• 대한치과보철학회지
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• 제51권3호
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• pp.167-174
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• 2013

연구 목적: 본 연구는 서로 다른 세가지 블라스팅 처리를 한 티타늄 디스크에$Nd:YVO_4$ 레이저 조사 조건을 달리한 후 조사하여 티타늄의 표면 거칠기 및 표면 변화를 관찰하기 위함이다. 연구 재료 및 방법: 디스크 형태의 상용 순수 티타늄 시편을 30개 준비하여 시료 표면을 각각 10개씩 $ZrO_2$ (zirconium dioxide), $Al_2O_3$ (aluminium oxide), RBM (resorbable blasted media)으로 블라스팅(blasting)하고 초음파 세척하였다. $Nd:YVO_4$ 레이저(Laser Pro D-20, Laserval $Korea^{(R)}$, Seoul, South Korea)에서 주사속도(100, 300, 500 mm/s)와 시간당 진동량(반복률) (5, 15, 35 kHz)을 다르게 하여 9가지 조건을 설정하였다. 레이저 조사 후 주사전자현미경, X-선 회절 분석 및 에너지 분산X선 분광분석, 표면 거칠기 분석을 통해 각 시편을 평가하고 분석하였다. 결과: 주사전자현미경의 결과 레이저 조사를 시행하지 않은 티타늄 표면은 방향성이 없는 불규칙한 형상을 보였고 레이저 조사를 처리한 시편은 특징적인 형태가 관찰되었다. X-선회절분석결과$ZrO_2$, RBM 의 고유피크는 관찰되지 않았으나 $Al_2O_3$분사한 군에서는 알루미나의 고유 피크가 관찰되었다. 에너지 분산X선 분광분석을 통해 관찰한 티타늄의 산화도 경향성과 표면 거칠기는 유사하였다. 표면 거칠기는 주사속도와 반복률에 따른 차이를 보였다(P<.05). 결론: 레이저 조사 조건에 따라 티타늄 디스크의 미세구조와 표면 거칠기가 변화되었다. 레이저 조사는 골유착을 증진시키기 위한 임플란트 표면을 변화시키는 방법중의 하나로 여길 수 있을 것이다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1368-1371
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• 2007

Laser-ablated ITO patterns showed the formation of shoulders at the edge of the ITO lines and a ripple-like structure of the etched bottom. When the laser ablation was applied in the fabrication of PDP panel, the laser-ablated ITO patterns showed a higher sustaining voltage than that of chemically wet-etched ITO.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2009년도 창립 20주년기념 특별학술발표회
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• pp.249-250
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• 2009

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권11호
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• pp.8-12
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• 2008

AC PDP에 사용되는 ITO 전극의 공정시간을 단축시키고 생산성을 향상시키기 위해서 Nd:$YVO_4$ laser를 사용하여 ITO 전극 패턴을 하였다. ITO etchant를 사용하여 ITO 전극패턴을 형성한 샘플과 비교해서 laser를 사용하여 제작한 샘플은 ITO 라인 끝 부분에 shoulder와 물결무늬가 형성되었다. shoulder와 물결무늬의 제거를 위해서 laser의 펄스반복율과 스캔 속도에 변화를 주었다. 또한 shoulder와 물결무늬를 갖는 ITO 전극이 PDP에 주는 영향을 알아보기 위해서 방전특성분석을 하였다. 실험결과 40 kHz와 500 mm/s를 기본 조건으로 결정하였다. 본 실험을 통하여 레이저를 이용한 PDP용 ITO 전극막의 직접 패터닝 가능성을 확인할 수 있었다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제34권11호
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• pp.1765-1771
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• 2010

MEMS 소자의 공정에서 가공된 비아 홀 품질은 소자의 성능에 가장 중요한 요소의 하나이다. Nd:$YVO_4$ 레이저로 가공한 비아 홀에 대한 레이저 미세가공의 일반적인 특징을 설명하고 그것의 측정에 대한 효율적인 최적화 방법을 소개한다. 본 논문의 최적화 방법은 직교다항식, 분산분석과 반응표면최적화는 최적 레이저 공정변수를 결정하고 주요 영향을 이해하는데 사용된다. 유의한 레이저 공정변수를 확인하고 이의 비아 홀 품질에 관한 영향을 고찰하였다. 레이저 공정변수의 최적 수준을 가지는 확인 실험은 최적화 방법의 유효성을 설명하기 위해 수행하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제14권2호
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• pp.59-62
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• 2013

