• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권9호
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• pp.19-24
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• 2004

우리는 3층 구조의 레지스터와 이중 노광 방법을 이용하여 유전체 지지대를 사용하지 않은 새로운 방법으로 게이트 길이가 70 nm인 T-게이트를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 제작 하였다. 게이트 길이가 70 nm이고 게이트 단위폭이 70 ㎛인 2개의 게이트를 가지고 있는 MHEMT는 최대 포화 전류밀도가 최대 포화 전류밀도가 228.6 mA/mm, 상호전달 컨덕턴스는 645 mS/mm, 전류이득차단주파수가 255 GHz인 특성을 보였다.

• 한국기계가공학회지
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• 제12권5호
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• pp.16-22
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• 2013

A two-dimensional photonic crystal structure was investigated using a roll-to-roll nanoreplication and physical vapor deposition processes for the inexpensive enhanced fluorescence substrate which is not sensitive to the polarization directions of excitation light source. An 8 inch silicon master having nano dot array with a diameter of 200 nm, a height of 100 nm and a pitch of 400 nm was prepared by KrF laser scanning lithography and reactive ion etching processes. A flexible polymer mold was fabricated by flat type UV replication process and a deposition of 10 nm nickel layer as an anti-adhesion layer. A roll mold was prepared by warping the flexible polymer mold on an aluminum roll base and a roll-to-roll UV replication process was carried out using the roll mold. After the deposition of ~ 100 nm $TiO_2$ layer on the replicated nano dot array, a 2 dimensional photonic crystal structure was realized with a resonance wavelength of 635 nm for both p- and s-polarized light sources.

• 전기학회논문지
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• 제59권12호
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• pp.2240-2244
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• 2010

We have studied white OLED using two types of Zn-complexes as a emitting layer. We synthesized new emissive materials $Zn(HPQ)_2$ as a yellow emitting material and $Zn(HPB)_2$ as a blue emitting material. Zn-complexes have a low molecular compound and thermal stability. The fundamental structures of the fabricated OLED was ITO / NPB (40nm) / $Zn(HPB)_2$ (30nm) / $Zn(HPQ)_2$ / LiF / Al. We varied the thickness of the $Zn(HPQ)_2$ layer 20, 30 40 nm. When the thickness of the $Zn(HPQ)_2$ layer was 20 nm, white emission was achieved. The maximum luminance was 12,000 cd/$m^2$ at a current density of 800 mA/$cm^2$. The CIE coordinates of the white emission was (0.319. 0.338) at an applied voltage of 10 V.

• 센서학회지
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• 제20권1호
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• pp.30-34
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• 2011

Single crystal of KCl doped with $Eu^{2+}$ ions was grown by the Czochralski method in the high pressure Ar gas(purity 99.999 %) atmosphere with chamber pressure from which the crystal with high quality was obtained. As grown $KCl:Eu^{2+}$ crystal was checked by X-ray diffraction. Luminescence properties of KCl:Eu are investigated by laser-excitation spectroscopy under 355 nm excitation at 14 and 295 K. The broad emission band due to the $Eu^{2+}$ 5d $\rightarrow$ 4f transition is peaked at 417 nm with full width at half maximum of about 20 and 30 nm.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권4호
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• pp.294-297
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• 2013

ZnO crystals with octahedral shape were synthesized by thermal evaporation technique. $ZnF_2$ powder was used as the source material. The thermal evaporation and oxidation of $ZnF_2$ powder was carried out for 1 hr at $1,000^{\circ}C$ in air under atmospheric pressure. SEM images showed that the ZnO crystals produced by oxidizing $ZnF_2$ vapor possessed a characteristic octahedral shape. XRD spectrum revealed that the ZnO octahedron had hexagonal wurtzite structure. In the room temperature photoluminescence spectrum, a strong green emission peak at around 510 nm was observed.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.1042-1045
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• 2002

We have carried out two-beam interference experiments to form holographic gratings on amorphous $MgF_2$/As-Ge-Se-S multi-layer. In this study, holographic gratings have been formed using He-Ne laser(632.8nm). under different polarization combinations. The diffraction efficiency was obtained by +1st order intensity. The maximum diffraction efficiency of As-Ge-Se-S single layer and $MgF_2$/As-Ge-Se-S multi-layer were 0.8% and 1.4%

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제16권4호
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• pp.414-417
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• 2012

The effect of cerium concentration and the addition of $Sb_2O_3$ on the light emission of cerium-contained glass were investigated. The glass matrix composition was $20Y_2O_3-25Al_2O_3-55SiO_2$, the $CeO_2$ concentration ranged from 0.05 to 0.5 mol%, and $Sb_2O_3$ was added at concentrations of 0.02 to 0.1 mol%. The $Ce^{3+}$ and $Ce^{4+}$ absorption bands were observed at approximately 330 nm and 240 nm, respectively. A broad emission band at 400 nm, due to the 4f-5d transition of the $Ce^{3+}$ ion, was observed under illumination by a UV light at 330 nm. The photoluminescence intensity of $Ce^{3+}$ had a maximum value at a $CeO_2$ concentration of 0.1 mol%. Adding $Sb_2O_3$ decreased the $Ce^{4+}$ absorption intensity and enhanced the light emission intensity of $Ce^{3+}$ by about 45%.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.165-165
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• 2013

