• 한국태양에너지학회:학술대회논문집
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• 2009.04a
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• pp.235-240
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• 2009

Crystlline silicon solar cells markets are increasing at rapid pace. now, crystlline silicon solar cells markets screen-printing solar cell is occupying. screen-printing solar cells manufacturing process are very quick, there is a strong point which is a low cost. but silicon and metal contact, uses Ag & Al pates. because of, high contact resistance, high series resistance and sintering inside process the electric conductivity decreases with 1/3. and In pastes ingredients uses Ag where $80{\sim}90%$ is metal of high cost. because of low cost solar cells descriptions is difficult. therefore BCSC(Buried Contact Solar Cell) is developed. and uses light-induced plating, ln-line galvanization developed equipments. Ni/Cu matel contact solar cells researches. in Germany Fraunhofer ISE. In order to manufacture high-efficiency solar cells, metal selections are important. metal materials get in metal resistance does small, to be electric conductivity does highly. efficiency must raise an increase with rise of the curve factor where the contact resistance of the silicon substrate and is caused by few with decrement of series resistance. Ni metal materials the price is cheap, Ti comes similar resistance. Cu and Ag has the electric conductivity which is similar. and Cu price is cheap. In this paper, Ni/Cu/Ag metal contact cell with screen printing manufactured, silicon metal contact comparison and analysis.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2002.11a
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• pp.33-37
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• 2002

본 연구에서는 전해도금법을 이용하여 플립칩용 Ni, Ni-Cu 합금 UBM (Under Bump Metallurgy) 및 Sn-Ag 무연 솔더 범프를 형성하였다. 솔더 범프의 전해도금시 고속도금 방법으로 균일한 범프 높이를 갖도록 하는 도금 조건 및 도금 기판의 역할로서의 UBM의 영향을 조사하였다. Cu/Ni-Cu 합금/Cu UBM을 적용한 경우 음극시편의 전극 접점수를 증가시켰을 때 비교적 균일한 솔더 범프를 형성시킬 수 있었던 반면, Ni UBM의 경우는 접점수를 증가시켜도 다소 불균일한 솔더 범프를 형성하였다. 리플로 시간을 변화하여 범프 전단 강도 및 파단 특성을 조사하였는데 Ni UBM의 경우 Cu/Ni-Cu 합금/Cu UBM에 비해 전단강도가 다소 낮은 값을 가졌고 금속막이 웨이퍼에서 분리되는 파괴 거동이 관찰되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.133.2-133.2
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• 2016

차세대 디스플레이로 유연하고 투명한 기능들이 요구되면서 Indium Tin Oxide(ITO)를 대체하기 위한 투명전극 개발 연구가 많이 수행되고 있다. ITO는 높은 투과도와 낮은 저항으로 현재 가장 많이 활용되고 있는 투명전극 소재이지만 유연성이 떨어져 유연 터치 패널 소재로 활용하기 어렵다. 이러한 문제 해결을 위해 ITO 대체 물질로 CNT, Graphene, Metal mesh, Ag nano wire, 전도성 고분자 등의 차세대 투명 전극 소재가 대두되고 있다. 본 연구에서는 메탈 메쉬 전극 소재로 사용하기 위해 Cu 박막 증착 시 플라즈마 표면처리를 통해 밀착력 및 저항을 개선하였다. Cu 금속 박막의 양산화를 위한 공정으로 자체 제작한 Linear Ion Source(LIS)가 부착된 roll to roll 시스템을 적용하여 플라즈마 전처리 공정 및 Ni buffer layer 도입 이후 Cu 박막을 형성하였다. 그 결과 PET 기판과 Cu 박막 사이의 밀착력을 0 degree에서 5 degree까지 향상시킬 수 있었고, 플라즈마 표면처리를 시행함으로써 저항 또한 감소되는 결과를 얻을 수 있었다. 본 연구를 통해서 폴리머 기판 소재에 in-situ로 표면처리 및 Cu 금속 박막을 증착함으로써 금속 박막의 밀착력 및 전기적 특성이 향상되는 공정 기술을 개발하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.434-435
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• 2009

