• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.236-236
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• 2008

(Bi,La)$Ti_3O_{12}$(BLT) thin film is one of the most attractive materials for ferroelectric random access memory (FRAM) applications due to its some excellent properties such as high fatigue endurance, low processing temperature, and large remanent polarization [1-2]. The authors firstly investigated and reported the damascene process of chemical mechanical polishing (CMP) for BLT thin film capacitor on behalf of plasma etching process for fabrication of FRAM [3]. CMP process could prepare the BLT capacitors with the superior process efficiency to the plasma etching process without the well-known problems such as plasma damages and sloped sidewall, which was enough to apply to the fabrication of FRAM [2]. BLT-CMP characteristics showed the typical oxide-CMP characteristics which were related in both pressure and velocity according to Preston's equation and Hernandez's power law [2-4]. Good surface roughness was also obtained for the densification of multilevel memory structure by CMP process [3]. The well prepared BLT capacitors fabricated by CMP process should have the sufficient ferroelectric properties for FRAM; therefore, in this study the electrical properties of the BLT capacitor fabricated by CMP process were analyzed with the process parameters. Especially, the effects of CMP pressure, which had mainly affected the removal rate of BLT thin films [2], on the electrical properties were investigated. In order to check the influences of the pressure in eMP process on the ferroelectric properties of BLT thin films, the electrical test of the BLT capacitors was performed. The polarization-voltage (P-V) characteristics show a decreased the remanent polarization (Pr) value when CMP process was performed with the high pressure. The shape of the hysteresis loop is close to typical loop of BLT thin films in case of the specimen after CMP process with the pressures of 4.9 kPa; however, the shape of the hysteresis loop is not saturated due to high leakage current caused by structural and/or chemical damages in case of the specimen after CMP process with the pressures of 29.4 kPa. The leakage current density obtained with positive bias is one order lower than that with negative bias in case of 29.4 kPa, which was one or two order higher than in case of 4.9 kPa. The high pressure condition was not suitable for the damascene process of BLT thin films due to the defects in electrical properties although the better efficiency of process. by higher removal rate of BLT thin films was obtained with the high pressure of 29.4 kPa in the previous study [2].

• 조명전기설비학회논문지
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• 제23권12호
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• pp.146-153
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• 2009

최근 대형 건축물들은 접지그리드를 기반으로 한 공통접지방식을 채택하고 있다. 이러한 접지시스템의 성능평가는 접지저항만으로 불충분하므로 접지임피던스의 측정이 요구된다. 대형 접지시스템의 접지임피던스에 대한 측정 방법은 IEEE standard 81.2에 기술되었으나 세부적인 평가방법들은 제시되지 못한 상태이다. 본 논문은 15[m]$\times$15[m] 접지그리드에 대하여 수정된 전위강하법에 기반한 접지임피던스의 정확한 측정방법과 보조전극의 위치에 따른 도전유도 및 전자유도에 의한 측정오차를 기술한다. 그 결과 도전유도에 의한 오차는 보조전극의 거리가 늘어날수록 감소하였다. 전자유도에 의한 오차를 배제하기 위해서 전위측정선은 전류측정선과 90도를 이루어야 한다. 전위측정선과 전류측정선이 예각 또는 둔각을 이루었을 때 전자유도전압은 각각 + 또는 -를 나타내었다. 일반적으로 전자유도에 의한 오차는 예각에 비해서 둔각의 경로가 작게 나타났다.

• 전자공학회논문지
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• 제52권4호
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• pp.80-87
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• 2015

멤리스터는 인가된 전하의 크기에 따라 저항의 크기가 변화하고, 외부 전원이 끊겨도 이전의 저항 상태를 계속 기억하는 새로운 형태의 메모리소자이다. 일반적인 멤리스터는 직류 전압을 인가할 경우, 시간에 대해서 저항의 크기가 비선형적으로 프로그램밍되는 특성을 갖고 있다. 멤리스터에 대한 용이한 프로그램을 위해서는 시간에 대해서 저항의 크기가 선형적으로 증가 혹은 감소하는 것이 바람직하다. 본 연구팀은 과거 +, - 및 0 에 대한 가중치 프로그램이 가능한 멤리스터 브릿지 회로 구조를 제안한 바 있다. 멤리스터 브릿지 회로에서 두 개의 멤리스터는 서로 다른 극성으로 직렬 연결되고, 반대 극성의 멤리스터들 간의 상호 보완 관계에 의해 강력한 선형화 효과를 갖는다. 본 논문에서는 브릿지 회로의 시간에 대한 멤리스터의 선형적 프로그램 특성을 연구하였고, HP 사의 $TiO_2$ 멤리스터와 윈도우 기반 비선형성 멤리스터 모델을 사용하여 선형화 효과를 검증하였다. 멤리스터 브릿지 회로는 멤리스터를 이용한 시냅스 회로에서 시냅스의 가중치 프로그램을 수행할 경우, 유용하게 사용될 것으로 전망된다.