희토류 발광 물질은 4f 껍질에 위치하는 전자의 독특한 특성 때문에 발광 소자와 디스플레이에 그 응용성을 확장하고 있다. 본 연구에서는 고효율의 적색과 주황색 형광체를 합성하기 위하여 모체 격자 CaNb2O6에 희토류 이온인 유로퓸과 사마륨을 치환 고용하여 최적의 합성 조건을 조사하였다. Ca1-1.5xNb2O6:REx3+ (RE=Eu, Sm) 형광체 분말 시료는 고상반응법을 사용하여 활성제 이온인 Eu3+와 Sm3+의 농도비를 0, 0.01, 0.05, 0.10, 0.15, 0.20 mol 로 변화시키면서 합성하였다. 초기 물질 CaO, Nb2O5, Eu2O3와 Sm2O3을 화학 적량으로 측정하고, 400 rpm의 속도로 24시간 밀링 작업을 수행한 후에, 건조기 $60^{\circ}C$에서 28시간 건조하고, 시료를 막자 사발에서 갈아 세라믹 도가니에 담아 튜브형 전기로에서 분당 $5^{\circ}C$의 비율로 승온시켜 $500^{\circ}C$에서 5시간 동안 하소와 $1,100^{\circ}C$에서 6시간 소결하여 합성하였다. Eu3+가 도핑된 경우에, 발광 스펙트럼은 Eu3+ 이온의 농도비에 관계없이 강한 적색 발광 스펙트럼이 616 nm에서 관측되었다. 이외에도, 596 nm와 708 nm에서 상대적으로 발광 세기가 약한 주황색 발광과 적색 발광 신호가 검출되었으며, 541 nm에서는 매우 약한 녹색스펙트럼이 관측되었다. Eu3+ 이온의 농도비에 0.01 mol에서 0.15 mol로 증가함에 따라 주발광 신호의 세기는 점점 증가하였으며, 0.15 mol에서 최대 발광 세기를 나타내었다. Eu3+ 이온의 농도비가 0.20 mol 로 더욱 증가함에 따라 주 피크의 세기는 농도 소강 현상에 의하여 현저히 감소함을 보였다. 한편, 주된 흡광 스펙트럼은 279 nm에서 나타났는데, 이것은 전하전달밴드 신호이다. Sm3+가 도핑된 형광체 분말의 발광 스펙트럼은 모든 시료의 경우에 613 nm에서 강한 적주황색 발광 스펙트럼이 관측되었고, 상대적으로 세기가 약한 570 nm와 660 nm에 피크를 갖는 황색과 적색 발광 스펙트럼이 발생하였다. 흡광과 발광 스펙트럼의 최대 세기는 0.05 mol에서 나타났으며, Sm3+ 이온의 농도비가 더욱 증가함에 따라 흡광과 발광 세기는 급격하게 감소하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제13권4호
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• pp.71-75
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• 2006

GDI602:Rubrene(10%) 형광 시스템을 이용하여 황색 발광 OLED를 제작하고 그 특성을 평가하였다. 소자 제작에서 ITO/glass 위에 정공 주입층으로 2-TNATA[4,4',4'-tris(2-naphthylphenyl-phenyl-amino)-triphenylamine]를, 정공 수송층으로 NPB[N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4-diamine]를 진공 증착하였다. 황색 발광층으로는 GDI602를 호스트로, Rubrene를 도펀트로 사용하였다. 또한, 전자 수송층으로는 $Alq_{3}$를, 전자 주입층으로는 LiF를 사용하여 $ITO/2-TNATA/NPB/GDI602:Rubrene(10%)/Alq_{3}/LiF/Al$ 구조의 저분자 OLED를 제작하였다. 본 실험에서 제작된 황색 OLED는 562nm의 중심 발광 파장을 가지며, CIE(0.50, 0.49) 색순도, 그리고 10V의 동작전압에서 $2300\;Cd/m^{2}$ 휘도와 0.7 lm/W의 전력 효율을 나타내었다.

• 한국재료학회지
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• 제8권3호
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• pp.219-223
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• 1998

실리카 유리에 3가 이온 희토류 원소인 $Eu^{3+}$, $Sm^{3+}$, $Tb^{3+}$를 첨가한 경우의 분광특성 변화를 연구하였다. 유리시료의 분광특성은 회토류를 첨가한 경우의 파장영역에 따른 흡수 및 발광파장의 변화를 관찰하였으며, 희토류 함량을 1-10wt%까지 첨가하여 함량변화에 따른 형광세기 변화를 조사하였다. 형광특성 측정 결과 희토류 원소의 함량이 10wt%까지 형광세기는 함량에 비례하여 계속 증가하였으며, 시료의 형광특성을 상온에서 관측한 결과 400-500nm사이에서 가장 많은 빛을 흡수하여 가시광선 영역인 600nm부근에서 방출되는 형광세기가 가장 크게 나타났다. 이때 방출되는 희토류 원소들은 $Eu^{3+}$의 경우 $^{5}D_{o}$ -> ^{7}F$. $Sm^{3+}$ 은 $4F_{5/2}$ -> $^{6}H$, $Tb^{3+}$은 $^{5}D_{4}$ -> ^{7}F$의 전이임일 알 수 있었다.