• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제4권2호
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• pp.117-123
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• 2004

A 30 nm $In_{0.7}GaAs$ High Electron Mobility Transistor (HEMT) with triple-gate has been successfully fabricated using the $SiO_2/SiN_x$ sidewall process and BCB planarization. The sidewall gate process was used to obtain finer lines, and the width of the initial line could be lessened to half by this process. To fill the Schottky metal effectively to a narrow gate line after applying the developed sidewall process, the sputtered tungsten (W) metal was utilized instead of conventional e-beam evaporated metal. To reduce the parasitic capacitance through dielectric layers and the gate metal resistance ($R_g$), the etchedback BCB with a low dielectric constant was used as the supporting layer of a wide gate head, which also offered extremely low Rg of 1.7 Ohm for a total gate width ($W_g$) of 2x100m. The fabricated 30nm $In_{0.7}GaAs$ HEMTs showed $V_{th}$of -0.4V, $G_{m,max}$ of 1.7S/mm, and $f_T$ of 421GHz. These results indicate that InGaAs nano-HEMT with excellent device performance could be successfully fabricated through a reproducible and damage-free sidewall process without the aid of state-of-the-art lithography equipment. We also believe that the developed process will be directly applicable to the fabrication of deep sub-50nm InGaAs HEMTs if the initial line length can be reduced to below 50nm order.

• 융합신호처리학회논문지
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• 제21권4호
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• pp.162-169
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• 2020

본 논문에서는 엄밀한 수학 없이 상호 주임 잠김에 대한 정성적 이해를 시도하였고, 제안하는 상호 주입 잠김 광원에 대해 분석한다. 또한 두 개의 unpolarized Fabry-Perot Laser Diode (F-P LD)를 이용한 상호 주입 잠김 기반의 Wavelength Division Multiplexing - Passive Optical Network (WDM-PON)용 저가격 광원을 구현하였다. 한 쪽 F-P LD의 파장 변화에 대한 RIN (Relative Intensity Noise) 특성을 측정하였는데, 가변 파장의 범위가 2.07 nm일 때 최소 -110 dB/Hz의 RIN을 보여주었다.

• 한국광학회지
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• 제3권2호
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• pp.111-116
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• 1992

이중절연층구조 ZnS:Sm,F 박막 EL 소자를 전자선 가열 증착법으로 제작하여 제작한 소자들의 발광특성과 발광효율을 조사하였다. ZnS:Sm,F 박막 EL소자의 발광 스펙트럼은 Sm/sup 3+/ 이온의 /sup 4/G/sub 5/2/ .rarw. /sup 6/H/sub 9/2//sup 4/G/sub 5/2/.rarw./sup 6/H/sub 7/2/, /sup 4/G/sub 5/2/.rarw./sup 6/H/sub 5/2/.rarw.전이에 의한 발광이다. 이들 중 650nm를 발광하는 /sup 4/G/sub 5/2/.rarw./sup 6/H/sub 9/2/전이가 가장 우세하며 주홍색 발광을 한다. ZnS:Sm, F 박막 EL 소자의 최적 농도와 기판온도는 1wt%, 200.deg.C이며 최적조건으로 제작한 소자의 발광효율이 가장 크다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.579-581
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• 2004

A new DCM derivative containing the phenoxazine moiety (DCPXZ) has been synthesized for use as a red fluorescent dye molecule in organic light-emitting diodes (OLEDs). The photoluminescence and electroluminescence properties of DCPXZ were examined. The maximum photoluminescence of DCPXZ in chloroform solution ($10^{-5}$ mol) was observed at 616 nm. EL devices were fabricated with the structure ITO/PEDOT-PSS/Cu-PC(15nm)/${\alpha}$-NPD(45nm)/$Alq_3$:DCPXZ(30nm)/$Alq_3$(30nm)/LiF(0.5nm)/Al. The maximum EL emission for the 2.0% DCPXZ-doped device was at 608 nm with CIE coordinates (0.57, 0.42). The EL device exhibited a maximum brightness of 15,000 cd/$m^2$ at 19.4 V and a power efficiency of 1.04 lm/W at a luminance of 100 cd/$m^2$.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권9호
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• pp.762-767
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• 2001

We report the white light emission from the multilayer organic electroluminescent(EL) device using exciplex emission. The exciplex at 500nm originated between poly(N-vinylcarvazole)(PVK) and 2,5-bis(5'-tert-butyl-2-benzoxazoly)thiophene(BBOT) and exciplex of 50nm originated from N,N'-diphenyl-N,N'-(3-methyphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(TPD) and BBOT were observed. Also, the energy transfer from PVK to BBOT and poly(3-hexylthiophene)(P3HT) in mixed emitting materials was occurred. The electroluminescence(EL) spectra of organic EL device which have a device structure of ITO/CuPc(5nm)/emitting layer(100nm)/BBOT(30nm)/LiF(1.4nm)/Al(200nm) were slightly changed as a function of the applied voltage. The luminance fo 12.3 ${\mu}$W/$\textrm{cm}^2$ was achieved at 20V and EL spectrum measured at 20V corresponds to Commission Internationale de L\`Eclairage(CIE) coordinates of x=0.29 and y=0.353.