• 멤브레인
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• 제31권6호
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• pp.417-425
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• 2021

고용량 배터리에 대한 요구가 증가에 따라 기존 음극재보다 높은 용량(3,860 mAh/g)과 낮은 전기화학적 전위(-3.040 V)를 갖는 리튬 금속 기반 음극재에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 본 연구에서는 수열 합성을 통해 제작된 아나타제(anatase) 타입의 TiO₂ 나노 입자 기반한 PVdF-HFP/TiO₂ 복합체를 리튬 금속 음극의 계면 보호층으로 적용하였다. 결정구조 및 형상 분석을 통해 유/무기-리튬 나노복합체 박막의 형성을 확인하였다. 또한, 전지화학 테스트(사이클 테스트 및 전압 프로파일)를 통해 리튬 금속 음극의 전기화학 성능 은 복합체 보호막이 TiO₂ 10 wt%, 코팅 두께 1.1 ㎛의 조건에서 가장 개선된 전기화학적 성능(콜롱 효율 유지: 77 사이클 동안 90% 이상) 발현을 확인하였다. 이를 통해, 처리하지 않은 리튬 전극 대비 본 보호층에 의한 리튬 금속 음극의 성능 안정화/개선 효과가 검증되었다.

• 대한치과교정학회지
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• 제30권2호
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• pp.197-204
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• 2000

본 연구에서는 인체 골종양에서 유래한 G292세포를 이용하여 압력으로 세포막을 신장(stretch)시켰을 때 $K^+$통로의 전기적 찰성 변화를 연구하였다. 배양된 세포에서 유골전극을 이용하여 세포막 내측이 유리전극의 외부로 향하도록 inside-out patch를 얻어 단일이온통로전류를 막전압고정법 (patch clamp recording)으로 기록하였다. G292세포의 세포막 내외에 140 mM KCl 용액이 있는 상태에서 유리전극내 전압을 -80 mV로 고정했을 때 전도성이 $270\pm27\;pS,\;113\pm12\;pS,\;48\pm8\;pS$인 3가지 종류의 $K^+$통로를 관찰하였다. 전도성이 낮은 48 pS의 $K^+$통로는 모든 세포막에서 관찰하였으며 270 pS 및 113 pS의 $K^+$ 통로는 일부 세포에서만 관찰하였다. 48 pS의 $K^+$통로는 세포막 외측에 음의 전압을 가하면 활성화되고 양의 전압을 가하면 활성화되지 않는 외향성 정류특성을 보였다. 세포막 외측에 음압을 가하면 48 pS의 $K^+$통로는 활성화되었으며 이온 통로가 열리는 확률($P_{open}$)이 가하는 압력에 비례하여 증가하였다. 이러한 결과는 G292세포주에 3가지 종류의 $K^+$통로가 존재하며 전도성이 낮은 48 pS의 $K^+$통로만이 세포막 신장에 의하여 직접적으로 활성화되는 특성을 보였다. 이러한 $K^+$ 통로의 활성화는 세포가 기계적 자극을 받아 세포막이 신장되면 세포막전압을 과분극시키며 조골세포에서 기계적 감수기로서의 기능을 수행하여 조골세포의 골개조에 관여할 것으로 추측된다.순에서는 수술 후 잉여 연조직에 의한 두께의 증가가 나타나고 상순에서는 구륜근에 의한 장력에 의해 상순의 두께가 감소하였다가 보정 기간 후 새로운 악골 위치로 적응하는 것으로 생각된다.다. 5. II급고무줄과 수직고무줄 적용 시를 비교해 보면 수직고무줄 장착시 전치부 치근막에 인장력이 더 넓게, 그 크기는 더 작게 나타났다. 반면에 구치부 치근막에 나타나는 응력의 분포와 크기는 별 차이를 보이지 않았다. 5. 전치부 치근막 인장부위에서 인장력은 견치에서 제일 컸다.상적 제1대구치간 치열궁 폭경의 예측이 1 mm의 오차한계 이내로 예측된 경우는 Cha 들의 예측식이 $40\%$ 로 가장 높으며, Pont와 Schmuth의 예측식은 각각 $29\%$와 $13\%$ 이었다. 이상의 결과는 상악 절치의 근원심 폭경의 합으로부터 이상적 제1소구치간 치열궁 폭경 및 제1대구치간 치열궁 폭경을 예측하는 것은 임상적 신뢰성이 낮을 것임을 시사한다.교정력을 효과적으로 전체 치열로 전달할 수 있는 독특한 기계적 특성을 지니고 있는 것으로 생각된다..7. 구순 반흔 제거수술시기로는 4-6세군 ($27.5\%$), 6-8세군 ($19.6\%$), 2-4세군 ($13.7\%$)이 $60\%$이상을 차지하여 초등학교 취학 전에 구순의 반흔을 제거하려 함을 알 수 있었다. 8. 비변형 교정수술시기로는 0-2세군 ($7.1\%$), 2-4세군 ($14.3\%$), 4-6세군 ($21.4\%$), 6-8세군 ($14.3\%$)으로 초등학교 취학이전이 $57.1\%$로서 최근의 조기 치료경향을 반영하는 것으로 보인다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권3호
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• pp.21-32
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• 2006

