• 제목/요약/키워드: Narrow Channel Effect

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A Modified Delay and Doppler Profiler based ICI Canceling OFDM Receiver for Underwater Multi-path Doppler Channel

  • Catherine Akioya;Shiho Oshiro;Hiromasa Yamada;Tomohisa Wada
    • International Journal of Computer Science & Network Security
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    • 제23권7호
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    • pp.1-8
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    • 2023
  • An Orthogonal Frequency Division Multiplexing (OFDM) based wireless communication system has drawn wide attention for its high transmission rate and high spectrum efficiency in not only radio but also Underwater Acoustic (UWA) applications. Because of the narrow sub-carrier spacing of OFDM, orthogonality between sub-carriers is easily affected by Doppler effect caused by the movement of transmitter or receiver. Previously, Doppler compensation signal processing algorithm for Desired propagation path was proposed. However, other Doppler shifts caused by delayed Undesired signal arriving from different directions cannot be perfectly compensated. Then Receiver Bit Error Rate (BER) is degraded by Inter-Carrier-Interference (ICI) caused in the case of Multi-path Doppler channel. To mitigate the ICI effect, a modified Delay and Doppler Profiler (mDDP), which estimates not only attenuation, relative delay and Doppler shift but also sampling clock shift of each multi-path component, is proposed. Based on the outputs of mDDP, an ICI canceling multi-tap equalizer is also proposed. Computer simulated performances of one-tap equalizer with the conventional Time domain linear interpolated Channel Transfer Function (CTF) estimator, multi-tap equalizer based on mDDP are compared. According to the simulation results, BER improvement has been observed. Especially, in the condition of 16QAM modulation, transmitting vessel speed of 6m/s, two-path multipath channel with direct path and ocean surface reflection path; more than one order of magnitude BER reduction has been observed at CNR=30dB.

온도기울기 농축(TGF) 향상을 위한 미세채널 형상 최적화 연구 (Geometric Optimization of a Microchannel for the Improvement of Temperature Gradient Focusing)

  • 한태헌;김선민
    • 한국유체기계학회 논문집
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    • 제14권2호
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    • pp.17-24
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    • 2011
  • Temperature gradient focusing (TGF) of analytes via Joule heating is achieved when electric field is applied along a microchannel of varying width. The effect of varying width of the microchannel for the focusing performance of the device was numerically studied. The governing equations were implemented into a quasi-1D numerical model along a microchannel. The validity of the numerical model was verified by a comparison between numerical and experimental results. The distributions of temperature, velocity, and concentration along a microchannel were predicted by the numerical results. The narrower middle width and wider outside width of the channel having the fixed length contribute to improve the focusing performance of the device. However, too narrow middle width of the channel generates a higher temperature which can cause the problems including sample denaturation and buffer solution boiling. Therefore, the channel geometry should be optimized to prevent these problems. The optimal widths of the microchannel for the improvement on TGF were proposed and this model can be easily applied to lab-on-a-chip (LOC) applications where focusing is required based on its simple design.

실내 환경에서 초광대역 무선통신을 이용한 양방향 위치인식 기법의 성능 분석 (Performance Analysis of TWR Positioning Technique with Ultra Wideband in Indoor Channel)

  • 배정남;최영훈;김진영
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제47권7호
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    • pp.18-22
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    • 2010
  • 본 논문에서는 실내 환경에서 초광대역 무선통신을 이용한 양방향 위치인식 기법의 성능을 분석하였다. 실험 환경은 IEEE802.15.3a 채널을 사용하였고, 위치인식 기법으로 TOA를 적용하여 분석하였다. 초광대역 무선통신 기술은 낮은 송신 전력으로 기존 시스템에 간섭의 영향이 적고, 주파수 공유가 가능하므로 주파수 효율을 높일 수 있다. 그리고 매우 좁은 폭을 갖는 펄스를 사용하기 때문에 위치인식의 정밀도가 높다. 비동기 TWR 프로토콜을 이용한 TOA방식은 단말과 기지국뿐만 아니라 기지국들 간에도 동기화를 수행하지 않아도 되는 장점이 있다. 모의실험을 통하여 초광대역 무선통신을 이용한 위치인식 기법의 실내 채널 영향에 대한 오류 확률 및 위치인식 성능에 대해 분석하였고 제안된 기법의 유용성을 확인하였다.

