• 한국농림기상학회지
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• 제13권3호
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• pp.140-147
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• 2011

고온과 고광으로 인해 항산화요구도가 높은 8월 시기에 포플러클론들의 산화피해와 항산화반응에 대하여 양돈폐수의 영향에 대하여 알아보았다. 잎의 이온유출량과 항산화효소 APX와 GR의 활성, 그리고 카로테노이드 함량을 조사였다. 포플러클론의 양돈폐수 처리에 따른 산화피해와 항산화반응은 다양하게 나타났다. 산화스트레스로 인한 세포막 피해 수준을 알 수 있는 이온유출량 기준으로, 크게 세 그룹으로 분류하였다. 첫번째 그룹은 세포막 피해수준이 대조구보다 높게 나타난 클론들로서 Eco 28, 62-10, Bonghwa1, Dorskamp가 포함되었다. 이들 그룹은 양돈폐수 처리로 인한 고농도 질소함량이 스트레스로 작용하여 여름철 항산화요구도가 더욱 가중된 것으로 보인다. 그래서 결과적으로 활성산소에 대한 항상성을 유지하지 못하였다. 두번째 그룹은 세포막 피해수준이 대조구와 유사한 Suwon, 72-30, 72-31 이었다. 세 번째 그룹은 세포막 피해수준이 대조구보다 낮게 나타난 97-18 이었다. 97-18 클론의 경우 양돈폐수 처리로 인해 공급된 질소가 여름철 산화스트레스에 대한 피해를 경감시켜, 양돈폐수 처리로 인한 여름철 산화피해가 가장 적은 클론으로 나타났다. 이러한 결과들은 양돈폐수로 인한 고농도 질소가 클론마다 서로 다르게 작용할 수 있음을 의미한다. 생장시기인 여름철에 가중되는 산화피해는 전체 생중량에 영향을 주어 양돈폐수 정화능력에도 영향을 미칠 수 있을 것으로 생각된다. 그러나 이러한 부분에 대해 추후 연구가 더 필요하다.

• 열처리공학회지
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• 제19권1호
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• pp.20-29
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• 2006

Wear behaviour of B.390 aluminum alloy with different particle sizes of primary Si against a SM45C counterface was studied as a function of wear load and sliding velocity, using pin-on-disk apparatus under dry condition. The wear rate of specimen with fine primary Si particles showed increased wear resistance at high wear load, on the other side wear resistance of coarse primary Si particle size was improved at low wear load. As the compressive residual stress in the matrix increased remarkably by liquid nitrogen(LN) treatment, wear resistance of the LN treated specimen was more excellent than that of T6 treated specimen.

• Applied Biological Chemistry
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• 제35권6호
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• pp.449-456
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• 1992

인산처리가 근류의 bacteroid 함량과 energy 상태에 미치는 영향을 살펴보기 위하여 Bradyrhizobium japonicum MN10을 접종한 대두식물(Glycine max [L.] Merr.)에 저해농도(0.05 mM-P)와 정상농도(1.0 mM-P)를 처리하여 온실에서 재배하였다. 인산결핍은 식물체의 근류량과 근류량 식물체량의 비에 유의성있는 감소를 보였다. 잎, 줄기, 뿌리의 인산농도는 인산결핍에 의하여 75%가 감소하였으나 근류의 인산농도는 40%만 감소하였다. 근류의 bacteroid 함량과 근류에서 전인산, 전질소의 bacteroid와 식물세포로의 분배는 인산결핍의 영향을 받지 않았으며 전질소의 22%, 전인산의 27%가 bacteroid에 존재하였다. 근류의 ATP농도, 전 adenylate 농도와 energy charge는 인산결핍에 의하여 각각 77%, 46%, 37%가 감소되었다. 인산결핍은 근류내 식물세포의 ATP 농도와 energy charge를 각각 86%, 59%를 감소시켰으나 bacteroid의 ATP농도와 energy charge에는 영향을 미치지 않았다. 이러한 결과는 근류가 인산의 강한 보유원이며, 기주식물에 대한 인산결핍조건하에서 bacteroid는 정상적인 인산 농도와 energy양을 함유한다는 것을 나타낸다.

• 한국양식학회지
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• 제20권1호
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• pp.60-64
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• 2007

