• 제목/요약/키워드: Near band edge

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졸-겔법에 의한 c-축 배향성을 가진 고투과율 ZnO 박막의 제조 (Sol-gel Derived-highly Transparent c-axis Oriented ZnO Thin Films)

  • 이영환;정주현;전영선;황규석
    • 한국안광학회지
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    • 제13권1호
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    • pp.71-76
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    • 2008
  • 목적: 저온에서 열처리에 의해 소다-라임-실리카 유리 위에 강한 UV방사 나노결정 ZnO박막을 단순하고 효율적 방법으로 개선하고자 한다. 방법: 소다-라임-실리카 유리 위에 코팅되고 전열처리 및 300$^{\circ}C$의 후열처리를 행하여 제조된 나노 결정질 ZnO 박막의 결정 구조적, 표면 형상적 및 광학적 특성을 X-선 회절 분석, 전계방사 주사형 전자 현미경, 원자간력 현미경, ultra violet - visible - near infrared spectrophotometer 및 photoluminescence를 이용하여 분석하였다. 결과: 가시광 영역에서 높은 투과율과 자외부에서 뚜렷한 흡수밴드를 갖는 c-축으로 고배향된 ZnO 박막을 300$^{\circ}C$의 후열처리를 통하여 얻을 수 있었다. 비교적 뚜렷한 near band edge 발광을 보이는 photoluminescence 스펙트럼이 나타났으며, 결함에 의한 완만한 녹색 발광은 거의 관찰되지 않았다. 결론: 앞으로 본 연구는 300$^{\circ}C$ 이하의 저온에서 저렴하고 쉽게 ZnO을 기초로한 광전기 소자에 적용될 것이다.

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드론 기반 초분광 영상을 이용한 배추 단수 추정의 최적밴드 선정 (Selection on Optimal Bands to EstimateYield of the Chinese Cabbage Using Drone-based Hyperspectral Image)

  • 나상일;박찬원;소규호;안호용;이경도
    • 대한원격탐사학회지
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    • 제35권3호
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    • pp.375-387
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    • 2019
  • 드론 기반의 초분광 영상은 원격탐사 활용에 고해상도의 많은 장점을 제공한다. 본 연구의 목적은 배추의 단수 추정의 최적밴드를 선정하는 것이다. 초분광 영상은 드론에 탑재한 초분광 이미지 센서를 활용하여 403.36~995.19 nm 파장 범위를 대상으로 3.97 nm 간격으로 150개의 밴드를 수집하였으며, 배추 생체중 데이터는 2,031개의 배추를 대상으로 현장에서 직접 조사하였다. 적색, 적색경계 및 근적외 밴드를 조합하여 계산된 정규화 식생지수와 객체별 배추 생체중과의 관계를 정량적으로 비교한 결과, 697.29 nm(적색 밴드), 717.15 nm(적색경계 밴드) 및 808.51 nm(근적외 밴드)를 조합하여 산출한 식생지수가 배추의 생체중을 가장 잘 설명하는 것으로 나타났다. 본 연구를 통해 배추 생산성을 평가하는데 가시광 및 근적외 파장대에서 3개의 최적밴드를 선정하였다.

Zno 박막의 Helium 열처리에 대한 효과 (The effect of helium thermal treatment using ZnO thin films)

  • 유경열;;박형식;장경수;정성욱;정한욱;윤의중;이준신
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.145-145
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    • 2010
  • It is observed from SEM images that many voids were created after annealed by helium gas. The PL spectra of the ZnO samples revealed the strong violet emission peaks at 3.05 eV with the relative weak near band edge UV emissions. It was concluded from experiment results that native $Zn_i$ and $V_o$ donor defect levels can be generated below the conduction band edge due to the incorporation of helium atoms decomposed from helium gas into the ZnO matrix. He atoms in ZnO matrix will affect the interface trap existing in depletion regions located at the grain boundaries, which leads to the creation of $Zn_i$ and $V_o$ donor defect levels.

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저압 유기 금속 화학 증착법으로 성장시킨 GaN박막의 캐소드루미네슨스에 대한 연구 (Catchodoluminescence Study of GaN Films Grown by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition)

  • 홍창희
    • 전자공학회논문지D
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    • 제36D권5호
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    • pp.63-68
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    • 1999
  • 본 논문에서는 저압 유기 금속 화학증착법으로 성장시킨 GaN박막들을 실온 케소드루미네슨스 방법으로 광학적 특성을 측정하여 결정성장 메커니즘과 광학적 특성과의 관계를 규명하였다. 관측된 스펙트럼은 주로 364nm의 강한 band-edge emission 피크와 550nm의 깊은 준위 피크이었다. 빔 전류의 증가에 따라 364nm 스펙트럼의 세기가 깊은 준위 발광 스펙트럼보다 크게 증가시켰다. 이는 성장 초기 GaN박막의 결정 결함이 깊은 준위 발광 스펙트럼과 깊은 관계가 있음을 나타내 주고 있다. 또한 미세 결정 구조와 깊은 준위 발광 스펙프럼과의 관계 분석을 위해 주사형 전자현미경 사진과 캐소드루미네슨스 스펙트럼을 비교 검토하였다.

