one is LiF(0.5nm)/Al(25nm) and the other is LiF(0.5nm)/Al(2nm)/Ag(30nm). While a thickness of hole-transport layer of TPD was varied from 35 to 65nm, an emissive layer thickness of $Alq_3$ was varied from 50 to 100nm for two devices. A ratio of those two layer was kept to be about 2:3. Al and Al/Ag double layer cathode devices show that the emission spectra were changed from 490nm to 560nm and from 490nm to 560nm, respectively, when the total organic layer increase. Full width at half maximum was changed from 67nm to 49nm and from 90nm to 35nm as the organic layer thickness increases. All devices show that view angle dependent emission spectra show a blue shift. Blue shift is strong when the organic layer thickness is more than 140nm. Devece with Al/Ag double layer cathode is more vivid.