본 논문에서는 누설전력 소비뿐만 아니라 스위칭 전력 소비를 동시에 줄일 수 있는 새로운 저전력 SRAM 회로를 제안한다. 제안된 저전력 SRAM은 대기모드와 쓰기동작에서는 셀의 소스라인 전압을 $V_{SSH}$로 증가시키고 읽기동작에서만 소스라인 전압을 다시 $V_{SS}$가 되도록 동적으로 조절한다. SRAM 셀의 소스라인 전압을 동적으로 조절하면 reverse body-bias 효과, DIBL 효과, 음의 $V_{GS}$ 효과를 이용하여 셀 어레이의 누설전류를 1/100 까지 감소시킬 수 있다. 또한 누설전류를 억제하기 위해 사용된 소스라인 드라이버를 이용하여 SRAM의 쓰기동작에서 비트라인 전압의 스윙 폭을 $V_{DD}-to-V_{SSH}$로 감소시킴으로써 SRAM의 write power를 대폭 감소시킬 수 있고 쓰기동작 중에 있는 셀들의 누설 전류 소비도 동시에 줄일 수 있다. 이를 위해 새로운 write driver를 사용하여 low-swing 쓰기동작 시 성능 감소를 최소화하였다. 누설전력 소비 감소 기법과 스위칭 전력 소비 감소 기법을 동시에 사용함으로써 제안된 SRAM은 특히 미래의 큰 누설전류가 예상되는 70-nm 이하 급 초미세 공정에서 유용할 것으로 예측된다. 70-nm 공정 파라미터를 이용해서 시뮬레이션한 결과 누설전력 소비의 93%와 스위칭 전력 소비의 43%를 줄일 수 있을 것으로 보인다. 본 논문에서 제안된 저전력 SRAM의 유용성과 신뢰성을 검증하기 위해서 $0.35-{\mu}m$ CMOS 공정에서 32x128 bit SRAM이 제작 및 측정되었다. 측정 결과 기존의 SRAM에 비해 스위칭 전력이 30% 적게 소비됨을 확인하였고 사용된 메탈 차폐 레이어로 인해서 $V_{DD}-to-V_{SSH}$ 전압이 약 1.1V 일 때까지 오류 없이 동작함을 관측하였다. 본 논문의 SRAM 스위칭 전력감소는 I/O의 bit width가 증가하면 더욱 더 중요해질 것으로 예상할 수 있다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2000년도 추계학술발표회 초록집
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• pp.3-4
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• 2000

