• 제목/요약/키워드: NiFe film

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$\alpha-Fe_2O_3 /NiFe/Cu/NiFe$ 스핀밸브 박막에서의 자기저항 특성에 대한 연구 (Exchange Biasing and Magnetoresistance in $\alpha-Fe_2O_3 /NiFe/Cu/NiFe$Spin-valves)

  • 김종기;주호완;이기암;황도근;이상석
    • 한국자기학회지
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    • 제10권1호
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    • pp.37-41
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    • 2000
  • Fe$_2$O$_3$를 이용한 스핀밸브 박막에서 발생하는 교환결합력(H$_{ex}$)과 자기저항현상에 대하여 연구하였다. XRD측정결과 제작된 시편에서 $\alpha$-Fe$_2$O$_3$가 형성되었음을 확인하였다. 바닥층으로 사용한 Fe$_2$O$_3$와 인접한 강자성층 사이에서 교환결합이 발생하였음을 확인하였고, Fe$_2$O$_3$의 두께가 400 $\AA$에서 800 $\AA$으로 증가할 경우, H$_{ex}$가 13.5 Oe에서 84.5 Oe로 증가하였다. AFM을 이용하여 박막의 표면을 조사한 결과, Fe$_2$O$_3$의 두께가 증가함에 따라 표면거칠기가 증가함을 알 수 있었다. 표면거칠기의 증가는 Fe$_2$O$_3$와 인접한 NiFe 사이에서의 정자장결합력을 증가시켜 결과적으로 교환결합력의 증가를 가져온 것으로 해석되며, 두께증가에 따라 교환결합력도 계속 증가하는 경향을 나타내었다. 자기저항비는 Fe$_2$O$_3$의 두께변화에 관계없이 약 2 %대로 일정한 값을 유지하였다. 이는 표면거칠기가 H$_{ex}$의 크기에는 영향을 미치지만 자기저항비에는 영향을 미치지 못하는 것으로 생각된다.

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Evaluation of Iron Nickel Oxide Nanopowder as Corrosion Inhibitor: Effect of Metallic Cations on Carbon Steel in Aqueous NaCl

  • Chaudhry, A.U.;Mittal, Vikas;Mishra, Brajendra
    • Corrosion Science and Technology
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    • 제15권1호
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    • pp.13-17
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    • 2016
  • The aim of this study was to evaluate the use of iron-nickel oxide ($Fe_2O_3$.NiO) nanopowder (FeNi) as an anti-corrosion pigment for a different application. The corrosion protection ability and the mechanism involved was determined using aqueous solution of FeNi prepared in a corrosive solution containing 3.5 wt.% NaCl. Anti-corrosion abilities of aqueous solution were determined using electrochemical impedance spectroscopy (EIS) on line pipe steel (API 5L X-80). The protection mechanism involved the adsorption of metallic cations on the steel surface forming a protective film. Analysis of EIS spectra revealed that corrosion inhibition occurred at low concentration, whereas higher concentration of aqueous solution produced induction behavior.

NiCrFe 박막 스트레인 게이지 (NiCrFe Thin Film Strain Gages)

  • 이연석;박흥준;표성열;민남기
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2003년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1514-1516
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    • 2003
  • NiCrFe 박막을 이용한 정밀급 박막 스트레인 게이지를 개발하였으며, 그 특성을 요약하면 다음과 같다. 스트레인한계: 5 % 이하, 저항: 350 ${\sim}$ 2,000 ${\Omega}$, 게이지 율: 2.1, 정도: 0.1 %, 피로한계 : $10^6$ at ${\pm}1500{\mu}{\varepsilon}$, 사용온도범위: $-75{\sim}150^{\circ}C$, 온도 출력: ${\pm}1{\mu}{\varepsilon}/^{\circ}C$, 게이지율변화 : +0.009%/$^{\circ}C$ 국산화된 박막 스트레인 게이지는 디지털 로드 셀 등에 적용할 수 있으며, 이 분야의 국내 기술력 향상에 이바지 할 것이다.