The crystalline silicon solar cell where the solar cell market grows rapidly is occupying of about 85% or more. high-efficiency and low cost endeavors many crystalline silicon solar cells. the fabrication processes of high-efficiency crystalline silicon solar cells necessitate complicated fabrication processes and Ti/Pd/Ag contact, however, this contact formation processed by expensive materials. Ni/Cu contact formation is good alternative. in this paper, according to temperature Ni silicide makes, produced Ni/Cu contact solar cell and measured conversion efficiency.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.148-148
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• 2016

디스플레이 시장이 rigid에서 flexible로 변화하기 시작하면서 유연 투명전극 소재에 대한 수요가 증가하고 있다. 투명전극으로 대표되는 Indium Tin Oxide(ITO)는 고투과 저저항의 장점을 가지지만 유연성이 떨어져 이를 대체 할 투명전극 소재로 Metal mesh, Ag nano-wire, CNT, Graphene, Conductive polymer 등에 대한 응용 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 Metal mesh 용 Cu thin film 형성을 위해 플라즈마 표면처리 기술로 플라스틱 기판과 Cu 박막 사이의 밀착력을 향상시키고자 공정 연구를 수행하였다. 고품질의 Cu thin film 제작을 위해 양산용 roll to roll 장비를 이용하였고, 선형이온소스를 적용하여 플라즈마 표면처리를 수행하였다. 이후 마그네트론 스퍼터링을 통해 Ni buffer layer 및 Cu 박막 증착 공정을 in-situ로 진행하였다. 이러한 공정을 통해 제작한 Cu thin film의 밀착력을 평가하기 위해 cross cut test(ASTM D3359)를 수행하였다. 그 결과 플라스틱 기판과 Cu 금속 박막 사이의 밀착력이 0B에서 5B까지 향상된 것을 확인하였고, 플라즈마 표면처리 공정을 통해서 저항 또한 감소되는 결과를 얻을 수 있었다. 본 연구를 통해 polyethylene terephthalate(PET)뿐만 아니라 polyimide(PI) 기판 상에서도 플라즈마 표면처리를 통해 금속 박막의 밀착력이 향상되는 결과를 확인하였으며, flexible copper clad laminate (FCCL) 같은 유연 정보 소자 분야에 응용 가능할 것으로 기대된다.

• 한국태양에너지학회:학술대회논문집
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• 2009.04a
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• pp.225-229
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• 2009

The front metal contact is one of the most important element influences in efficiency in the silicon solar cell. First of all selective of the material and formation method is important in metal contacts. Commercial solar cells with screen-printed contacts formed by using Ag paste process is simple relatively and mass production is easy. But it suffer from a low fill factor and a high shading loss because of high contact resistance. Besides Ag paste too expensive. because of depends income. This paper applied for Ni/Cu metallization replace for paste of screen printing front metal contact. Low cost Ni and Cu metal contacts have been formed by using electroless plating and electroplating techniques to replace the screen-printed Ag contacts. Ni has been proposed as a suitable silicide for the salicidation process and is expected to replace conventional silicides. Copper is a promising material for the electrical contacts in solar cells in terms of conductivity and cost. In experiments Ni/Cu metal contact applied same grid formation of screen-printed solar cell. And it has variation of different grid spacing. It was verified that the wide spacing of grid finger could increase the series resistance also the narrow spacing of grid finger also implies a grid with a higher density of grid fingers. Through different grid spacing found alteration of efficiency.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.13 no.3
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• pp.109-114
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• 2003