양식 자라, Pelodiscus sinensis를 사용하여 진동 스트레스에 노출될 때 나타나는 생리적 반응의 단기적 지표로서 산소소비량(호흡)과 암모니아 배설량 변화를 조사하였다. 자라는 대형(갑장: $16{\sim}20\;cm$, 체중: $700{\sim}1,000\;g$)와 중형(갑장: $12{\sim}16\;cm$, 체중: $300{\sim}600\;g$)으로 구분하여, 1.5 ton 크기의 FRP 수조에 20마리씩 수용하였다. 진동 자극은 자체 제작한 진동기(vibrator)에 타임머를 연결하여, 하루 중 주간($08:00{\sim}18:00$)에만 2시간 간격으로 15분씩 28일 동안 매일 스트레스 자극을 주었다. 진동의 크기는 $45.0{\sim}68.2$(평균 56.6) dB(V) 였으며, 대조군 자라는 진동의 영향이 없는 별도의 사육수조에서 정상적으로 사육하면서 실험에 사용하였다. 연구결과, 진동 자극은 자라에 상당한 스트레스 요인으로 작용한 것으로 나타났다. 산소소비량 및 암모니아 배설량 등에서 체내 항상성이 스트레스 자극 10일 이후 생리활성도가 50% 이하로 감소하여 항상성 유지를 위한 모든 에너지를 소비하여 생리적 피폐기로 폐사직전인 것으로 나타났다. 자라는 다른 수산 생물과는 다르게 스트레스 상황에 처해 있을 때, 체외로 나타나는 징후가 뚜렷하지 않아 본 연구에서 나타난 산소소비와 암모니아 배설량은 자라의 생리적 활성도를 조사하는데 기초자료로 유용하게 사용될 것으로 판단된다.

• Plant Biotechnology Reports
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• 제4권3호
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• pp.179-183
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• 2010

Ethylene is a key gaseous hormone that controls various physiological processes in plants including growth, senescence, fruit ripening, and responses to abiotic and biotic stresses. In spite of some of these positive effects, the gas usually inhibits plant growth. While chemical fertilizers help plants grow better by providing soil-limited nutrients such as nitrogen and phosphate, overusage often results in growth inhibition by soil contamination and subsequent stress responses in plants. Therefore, controlling ethylene production in plants becomes one of the attractive challenges to increase crop yields. Some soil bacteria among plant growth-promoting rhizobacteria (PGPRs) can stimulate plant growth even under stressful conditions by reducing ethylene levels in plants, hence the term "stress controllers" for these bacteria. Thus, manipulation of relevant genes or gene products might not only help clear polluted soil of contaminants but contribute to elevating the crop productivity. In this article, the beneficial soil bacteria and the mechanisms of reduced ethylene production in plants by stress controllers are discussed.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.729-732
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• 2006

The effect of stress match between silicon nitride ($SiN_2$) and hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) layers on the electrical characteristics of thin-film transistors (TFTs) has been investigated. The result shows that modifying the deposition conditions of a Si:H and $SiN_2$ thin films can reduce the stress mismatch at a-Si:H/SiNx interface. Moreover, for best a-Si:H TFT characteristics, the internal stress of gate $SiN_2$ layer with slightly nitrogen-rich should be matched with that of a-Si:H channel layer. The ON current, field-effect mobility, and stability of TFTs can be enhanced by controlling the stress match between a-Si:H and gate insulator. The improvement of these characteristics appears to be due to both the decrease of the interface state density between the a-Si:H and SiNx layer, and the good dielectric quality of the bottom nitride layer.

• 한국표면공학회지
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• 제38권2호
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• pp.65-68
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• 2005

The effect of crystal orientation and microstructure on the mechanical properties of $TaN_x$ was investigated. $TaN_x$ films were grown on $SiO_2$ substrates by ultrahigh vacuum unbalanced magnetron sputter deposition in mixed $Ar/N_2$ discharges at 20 mTorr (2.67 Pa) and at $350^{\circ}C$. Unlike the Ti-N system, in which TiN is the terminal phase, a large number of N-rich phases in the Ta-N system could lead to layers which had nano-sized lamella structure of coherent cubic and hexagonal phases, with a correct choice of nitrogen fraction in the sputtering mixture and ion irradiation energy during growth. The preferred orientations and the micro-structure of $TaN_x$ layers were controlled by varing incident ion energy $E_i\;(=30eV\~50eV)$ and nitrogen fractions $f_{N2}\;(=0.1\~0.15)$. $TaN_x$ layers were grown on (0002)-Ti underlayer as a crystallographic template in order to relieve the stress on the films. The structure of the $TaN_x$ film transformed from Bl-NaCl $\delta-TaN_x$ to lamellar structured Bl-NaCl $\delta-TaN_x$ + hexagonal $\varepsilon-TaN_x$ or Bl-NaCl $\delta-TaN_x$ + hexagonal $\gamma-TaN_x$ with increasing the ion energy at the same nitrogen fraction $f_{N2}$. The hardness of the films also increased by the structural change. At the nitrogen fraction of $0.1\~0.125$, the structure of the $TaN_x$ films was changed from $\delta-TaN_x\;+\;\varepsilon-TaN_x\;to\;\delta-TaN_x\;+\;\gamma-TaN_x$ with increasing the ion energy. However, at the nitrogen fraction of 0.15 the film structure did not change from $\delta-TaN_x\;+\;\varepsilon-TaN_x$ over the whole range of the applied ion energy. The hardness increased significantly from 21.1 GPa to 45.5 GPa with increasing the ion energy.