Many researchers are interested in the synthesis and characterization of carbon nitride and diamond-like carbon (DLq because they show excellent mechanical properties such as low friction and high wear resistance and excellent electrical properties such as controllable electical resistivity and good field electron emission. We have deposited amorphous carbon nitride (a-C:N) thin films and DLC thin films by shielded arc ion plating (SAIP) and evaluated the structural and tribological properties. The application of appropriate negative bias on substrates is effective to increase the film hardness and wear resistance. This paper reports on the deposition and tribological OLC films in relation to the substrate bias voltage (Vs). films are compared with those of the OLC films. A high purity sintered graphite target was mounted on a cathode as a carbon source. Nitrogen or argon was introduced into a deposition chamber through each mass flow controller. After the initiation of an arc plasma at 60 A and 1 Pa, the target surface was heated and evaporated by the plasma. Carbon atoms and clusters evaporated from the target were ionized partially and reacted with activated nitrogen species, and a carbon nitride film was deposited onto a Si (100) substrate when we used nitrogen as a reactant gas. The surface of the growing film also reacted with activated nitrogen species. Carbon macropartic1es (0.1 -100 maicro-m) evaporated from the target at the same time were not ionized and did not react fully with nitrogen species. These macroparticles interfered with the formation of the carbon nitride film. Therefore we set a shielding plate made of stainless steel between the target and the substrate to trap the macropartic1es. This shielding method is very effective to prepare smooth a-CN films. We, therefore, call this method "shielded arc ion plating (SAIP)". For the deposition of DLC films we used argon instead of nitrogen. Films of about 150 nm in thickness were deposited onto Si substrates. Their structures, chemical compositions and chemical bonding states were analyzed by using X-ray diffraction, Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and infrared spectroscopy. Hardness of the films was measured with a nanointender interfaced with an atomic force microscope (AFM). A Berkovich-type diamond tip whose radius was less than 100 nm was used for the measurement. A force-displacement curve of each film was measured at a peak load force of 250 maicro-N. Load, hold and unload times for each indentation were 2.5, 0 and 2.5 s, respectively. Hardness of each film was determined from five force-displacement curves. Wear resistance of the films was analyzed as follows. First, each film surface was scanned with the diamond tip at a constant load force of 20 maicro-N. The tip scanning was repeated 30 times in a 1 urn-square region with 512 lines at a scanning rate of 2 um/ s. After this tip-scanning, the film surface was observed in the AFM mode at a constant force of 5 maicro-N with the same Berkovich-type tip. The hardness of a-CN films was less dependent on Vs. The hardness of the film deposited at Vs=O V in a nitrogen plasma was about 10 GPa and almost similar to that of Si. It slightly increased to 12 - 15 GPa when a bias voltage of -100 - -500 V was applied to the substrate with showing its maximum at Vs=-300 V. The film deposited at Vs=O V was least wear resistant which was consistent with its lowest hardness. The biased films became more wear resistant. Particularly the film deposited at Vs=-300 V showed remarkable wear resistance. Its wear depth was too shallow to be measured with AFM. On the other hand, the DLC film, deposited at Vs=-l00 V in an argon plasma, whose hardness was 35 GPa was obviously worn under the same wear test conditions. The a-C:N films show higher wear resistance than DLC films and are useful for wear resistant coatings on various mechanical and electronic parts.nic parts.

• 한국수정란이식학회지
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• 제19권2호
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• pp.89-99
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• 2004