The purpose of this study Is to investigate the effect of $V_2$O$_{5}$ addition on the microstructures and magnetic properties of 7.7${\times}$4.5${\times}$1.0 mm sized multi-layer chip inductors prepared by the screen printing method using 0∼0.5 wt％ $V_2O_{5}$-doped NiCuZn ferrite pastes. With increasing the $V_2O_{5}$ content, the exaggerated grain growth of ferrite layers was developed due to the promotion of Ag diffusion and Cu segregation into the grain boundaries oi ferrites, which affected significantly the magnetic properties of the chip inductors. After sintering at $900^{\circ}C$, the inductance at 10 MHZ of the 0.5 wt％ $V_2O_{5}$-doped chip inductor was 3.7 ${\mu}$H less than 4.2 ${\mu}$H of the 0.3 wt% $V_2O_{5}$-doped one, which was thought to be caused by the residual stress at the ferrite layers increased with the promotion of Ag diffusion and Cu segregation. The quality factor of the 0.5 wt% $V_2O_{5}$-doped chip inductor decreased with increasing the sintering temperature, which was considered to be caused by the electrical resistivity of the ferrite layer decreased with the promotion of Ag/cu segregation at the grain boundaries and the growth of the mean grain size of ferrite due to exaggerated grain growth of ferrite layers.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.472.2-472.2
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• 2014

현재 결정질 실리콘 태양전지의 전 후면 전극의 형성은 스크린 프린팅 방법이 주를 이루고 있다. 스크린 프린팅 방법은 쉽고 빠르게 인쇄가 가능한 반면 단가가 높고 금속 페이스트에 첨가된 여러 혼합물에 의해서 전극과 기판 사이의 저항이 크다는 단점이 있다. 본 논문에서는 도금을 이용하여 태양전지의 전극을 형성한 후 태양전지의 전기적 특성을 비교하였다. 또한 단일반사방지막($SiN_x$) 증착 후 도금을 이용한 전극 형성 시 반사방지막의 pin-hole에 의해 전극 이외의 표면에 도금이 되는 ghost plating 현상이 발생하게 되는데, 이를 방지하기 위해 thermal oxidation을 이용하여 SiO2/SiNx 이중반사 방지막을 증착함으로써 ghost plating을 최소화 시켰다. Ni을 이용하여 전극과 기판 사이의 저항을 낮추었으며, 주요 전극은 Cu 도금을 사용함으로써 단가를 낮추었으며 마지막으로 Cu전극의 산화를 방지하기 위해 Ag을 이용하여 얇게 도금하였다. 실험에 사용된 Si 웨이퍼 특성은 p-형, $156{\times}156mm2$, $200{\mu}m$, $0.5{\sim}3.0{\Omega}{\cdot}cm$ 이다. 웨이퍼는 표면조직화, p-n접합 형성, 반사방지막 코팅을 하였으며 스크린 프린팅 방법을 이용해 후면 전극을 인쇄하고 열처리 과정을 통해 전극을 형성하였다. 이 후 전면에 레이저를 이용해 전극 패턴을 형성한 후 도금을 실행하여 태양전지를 완성하였다. 완성된 태양전지는 솔라 시뮬레이터, QE 및 TLM패턴을 이용하여 전기적 특성을 분석하였으며, SEM과 linescan, 광학현미경 등을 이용하여 전극을 분석하였다.

• Analytical Science and Technology
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• v.10 no.3
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• pp.187-195
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• 1997

Chemically modified electrodes(CMEs) for Ag(I) were constructed by incoporating 1,5,9,13-tetrathiacyclohexadecane([16]-ane-$S_4$) with a conventional carbon-paste mixture composed of graphite powder and nujol oil. Ag(I) ion was chemically deposited onto the surface of the modified electrode with [16]-ane-$S_4$ by immersion of the electrode in the acetate buffer solution(pH=4.5) containing $5.0{\times}10^{-4}M$ Ag(I) ion. And then the electrode deposited with Ag(I) was reduced at -0.3V vs. S.C.E. Well-defined stripping voltammetric peaks could be obtained by scanning the potential to the positive direction. The CME surface was regenerated with exposure to 0.1M $HNO_3$ solution and was reused for the determination of Ag(I) ion. When deposition/measurement/regeneration cycles were 10 times, the response could be reproduced with relative standard deviation of 6.08%. In case of differential pulse stripping voltammetry, the calibration curve for Ag(I) was linear over the range of $5.0{\times}10^{-7}{\sim}1.5{\times}10^{-6}M$. And the detection limit was $2.0{\times}10^{-7}M$. Various ions such as Cd(II), Ni(II), Pb(II), Zn(II), Mn(II), Mg(II), EDTA, and oxalate(II) did not influence the determination of Ag(I) ion, except Cu(II) ion.