• 전기전자학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.116-120
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• 2012

본 논문에서는 밀리미터파 응용에 사용 가능한 우수한 성능의 50 nm InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT를 구현하였다. 게이트 길이가 50 nm이며 단위 게이트 폭이 30 ${\mu}m$인 2개의 게이트를 가지고 있는 MHEMT의 측정결과, 740 mA/mm의 드레인 포화 전류밀도와 1.02 S/mm의 상호전달 전도도를 얻었으며 전류이득차단주파수와 최대공진주파수는 각각 430 GHz와 406 GHz의 특성을 나타내었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권6호
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• pp.400-406
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• 2000

전구체인 (Y,Gd,Eu)(OH)$CO_3$.$H_2O$를 $900^{\circ}C$에서 열처리하여 얻은 분말을 플라즈마 디스플레이용 적색 형광체 $(Y,Gd)_2O_3$: Eu를 제조하기 위하여 이용하였다. 크기가 대략 1$\mu\textrm{m}$의 구형 형광체 $(Y,Gd)_2O_3$: Eu는 위의 분말에 소량의 융제를 첨가하여 $1350^{\circ}C$에서 2시간 소성하면 얻을 수 있다. 제조된 형광체의 발광 스펙트럼은 여기원이 254 nm와 147 nm인 파장에서 측정하였으며 최적인 활성제의 농도는 254 nm 하에서는 15 몰 %, 147 nm에서는 10 몰 %로 결정되었다. 또한 발광세기를 비교한 결과 BaCO$_3$, $AlF_3$및 $Li_3PO_4$중 $BaCO_3$가 가장 우수한 것으로 나타났다. 최적화된 형광체 $(Y,Gd)_2O_3$: Eu의 상대 휘도 및 색좌표는 상용품인 $Y_2O_3$: Eu 보다 개선되는 것으로 평가되고 있다.

• 한국표면공학회지
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• 제56권3호
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• pp.201-207
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• 2023

Eu³⁺-doped SnO² (SnO²:Eu³⁺) phosphor thin films were grown on quartz substrates by radio-frequency magnetron sputtering. The deposition temperature was varied from 100 to 400 ℃. The X-ray diffraction patterns showed that all the thin films had two mixed phases of SnO₂ and Eu₂Sn₂O₇. The 880 nmthick SnO²:Eu³⁺ thin film grown at 100 ℃ exhibited numerous pebble-shaped particles. The excitation spectra of SnO²:Eu³⁺ thin films consisted of a strong and broad peak at 312 nm in the vicinity from 250 to 350 nm owing to the O^2--Eu3+ charge transfer band, irrespective of deposition temperature. Upon 312 nm excitation, the SnO²:Eu³⁺ thin films showed a main emission peak at 592 nm arising from the ⁵D₀→⁷F₁ transition and a weak 615 nm red band originating from the ⁵D₀→⁷F₂ transition of Eu³⁺. As the deposition temperature increased, the emission intensities of two bands increased rapidly, approached a maximum at 100 ℃, and then decreased slowly at 400 ℃. The thin film deposited at 200 ℃ exhibited a band gap energy of 3.81 eV and an average transmittance of 73.7% in the wavelength range of 500-1100 nm. These results indicate that the luminescent intensity of SnO²:Eu³⁺ thin films can be controlled by changing the deposition temperature.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.89-90
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• 2006

We synthesized emissive materiaJs, nameJy $Zn(HPB)_2$. The fundamentaJ structures of the OLEDs were ITO / NPB (40 nm) $Zn(HPB)_2$ (40 nm) / $Alq_3$:DCJTB (20, 30, or 40 nm) / LiF / AI. We varied the thickness of $Alq_3$:DCJTB from 20 nm to 40nm. We measured current density-voJtage and luminance-voJtage characteristics at room temperature. When the thickness of the Alq3:DCJTB layer was 40 nm, white emission is achieved. The CIE coordinates are (0.32, 0.33) at an applied voltage of 14V.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제6권5호
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• pp.696-702
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• 2002

RF magnetron reactive sputtering 법으로 BST(Bal-xSrxTiO$_3$)(50/50) 박막을 제작하여, 박막의 결정화 특성 및 표면상태와 함께 박막의 두께에 따른 전기적 특성을 조사하였다. XRD와 AFM을 이용하여 BST 박막의 결정화 특성과 표면상태를 관찰한 결과, 80$0^{\circ}C$ 에서 2분간 후열처리한 박막은 완전한 perovskite 구조를 가지며 표면거칠기도 16.1$\AA$으로 양호한 값을 나타내었다. 박막의 두께가 80nm에서 240nm으로 증가함에 따라 10KHz에서 비유전률은 199에서 265로 증가하였고, 250㎸/cm의 전기장에서 누설 전류밀도는 $0.779 {\mu}m/{cm^2}에서 0.184 {\mu}A/{cm^2}$으로 감소하였다. 두께 240nm인 BST 박막의 경우, 5V에서의 전하축적 밀도와 누설전류밀도는 각각 50.5 $fC/{{\mu}m^2} 와 0.182 {\mu}A/{cm^2}$로, 이는 DRAM의 캐패시터 절연막 응용에 매우 유망한 물질임을 나타내는 결과이다.