음압에 의한 세포막 신전으로 열리는 Stretch-activated channel(SAC)은 세포의 부피조적, 세포의 분화, 혈관 긴장도의 조절, 호르몬 분비 조절에서 SAC 존재 유무를 확인하기 위하여 patch clamp기법을 시행하여 SAC의 조절기전과 전기생리학적인 성질을 조사하였다. 음압이 주어지기 전에는 관찰되지 않던 단일통로 전류가 -20 cm$H_2O$이하의 음압이 주어졌을 때 관찰되었다. 음압에 의해 열리는 단일통로 전류는 $Na^+$이나 $K^+$과 같은 일가 양이온이 존재할 때 관찰되었으나 대신 비투과성인 tetramethylamonium이나 meglumine과 같은 양이온으로 교환해 주면 나타나지 않았다. 이는 이 단일 통로 전류가 양이온만을 투과시키는 nonselective cationic channel(NSC)을 통하여 이동하는 stretch-activated NSC(SA-NSC)임을 시사하였다. 이 SA-NSC 전류는 적혈구나 양서류 난자에서 관찰된 SAC의 전류-전압 관계와 유사한 inward rectification 양상을 나타내었으며 PKA에 의하여 통로활성이 증가하였다. 햄스터 난자에서 관찰되는 SA-NSC는 수정 전부터 2-세포 배아기까지 관찰되었으며 통로전류의 크기는 수정란과 1-세포기 배아에서 가장 크게 관찰되었으며 2-세포기 배아에서는 그 크기가 현저하게 감소하였다. 이와 같이 본 연구에서는 햄스터 난자의 발생 초기 단계에서 전기생리학적 기법을 사용하여 처음으로 SA-NSC존재를 직접 확인하였다. 세포 항상성 유지에 필수적인 이 통로의 일반적인 속성으로 미루어 보아, 햄스터 난자의 수정 전후 난자의 활성과 초기 배아 분화 및 발달에 필수적인 역할을 할 것으로 생각된다.}$1.50개였다. 또한 배란된 성숙난자의 채란 율은 각각 70.2, 74.7 및 54.3%로서 41~50시간째에 회수하였을 때가 가장 낮았다. 두당 회수율에 있어서도 8.25${\pm}$1.34, 8.87${\pm}$1.10 및 5.00${\pm}$1.30개로서 회수시간에 따른 유의적인 차이는 없었다. 회수한 난포내 미성숙 난자의 등급에 있어서 회수시간대별 1등급은 각각 24.2, 19.5 및 12.0%였으며, 2등급의 경우는 41~50시간이 4.0%로서 29~34시간과 35~40시간의 14.4% 및 16.2%보다 유의적(P<0.05)으로 낮았다. 난자의 pH 조절과 용적조절과 같은 생리적 환경 조성에 관여할 것으로 추정된다.았으며, 난포내 난자의 회수율은 투여 호르몬 및 반복사용 여부에 따른 차이는 없었다.떤 특정한 질환의 환자가 상대적으로 많을 가능성이 있으므로 국내에서의 소아 신질환의 발병형태를 보다 체계적으로 조사하고 이를 자료화하기 위해서는 개별 기관들의 연구결과만으로는 미흡하다고 생각되며, 이를 위해서는 전국적인 협동조사가 필요하다고 사료된다.9%$, 좌측 $22.2{\pm}3.9%$, 전체 $44.2{\pm}7.8%$보다 유의하게 감소되었다(p<0.01). 4) 양측성 미만성 결손을 보인 급성 신우신염시 상대적 신섭취율은 우측 $48.9{\pm}1.9%$, 좌측 $51.0{\pm}1.9%$로 대조군의 우측 $49.4{\pm}2.6%$, 좌측 $50.2{\pm}2.5%$에 비해 유의한 차이가 없었으나 절대적 신섭취율은 우측 $18.1{\pm}3.9%$,

• 대한수의학회지
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• 제33권4호
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• pp.735-746
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• 1993

Electrocardiographic parameters of amplitude and the shape of waves on the unipolar precordial chest leads in the normal Korean native cattles have been measured with a 3 channel electrocardiograph built in a computed and analysis. The study was conducted on 98 heads of mean age of 17.6 months. The wave forms of P, T and QRS complex wave in all leads showed various types. The parameters of the amplitude in the wave types showed the most frequency in each lead that were analyzed as follow : 1. In P wave, amplitudes of positive type showed a frequency of 92.9% and 93.9% in leads $CV_6LU$ and $CV_6LL$ that were $83.8{\pm}31.0{\mu}V$ and $76.0{\pm}30.7{\mu}V$, and negative type showed a frequency of 97.9% in lead V 10 that were $-80.2{\pm}29.4{\mu}V$, respectively. But the plate type in leads $CV_6RU$ and $CV_6RL$ showed frequency of 48% and 58.3%, respectively. 2. Average amplitude of the QRS complex were in a range of $277.0{\pm}154.0{\mu}V$ to $648.2{\pm}146.2{\mu}V$(mean of $418.8{\pm}139.4{\mu}V$) in all leads that were manifested the Low-Voltage QRS complex(below 1 mV in unipolar precordial leads). Average amplitudes of each wave type in the QRS complex were $-250.0{\pm}139.8{\mu}V$ and $-399.2{\pm}226.8{\mu}V$ in the QS group types that showed a frequency of 50.0% and 82.5% in the leads $CV_6LU$ and $CV_6LL$, respectively. And average amplitudes of the R group types showed a frequency of 85.6%, 56.1% and 75.8% in the $CV_6RU$, $CV_6RL$ and $V_{10}$ that were $321.5{\pm}142.1{\mu}V$, $271.6{\pm}139.9{\mu}V$ and $552.4{\pm}132.7{\mu}V$, respectively. 3. In T waves, Amplitudes of the positive type showed a frequency of 60.2%, 46.9% and 83.7% in leads of $CV_6LL$, $CV_6RU$ and $CV_6RL$ that were respectively $184.7{\pm}93.7{\mu}V$ $103.7{\pm}64.43{\mu}V$ and $111.8{\pm}39.3{\mu}V$, the negative type showed a frequency of 62.2% and 93.7% in leads $CV_6LU$ and $V_{10}$ that were $142.2{\pm}82.1{\mu}V$ and $-280.3{\pm}107.2{\mu}V$, respectively. 4. Average amplitude of ST segment were $3.7{\pm}33.1{\mu}V$, $0.9{\pm}23.1{\mu}V$, $10.9{\pm}28.6{\mu}V$, $5.8{\pm}28.3{\mu}V$ and $-34.7{\pm}48.4{\mu}V$ in leads $CV_6LL$, $CV_6RU$, $CV_6RL$, $CV_6LU$ and $V_{10}$ respectively.