좁은 수로에 설치된 항로표지의 배치 및 기능에 관한 고찰 - 서남해안의 좁은 수로 사례를 중심으로 - (Study on the Arrangement and Function of AtoN on Narrow Channels - Focused on the Cases of Narrow Channels on Southwestern Coast of Korea -)

  • 이홍훈;김득봉;권유민
    • 해양환경안전학회지
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    • 제28권2호
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    • pp.297-306
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    • 2022
  • 항로표지는 항행하는 선박에 대하여 가항수역의 위치·방향 및 장애물의 위치 등을 알려주는 항행보조시설이다. 항로표지가 가항수역의 한계를 표시할 때에는 해당 수역을 처음 이용하는 항해자의 입장에서 편리하게 이용할 수 있도록 배치되어야 한다. 우리나라의 서남해안에는 지형적인 영향으로 많은 수의 좁은 수로가 형성되어 있으며, 좁은 수로를 따라 IALA 해상부표식에 따른 측방표지 및 방위표지 등이 배치되어 있다. 본 연구는 우리나라 서남해안 좁은 수로에 배치된 항로표지가 양식장 개발 등의 해상교통 환경 변화 이후, 선박운항 안전에 대한 역할을 제대로 수행하고 있는지 검토한 실증 사례 연구이다. 서남해안의 5가지 좁은 수로에 대한 사례 검토 결과, 항로표지가 표시하는 가항수역 상에 양식장이 분포하여 항로표지로서의 역할을 제대로 수행하지 못하는 것으로 나타났다. 본 연구의 결과로, 해당 항로표지의 종별 혹은 위치 변경, 양식장 표지의 설치, 해도상 양식장 위치 표기 등의 개선방안을 제시하였다.

불발 음원이 탄성파탐사 성능에 미치는 영향 (Effect of Different Misfired Source on Seismic Survey Quality)

  • 유해수;장재경;양승진
    • 한국음향학회지
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    • 제18권7호
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    • pp.75-79
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    • 1999
  • 다중채널 탄성파 음원배열에서 불발 음원에 따라 탐사 성능에 미치는 영향을 확인하기 위하여 음원배열의 빔 패턴과 원거리장 파형 변화를 비교 분석하였다. 원거리장 파형의 주신호 진폭은 전체 건 부피의 약 40%에 해당하는 음원들이 불발을 일으킬 경우, 탐사성능이 66% 정도 유지되는 것으로 확인되었다. 154㎐에서 같은 간격의 음원들이 불발 시에는 배열 형태와 관계없이 길이 및 폭 배열의 빔 폭이 동일하게 나타난다. 길이 배열의 빔 패턴에서는 불발된 음원의 부피가 증가됨에 따라 빔 폭이 41°에서 34°로 좁아지는 경향을 나타낸다. 따라서 부피가 작은 음원 배열일수록 빔폭이 좁고 양호한 파형이 생성되므로 작은 에너지가 요구되는 천부 지층탐사에 적합한 것으로 확인되었다.

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측면산화 프리크리닝의 최소화를 통한 DRAM의 데이터 유지시간 개선 (Enhancement of Data Retention Time in DRAM through Optimization of Sidewall Oxidation Precleaning)

  • 채용웅;윤광렬
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제7권4호
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    • pp.833-837
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    • 2012
  • SC1(Standard Cleaning) 시간을 줄여 STI 측벽에서의 실리콘 손실 및 과도절개를 최소화하여 DRAM에서의 데이터 유지시간을 증가시키는 방법을 제안한다. SC1 시간 최적화를 통해 STI 상층 모서리부에서의 기생 전기장을 약화시킴으로서 Inverse Narrow Width 효과를 감소시키면 셀 트랜지스터의 Subthreshold 누설의 증가없이 채널 도핑농도가 감소하게 된다. 이것은 셀 접합에서 P-Well간 공핍 영역에서의 전기장을 최소화하여 일드나 데이터 유지시간의 증가를 보여 주었다.