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하천 녹조 모니터링을 위한 드론 다중분광영상의 분광지수 적용성 평가 (Application of Spectral Indices to Drone-based Multispectral Remote Sensing for Algal Bloom Monitoring in the River)

  • 최은영;정경미;윤종수;장정희;김미정;이호중
    • 대한원격탐사학회지
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    • 제37권3호
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    • pp.419-430
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    • 2021
  • 신속하게 면단위(2-Dimension)로 하천의 녹조 우심지역을 관측하기 위해 드론 다중분광영상을 이용한 분석기법을 연구하였다. 드론은 항공기나 위성에 비해 관측 면적이 작지만 높은 공간해상도와 현장접근 및 데이터 획득 용이성, 대기에 의한 간섭 저감, 다중분광센서를 이용한 신속한 자료처리로 녹조 모니터링 효율성을 향상시킬 수 있을 것으로 보고 있다. 이러한 드론의 다중분광센서 영상으로 하천의 녹조발생 현황을 모니터링하기 위해 광합성 색소에 의한 분광특성을 반영하는 분광지수들을 비교 분석하고 Chlorophyll-a(Chl-a) 농도 추정식에 적용 가능성을 평가하였다. 주로 Red-edge 밴드를 포함하는 분광지수가 Chl-a 농도와 높은 상관성을 보였는데, 그 중에서도 3-Band Model(3BM), Normalized Difference Chlorophyll Index(NDCI)가 각각 비슷한 수준으로 가장 높은 통계적 유의성(R2=0.86, RMSE=7.5)을 나타내었다. NDCI의 경우에는 두 개의 분광밴드만 적용되는 간결한 수식과 정규화된(Normalizing) 결과값으로 신속하고 표준화된 프로세싱이 가능할 것으로 보이며 드론 녹조 모니터링에서 적용성이 높을 것으로 기대된다. 3BM의 경우에는 Red-edge 영역에서 두 개의 파장대를 적용해야 하나 본 연구에서 사용한 드론 센서에는 한 개의 Red-edge 밴드만 포함되어서 근적외선으로 대체하여 수식을 적용하였는데 Red-edge 파장영역이 세밀한 분광센서를 활용할 경우에 NDCI 보다 높은 정확도를 나타낼 수 있을 것으로 보인다.

$MgIn_2Se_4 및 MgIn_2Se_4 : Ni^{2+}$ 단결정 성장의 광학적 특성에 관한 연구 (Optical Properties of Undoped and $Ni^{2+}$ -doped $MgIn_2Se_4$ Single Crystals)

  • 김형곤;김병철;신석두;김덕태;최영일;김남오
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제48권1호
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    • pp.12-17
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    • 1999
  • $MgIn_2Se_4 and MgIn_2Se_4 : Ni^{2+}$ single crystals were grown in the rhombohedral structure by the chemical transport reaction (C.T.R.) method using iodine as a transport agent. The optical absorption measured near the fundamental band edge showed that the optical energy band structure of these compounds had a direct band gap. The fundamental absorption band edge of these single crystals shift to a shorter wavelength region by decreasing temperature and the temperature dependence of the optical energy gaps in these compounds satisfy Varshni equation. The impurity optical absorption peaks due to nickel are observed in $MgIn_2Se_4 and MgIn_2Se_4 : Ni^{2+}$ single crystal. These impurity optical absorption peaks can be attributed to the electronic transitions between the split energy levels of $Ni_{2+}$ ions located at $T_d$ symmetry site of $MgIn_2Se_4$ host lattice. In the hotoluminescence spectrum of the single crystal at 10 K, a blue emission with a peak at 687nm and a green emission with a peak at 815nm for the $MgIn_2Se_4$ single crystal were observed.

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Structural analysis and photoluminescent study of thin film rhombohedral zinc orthosilicate doped with manganese

  • Yoon, Kyung-Ho;Kim, Joo-Han
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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    • pp.114-114
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    • 2010
  • In this study, structural properties and photoluminescent characteristics of thin film rhombohedral zinc orthosilicate doped with manganese ($Zn_2SiO_4:Mn$) were investigated. The $Zn_2SiO_4:Mn$ films showed a pronounced absorption edge in the near ultraviolet wavelength region and a high optical transparency in the visible spectral range. The maximum transmittance reached 0.922 at 597 nm, which was very close to the transmittance of the fused quartz substrate alone (0.935). The $Zn_2SiO_4:Mn$ films were composed of rhombohedral polycrystalline grains with random crystallographic orientation. The broad-band photoluminescence emission peaked at around 525 nm was observed from the $Zn_2SiO_4:Mn$ films, which was ascribed to the radiative relaxation from the $^4T_1$ lowest excitation state to $^6A_1$ ground state of 3d5 electrons in divalent manganese ion. The excitation band exhibited a peak maximum at 259 nm in the near ultraviolet region, which was considered to be associated with the charge transfer transition of divalent Mn ion in the $Zn_2SiO_4$ system.