• 대한수의학회지
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• 제33권4호
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• pp.719-734
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• 1993

The electrocardiographic(ECG) parameters on the standard limb leads in the normal Korean native cattle have been measured with a 3 channel Electrocardiograph built in a computed analysis. The study was conducted on the animals 98 heads of mean age of 17.7 months. Conduction parameters, waves, intervals and segments have been recorded. The recordings were analyzed as to shape and amplitude of the P and T waves and the components of the QRS complex. Heart rate was recorded by the Electrocardiogram which were a mean of $80.4{\pm}11.6beats/min$. And the younger had a higher heart rate than the older one. Average conduction times in the RP, the QRS complex and the QTc interval recorded $166.7{\pm}23.1msec.$, $79.7{\pm}8.8msec.$ and $395.5{\pm}30.4msec.$, in the P and T wave duration recorded $70.1{\pm}13.5msec.$ and $97.6{\pm}16.9msec.$, and in the PR and ST segment duration recorded $97.9{\pm}23.5msec.$ and $173.9{\pm}40.3msec.$, respectively. The wave forms in each lead observed various types. The amplitudes of wave type showed the highest frequency in each lead that were analyzed as follow : 1. In P wave, amplitudes of the positive type showed the frequency of 65.3%, 82.7% and 52.0% in leads I, II and III that were $103.1{\pm}47.8{\mu}V$, $115.2{\pm}37.3{\mu}V$ and $67.4{\pm}26.9{\mu}V$, and it showed the frequency of 54.1% and 85.7% in the leads aVL and aVF that were $63.7{\pm}23.0{\mu}V$, $88.0{\pm}83.6{\mu}V$, respectively. Average amplitude of the negative type showed the frequency of 78.6% in lead aVR which was $99.3{\pm}38.0{\mu}V$. 2. Average amplitude of the QRS complex were from $362.8{\pm}177.7{\mu}V$ to $532.8{\pm}253.9{\mu}V$(mean of $449.1{\pm}57.2{\mu}V$) that in all leads except lead I were manifested the Low-Voltage QRS complex(below 0.5mV). Average amplitudes of each wave type in the QRS complex aere $-50.2.4{\pm}258.2{\mu}V$ and $-428.6{\pm}195.1{\mu}V$ in the QS groups type that showed a frequency of 66.3%, 70.4% in the leads I and aVL, were $451.1{\pm}20.4.0{\mu}V$, $387.6{\pm}175.8{\mu}V$ and $299.3{\pm}146.5{\mu}V$ in the R groups type that showed a frequency of 48.0%, 53.1% and 34.7% in the leads III, aVR and aVF, and were $-307.5{\pm}180.3{\mu}V$, $201.4{\pm}77.2{\mu}V$ in the QR wave type which showed a frequency of 39.8% in lead II, respectively. 3. In T wave, amplitude of the positive type showed the frequency of 50.0%, 82.7%, 51.0% and 57.1% in leads II, III aVR and aVF which were $214.9{\pm}115.6{\mu}V$, $188.5{\pm}119.3{\mu}V$, $191.0{\pm}93.7{\mu}V$ and $165.7{\pm}91.9{\mu}V$, and the negative type showed a frequecny of 66.3% and 72.5% in leads I and aVL. that were $221.3{\pm}112.5{\mu}V$, $-173.6{\pm}86.7{\mu}V$, respectively. 4. Amplitude of ST segment in leads I, II and III were a mean of $-12.2{\pm}37.2{\mu}V$, $17.5{\pm}42.6{\mu}V$ and $28.3{\pm}40.4{\mu}V$, in leads aVR, aVL and aVF were $-3.9{\pm}32.5{\mu}V$, $-15.9{\pm}35.6{\mu}V$ and $26.2{\pm}37.5{\mu}V$, respectively.