벌크 FinFET의 기술 동향 및 이슈 (Trend and issues of the bulk FinFET)

  • 이종호;최규봉
    • 진공이야기
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    • 제3권1호
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    • pp.16-21
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    • 2016
  • FinFETs are able to be scaled down to 22 nm and beyond while suppressing effectively short channel effect, and have superior performance compared to 2-dimensional (2-D) MOSFETs. Bulk FinFETs are built on bulk Si wafers which have less defect density and lower cost than SOI(Silicon-On-Insulator) wafers. In contrast to SOI FinFETs, bulk FinFETs have no floating body effect and better heat transfer rate to the substrate while keeping nearly the same scalability. The bulk FinFET has been developed at 14 nm technology node, and applied in mass production of AP and CPU since 2015. In the development of the bulk FinFETs at 10 nm and beyond, self-heating effects (SHE) is becoming important. Accurate control of device geometry and threshold voltage between devices is also important. The random telegraph noise (RTN) would be problematic in scaled FinFET which has narrow fin width and small fin height.

Self-heating Induced Linear Kink Effect in Poly-Si TFTs

  • Lee, Seok-Woo;Kang, Ho-Chul;Oh, Kum-Mi;Kim, Eu-Gene;Park, Soo-Jeong;Lim, Kyoung-Moon;Kim, Chang-Dong;Chung, In-Jae
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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    • pp.1038-1040
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    • 2005
  • Linear kink effect (LKE) induced mainly by selfheating on the reliability of divided channel poly-Si TFTs has been studied. The LKE was enhanced for compact designed structure to achieve narrow bezel, which was explained by the difference in heat dissipation capability, thus self-heating immunity in TFT.

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트렌치 깊이에 따른 트랜지스터와 소자분리 특성 (Characteristics of Transistors and Isolation as Trench Depth)

  • 박상원;김선순;최준기;이상희;김용해;장성근;한대희;김형덕
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
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    • pp.911-913
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    • 1999
  • Shallow Trench Isolation (STI) has become the most promising isolation scheme for ULSI applications. The stress of STI structure is one of several factors to degrade characteristics of a device. The stress contours or STI structure vary with the trench depth. Isolation characteristics of STI was analyzed as the depth of trench varied. And transistor characteristics was compared. Isolation punch-through voltage for n$^{+}$ to pwell and p$^{+}$ to nwell increased as trench depth increased. n$^{+}$ to pwell leakage current had nothing to do with trench depth but n$^{+}$ to pwell leakage current decreased as trench depth increased. In the case of transistor characteristics, short channel effect was independent on trench depth and inverse narrow width effect was greater for deeper trenches. Therefore in order to achieve stable device, it is important to minimize stress by optimizing trench depth.

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Design Optimization of a Type-I Heterojunction Tunneling Field-Effect Transistor (I-HTFET) for High Performance Logic Technology

  • Cho, Seong-Jae;Sun, Min-Chul;Kim, Ga-Ram;Kamins, Theodore I.;Park, Byung-Gook;Harris, James S. Jr.
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제11권3호
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    • pp.182-189
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    • 2011
  • In this work, a tunneling field-effect transistor (TFET) based on heterojunctions of compound and Group IV semiconductors is introduced and simulated. TFETs based on either silicon or compound semiconductors have been intensively researched due to their merits of robustness against short channel effects (SCEs) and excellent subthreshold swing (SS) characteristics. However, silicon TFETs have the drawback of low on-current and compound ones are difficult to integrate with silicon CMOS circuits. In order to combine the high tunneling efficiency of narrow bandgap material TFETs and the high mobility of III-V TFETs, a Type-I heterojunction tunneling field-effect transistor (I-HTFET) adopting $Ge-Al_xGa_{1-x}As-Ge$ system has been optimized by simulation in terms of aluminum (Al) composition. To maximize device performance, we considered a nanowire structure, and it was shown that high performance (HP) logic technology can be achieved by the proposed device. The optimum Al composition turned out to be around 20% (x=0.2).