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자기터널접합을 활용한 고집적 MRAM 소자 기술 (High Density MRAM Device Technology Based on Magnetic Tunnel Junctions)

  • 전병선;김영근
    • 한국자기학회지
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    • 제16권3호
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    • pp.186-191
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    • 2006
  • 자기터널접합 기반의 MRAM(magnetic random access memory)은 자기저항효과를 응용하는 메모리소자로서 비휘발성과 고속 정보처리가 가능할 뿐만 아니라 고집적화 할 수 있는 차세대 통합형 비휘발성 메모리이다. 그러나 기존의 메모리 소자들에 비해 스위칭 산포가 크고, 기록마진(writing margin)이 확보되지 않아 아직까지는 고집적화가 어려운 실정이다. 최근 포화자화가 낮은 NiFeSiB 및 CoFeSiB과 같은 비정질 강자성체를 자기터널접합의 자유층 재료로 사용하여 스위칭 자기장의 거대화를 크게 감소시켜 MRAM의 기록마진을 높이는 연구결과에 관해 정리하여 보았다. 그리고 이러한 물질을 이용하여 자기터널접합의 재생마진(reading margin)과 관련된 터널자기저항비의 인가전압의존성을 저감시킬 수 있었다. 본고에서는 나노자기소자 기술의 중요한 분야인 MRAM의 기술발전 방향과 연구사례를 소개하고자 한다.

플라즈마 가스와 RF 파워에 따른 NiO 박막의 우선배향성 및 표면형상 변화 (The Evolution of Preferred Orientation and Morphology of NiO Thin Films under Variation of Plasma gas and RF Sputtering Power)

  • 류현욱;최광표;노효섭;박용주;권용;박진성
    • 한국재료학회지
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    • 제14권2호
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    • pp.121-125
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    • 2004
  • Nickel oxide (NiO) thin films were deposited on Si(100) substrates at room temperature by RF magnetron sputtering from a NiO target. The effects of plasma gas and RF power on the crystallographic orientation and surface morphology of the NiO films were investigated. X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and atomic force microscopy (AFM) were employed to characterize the deposited film. It was found that the type of plasma gases affected the crystallographic orientation, deposition rate, surface morphology, and crystallinity of NiO films. Highly crystalline NiO films with (100) orientation were obtained when it was deposited under Ar atmosphere. On the other hand, (l11)-oriented NiO films with poor crystallinity were deposited in $O_2$. Also, the increase in RF power resulted in not only higher deposition rate, larger grain size, and rougher surface but also higher crystallinity of NiO films.

The Effect of Chamber Pressure and Nitrogen Flow Rate on Deposition Characteristics of $(Ni_{0.8}Fe_{0.2})_{20}Ag_{80}$ Thin Films

  • Oh, T.S.;Choo, W.K.
    • 한국결정성장학회:학술대회논문집
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    • 한국결정성장학회 1997년도 Proceedings of the 12th KACG Technical Meeting and the 4th Korea-Japan EMGS (Electronic Materials Growth Symposium)
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    • pp.275-280
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    • 1997
  • We have investigated the deposition characteristics of (Ni0.8Fe0.2)20Ag80 thin films as a function of chamber pressure and nitrogen flow rate with scanning electron microscopy(SEM), atomic force microscopy(AFM), XRD and $\alpha$-step. The deposition rate of these film is decreased with increasing the chamber pressure and the nitrogen flow rate. With raising the chamber pressure, the growth mode of thin film is changed from island growth to columnar one, which is probably due to energy of atom. Contrary, the nitrogen flow rate is raised, growth mode is changed from columnar to island one. According to the XRD patterns, the preferred orientation is inhibited as the nitrogen flow rate is kept above 10 sccm, but that is nearly independent on the chamber pressure. When the chamber pressure decrease or the nitrogen flow rate increase, phase separation into permoally and silver is occured.

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Possibility of Magnetocapacitor for Multilayered Thin Films

  • Hong, Jong-Soo;Yoon, Sung-Wook;Kim, Chul-Sung;Shim, In-Bo
    • Journal of Magnetics
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    • 제17권2호
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    • pp.78-82
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    • 2012
  • CoNiFe(CNF)/$BaTiO_3(BTO)$/CoNiFe(CNF) multilayered thin films were deposited on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates by using pulsed laser deposition (PLD) system. We fabricated three different thin films of BTO, BTO/CNF and CNF/BTO/CNF for magneto-capacitor and studied their crystalline structure, surface and interface morphology, and magnetic and electrical properties. When three different structures of multilayered thin film were compared, magnetization of CNF/BTO/CNF thin films was decreased by magnetic and dielectric interaction. Also we confirmed that capacitance of CNF/BTO/CNF multilayered thin film was enhanced as being near tetragonal structure with increasing of c/a ratio because of atomic bonding at interface between BTO dielectric and CNF magnetic materials. Finally, we studied the change of the capacitance of CNF/BTO/CNF multilayered thin film with magnetic field for emergence of magnetocapacitance and suggested a possibility of enhanced capacitance.