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Charge Redistribution of Pt-based Alloys

  • Lim, K.Y.;Chung, Y.D.;Kwon, S.Y.;Lee, Y.S.;C.N.Whang;Y.Jeon;Park, B.S.
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.171-171
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    • 1999
  • We studied the charge redistribution in the Pt-M (M=Cu, Co) alloys by X-ray Absorption Near Edge Spectroscopy(XANES) and X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS). These analysis tools provide us information about the charge transfer in the valence band of intermetallic bonding. The samples were prepared by arc-melting method. After annealing this samples in vacuum for several hours, we cold get the ordered samples, which were confirmed with XRD analysis. the core and valence level energy shift in these system were investigated by Mg $K\alpha$(1253.6eV) x-ray source for Pt-Co alloys and monochromatized Al $K\alpha$ (1486.6eV) for Pt-Cu alloys. Pt L2, L3-edge, and Cu, Co K-edge XANES spectra were measured with the total electron-yield mode detector at the 3Cl beam line of the PLS (Pohang light source0. from the changes of White line (WL) area and the core level shifts of the each metal sites, we can obtain the information about the electrons participating in the intermetallic bonding of the Pt-Cu and Pt-Co alloys.

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합성용질확산법에 의한 GaP결정의 성장과 전기루미네센스 특성 (On the Crystal Growth of Gap by Synthesis Solute Diffusion Method and Electroluminescence Properties.)

  • 김선태;문동찬
    • 한국재료학회지
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    • 제3권2호
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    • pp.121-130
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    • 1993
  • 합성용질확산법으로 GaP 단결정을 성장시키고, 몇가지 성질을 조사하였다. 결정성장용 석영관을 전기로내에서 1.75mm/day의 속도로 하강시킴으로써 양질의 GaP 단결정을 성장하였다. 에치피트 밀도는 결정의 성장축 방향으로 3.8 ${\times}{10^4}$c$m^{-2}$부터 2.3 ${\times}{10^5}$c$m^2$이었다. 에너지갭의 온도의존성은 실험적으로 $E_g$(T)=[2.3383-(6.082${\times}{10^{-4}}$)$T^2$(373.096+T)eV로 구하여졌다. 저온에서의 광루미네센스 스펙트럼은 구속된 여기자의 복사재결합과 재결합 과정에 포논의 참여로 인하여 에너지갭 부근의 복잡한 선 스펙트럼이 나타났다. n형의 GaP내에서 Zn의 확산깊이는 확산시간의 제곱근에 비례하였으며, 확산계수의 온도의존성은 D(T)=3.2${\times}{10^3}$ exp(-3.486/KbTc$m^2$/sec이었다. p-nGaP 동종접합다이오드의 전기루미제센스 스펙트럼은 깊은 준위의 도너인 Zn-O 복합중심(complex center)과 Zn가 형성한 역셉터 준위사이의 도너-억셉터 쌍 재결합 천이에 의한 630nm의 발광과 에너지갭 부근의 케리어 재결합 처이에 의한 550nm의 발광으로 구성되었으며, 100mA보다 낮은 전류 영역에서 광자의 방출은 bane-filling 과정으로 이루어 진다.

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$Mg_{0.16}Zn_{0.84}Te:Co $단결정 성장과 광흡수 특성 (Crystal growth and optical absorption of $Mg_{0.16}Zn_{0.84}Te:Co $ single crystal)

  • 정상조
    • 한국결정성장학회지
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    • 제7권4호
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    • pp.548-554
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    • 1997
  • 수직 Bridgman방법으로 $Mg_{0.18}Zn_{0.84}$Te:Co(Co:0.01 mole%)단결정을 성장시켰다. 성장된 단결정의 결정구조와 광흡수 spectra를 연구하였다. X 선 회절무늬로부터 성장된 단결정의 구조는 cubic구조이었고 격자상수 a=6.1422 $\AA$이었다. 광흡수 측정결과 $Co^{2+}$ 이온에 기인된 $A-band:^4A_2(^4F){\to}^4T_2(^4F),\; B-band:^4A_2(^4F){\to}^4T_1(^4F), C- band:^4A_2(^4F){\to}^4T_1(^4P)$의 intracenter transition과, 흡수단 근처의 charge transfer에 의한 photoionization transition에 관계된 D-band를 550-770 nm의 파장영역에서 관측하였다. 또한 결정장 이론에 의해 결정매개변수(Dq)와 Racah parameter(B)를 결정하였다.

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