• Applied Biological Chemistry
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• 제41권1호
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• pp.53-59
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• 1998

수종의 두과작물과 수도에서 분리한 Rhizobium 및 Azospirillum들의 내염성을 조사하고 salt stress에 의하여 유도되는 균주의 생리적 특성 및 식물이나 미생물에서 osmoprotectant 로 작용하는 proline, glycine betaine 및 glutamate가 질소고정균의 생육이나 질소고정력에 미치는 영향을 연구하였다. 분리된 대부분의 질소고정균들은 0.6 M NaCl 농도에서 생육이 현저히 감소되었지만 Acacia rhizobia sp86 은 1.4 M NaCl 농도에서도 생육이 가능하였다. Osmotic stress에 의하여 증가되는 intracellular 유리아미노산은 Rhizobium 및 Azospirillum에서 glutamate 였으며, 특히 Acacia rhizobia sp86은 salt stress에 의하여 5배정도 glutamate를 축적하였다. Osmoprotectant (proline, glycine betaine, glutamate)를 배지내에 1 mM 첨가함으로서 salt stress에 의하여 감소되는 질소고정균의 생육과 질소고정력을 방지하였으며, glycine betaine이 가장 효과적이었다.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제25권7호
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• pp.1119-1128
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• 2015

1-Aminocyclopropane-1-carboxylate (ACC) deaminase, which is encoded by some bacteria, can reduce the amount of ethylene, a root elongation inhibitor, and stimulate the growth of plants under various environmental stresses. The presence of ACC deaminase activity and the regulation of ACC in several rhizospheric bacteria have been reported. The nitrogen-fixing Pseudomonas stutzeri A1501 is capable of endophytic association with rice plants and promotes the growth of rice. However, the functional identification of ACC deaminase has not been performed. In this study, the proposed effect of ACC deaminase in P. stutzeri A1501 was investigated. Genome mining showed that P. stutzeri A1501 carries a single gene encoding ACC deaminase, designated acdS. The acdS mutant was devoid of ACC deaminase activity and was less resistant to NaCl and NiCl₂ compared with the wild-type. Furthermore, inactivation of acdS greatly impaired its nitrogenase activity under salt stress conditions. It was also observed that mutation of the acdS gene led to loss of the ability to promote the growth of rice under salt or heavy metal stress. Taken together, this study illustrates the essential role of ACC deaminase, not only in enhancing the salt or heavy metal tolerance of bacteria but also in improving the growth of plants, and provides a theoretical basis for studying the interaction between plant growth-promoting rhizobacteria and plants.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.71-72
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• 1998

반도체 집적 공정의 발달로 차세대 소자용으로 30 A 이하의 극 박막 Si02 절연막이 요구되고 있으며, 현재 제품으로 50-70 A 두께의 절연막을 사용한 것이 발표되고 있다. 절연막의 두께가 앓아질수록 많은 문제가 발생할 수 있는데 그 예로 절연막의 breakdo때둥에 의한 신뢰성 특성의 악화, 절연막올 통한 direct tunneling leakage current, boron풍의 dopant 침투로 인한 소자 특성 ( (Threshold Voltage)의 불안, 전기적 stress하에서의 leakage current증가와 c charge-trap 및 피terface s쩌.te의 생성으로 인한 소자 특성의 변화 둥으로 요약 된다. 절연막의 특성올 개선하기 위해 여러 가지 새로운 공정들이 제안되었다. 그 예로, Nitrogen올 Si/Si02 계면에 doping하여 절연막의 특성을 개선하는 방법 으로 고온 열처 리 를 NH3, N20, NO 분위 기 에서 실시 하거 나, polysilicon 또는 s silicon 기판에 nitrogen올 이온 주입하여 열처리 하는 방법, 그리고 Plasma분 위기에서 Nitrogen 함유 Gas를 이용하여 nitrogen을 doping시키는 방법 둥이 연구되고 있다. 또한 Oxide cleaning 후 상온에서 성장되는 oxide를 최소화 하여 절연막의 특성올 개선하기 위하여 LOAD-LOCK을 이용하는 방법, C뼈피ng 공정의 개선올 통한 contamination 감소와 silicon surface roughness 감소 로 oxide 신뢰성올 개선하는 방법 둥이 있다. 구조적 인 측면 에 서 는 Polysilicon 의 g없n size 를 최 적 화하여 OxideIPolysilicon 의 계면 특성올 개선하는 연구와 Isolation및 Gate ETCH공정이 절연막의 특성에 미 치 는 영 향도 많이 연구되 고 있다 .. Plasma damage 가 Oxide 에 미 치 는 효과 를 제어하는 방법과 Deuterium열처리 퉁올 이용하여 Hot electron Stress하에서 의 MOS 소자의 Si/Si02 계면의 신뢰성을 개선하고 있다. 또한 극 박막 전연막의 신뢰성 특성올 통계적 분석올 통하여 사용 가능한 수명 올 예 측 하는 방법 과 Direct Tunneling Leakage current 를 고려 한 허 용 가농 한 동작 전 압 예측 및 Stress Induced Leakage Current 둥에 관해서 도 최 근 활발 한 연구가 진행되고 있다.