At an infra-red (IR) wavelength of 1,064 nm, a diode-pumped Q-switched $Nd:YVO_4$ laser was used for the direct patterning of various transparent conductive oxide (TCO) thin films on glass substrate. With various laser beam conditions, the laser ablation results showed that the indium tin oxide (ITO) film was removed completely. In contrast, zinc oxide (ZnO) film was not etched for any laser beam conditions and indium gallium zinc oxide (IGZO) was only ablated with a low scanning speed. The difference in laser ablation is thought to be due to the crystal structures and the coefficient of thermal expansion (CTE) of ITO, IGZO, and ZnO. The width of the laser-patterned grooves was dependent on the film materials, the repetition rate, and the scanning speed of the laser beam.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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• pp.76-79
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• 2005

$Nd:YVO_4$ 연속발진 레이저(CW laser:Continuous wave laser)로 제작한 다결정 실리콘 박막의 이온도핑 효과를 조사하였다. PECVD로 증착한 비정질 실리콘 박막을 CW 레이저를 조사하여 결정화한 후 $B_2H_6$ 플라즈마 이온 도즈량을 변화시켜 이온 도핑을 하고 급속열처리 방법과 퍼니스 어닐링 방법으로 도펀트 활성화를 하였다. 이온 도핑된 CW 다결정 실리콘 박막의 이온 도즈량에 따른 판저항 변화를 비교하고, 급속열처리(RTA: Rapid Thermal Annealing)와 퍼니스 어닐링(FA: Furnace Annealing) 전후의 결정성 변화를 라만 스펙트럼(Raman spectrum) 을 통하여 분석하였다. 이온 도즈량이 증가함에 따라 판저항은 감소하고, 어닐링 후 이온 도핑에 의해 손상된 박막이 복원됨을 확인 할 수 있다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제18권3호
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• pp.72-76
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• 2019

A Q-switched diode-pumped neodymium-doped yttrium vanadate (YVO₄, λ =1064nm) laser was used for the direct patterning of indium tin oxide (ITO) films on glass substrate. During the laser direct patterning, the laser beam was incident on the two different directions of glass substrate and the laser ablated patterns were compared and analyzed. At a low scanning speed of laser beam, the larger laser etched lines were obtained by laser beam incident in reverse side of glass substrate. On the contrary, at a higher scanning speed, the larger etched pattern sizes were found in case of the beam incidence from front side of glass substrate. Furthermore, it was impossible to find no ablated patterns in some laser beam conditions for the laser beam from reverse side at a much higher scanning speed and repetition rate of laser beam. The laser beam is expected to be transferred and scattered through the glass substrate and the laser beam energy is thought to be also dispersed and much more influenced by the overlapping of each laser beam spot.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.245-245
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• 2010

This paper and the rear passivation experiment was local back surface field Nd:$YVO_4$ green laser and the experiment was used performed to screen printing. Laser power 100%, with a fixed frequency for 60kHz Current of 29A and 30A were tested in two conditions. The point contact distances of 0.2mm, 0.4mm, 0.6mm, 0.8mm and 29A and 30A current conditions, it was found that is suitable for 0.4mm.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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• pp.938-940
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• 2003

고출력 반도체 레이저(500mW)의 출력광 파장 809nm과 반도체 레이저로 여기되는 Nd:YVO4레이저의 출력광 파장 1064nm를 공진기 내부에서 비선형 광학 소자인 KTP(Potassium titanyl posphate : KTPiOPO$_4$)를 사용하여 합주파 발생 실험을 행하여 459nm의 청색레이저를 얻었다. 제2의 위상 정합 정합조건($\psi$=90$^{\circ}$, $\theta$=90$^{\circ}$)에서 반도체 레이저의 입력광 세기가 400mW일 때 청색레이저의 최대 출력 0.95mW를 얻었으며, 청색레이저의 발진문턱입력 세기는 120mW이었다.