• 한국결정성장학회지
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• 제23권5호
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• pp.218-223
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• 2013

본 연구에서는 LCD 또는 LED를 이용한 디스플레이 장치의 BLU 반사판으로 사용할 목적으로 무전해도금에 의하여 플라스틱 기판위에 성장되어진 은 나노코팅의 반사율 특성을 조사하였다. 은 나노코팅의 미세구조는 아주 미세한 나노크기의 은 결정들로 이루어진 다결정 나노코팅인 것을 확인할 수 있었으며 코팅 층의 두께가 증가함에 따라 환원, 석출된 은 나노결정입자의 크기도 비례하여 증가되었다. 은 나노코팅의 두께가 증가함에 따라 가시광선 영역의 반사율이 감소하였으며 파장이 짧을수록 반사율의 감소가 더 심하였다. 나노코팅의 두께 증가에 따른 반사율의 감소는 환원 석출된 은나노결정의 크기와 밀접하게 관련된 것으로 은 결정입자가 클수록 요철의 정도가 심하여 반사율이 감소하는 것으로 생각되어진다. 그래서 가능한 미세한 은 나노결정을 환원, 석출시키고 코팅두께를 얇게 하는 것이 반사율 관점에서 바람직한 것으로 판단되어진다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.517-519
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• 2009

We fabricated thin film polarizer by coating lyotropic chromonic liquid crystals (LCLCs) dissolved in anionic monomer solution. Compared to water-based technique, the new method provided many advantages such as excellent coatability, good adhesion to various substrates, and superb surface hardness.

• Applied Microscopy
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• 제44권3호
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• pp.105-109
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• 2014

The microstructure of as-quenched $Al_{70}Cu_{18}Mg_{12}$ alloy has been investigated in detail using transmission electron microscopy. Al nano-crystals about 5 nm with a high density are distributed in the amorphous matrix, indicating amorphous matrix nano-composite can be synthesized in Al-Cu-Mg alloy. The high density of Al nano-crystals indicates very high nucleation rate and sluggish growth rate during crystallization possibly due to limited diffusion rate of solute atoms of Cu and Mg during solute partitioning. The result of hardness measurement shows that the mechanical properties can be improved by designing a nano-composite structure where nanometer scale crystals are embedded in the amorphous matrix.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제11권4호
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• pp.186-189
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• 2010

Nano-sized MgO single crystal powders have recently been reported to emit ultraviolet by stimulation of electrons in a vacuum. In this study, nanocrystalline MgO powders were applied to a xenon plasma flat fluorescent lamp (FFL) for a liquid crystal display backlight to improve its emission efficiency through the extra ultraviolet from the nano-MgO crystals. For comparison, a MgO nano-thin film was applied directly on the phosphors inside a lamp panel through e-beam evaporation. Adding MgO nano-crystal powders to the phosphors improved the luminance and efficiency of FFLs by around 20% and MgO nano-crystal coverage of 40% of the phosphor provided the best FFL emission characteristics; however, application of MgO thin film to the phosphors degraded the emission characteristics, even compared to FFLs without MgO. This was due to insufficient ultraviolet stimulation of the phosphors and the crystallinity and low secondary electron coefficient of the MgO.

• 한국결정성장학회지
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• 제19권5호
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• pp.246-250
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• 2009

NiO 나노 결정을 수소 분위기에서 환원시켜 Ni 금속이 형성되는 거동에 대하여 고찰하였다. NiO 나노 결정은 $Ni(NO_3)_2\cdot6H_2O$를 열처리하여 얻었고, 200~500 nm의 입도와 정 팔면체의 형상을 나타내었다. 이 결정은 일반적인 합성조건에서는 잘 형성되지 않는 불안정 상태인 불안정상태인 (111)면이 발달한 결정체였다. 환원은 300과 $600^{\circ}C$에서 15분과 60분간 수행하였다. NiO 결정의 환원은 불안정한 (111)면에서 우선적으로 일어나기 시작하였으며, $300^{\circ}C$ 환원에서는 팔면체 형상을 유지하면서 Ni로 환원되었다. $600^{\circ}C$ 환원에서는 팔면체 결정의 facet 면이 사라지고, 인접한 결정립들 간의 neck가 형성되면서 Ni 상의 입자로 응집되어가는 것을 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제19권4호
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• pp.184-189
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• 2009

$Ni(NO_3)_2{\cdot}6H_2O$를 원료로 하여 고온에서 열처리함으로써 얻어진 NiO 나노 결정의 성장거동에 대하여 고찰하였다. 성장된 결정의 상은 정 8면체의 구조를 갖고 있었으며, 200${\sim}$500 nm 크기로 성장하였다. $900^{\circ}C$에서 2시간 동안 열처리하였을 때, $600^{\circ}C$ 이하의 열처리 온도에서 나타나지 않았던 (110)과 (100) facet이 생성되는 것을 관찰할 수 있었다 또한 $900^{\circ}C$ 열처리에서는, $600^{\circ}C$ 이하의 온도에서 열처리 한 시료보다 크기가 작은 결정상이 neck을 형성하면서 성장하였음을 관찰하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.1389-1392
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• 2009

A series of new symmetric TTF derivatives were designed and synthesized. This facile synthetic method provides an opportunity to prepare TTF-based LC candidates. This series of compounds exhibited smectic A phase based on coplanar TTF core. One of the LC compounds was used as a semiconductor layer to fabricate OTFT.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제1권1호
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• pp.40-49
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• 2001

We have developed a repeatable process of forming uniform, small-size and high-density self-assembled Si nano-crystals. The Si nano-crystals were fabricated in a conventional LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) reactor at $620^{\circ}c$ for 15 sec. The nano-crystals were spherical shaped with about 4.5 nm in diameter and density of $5{\times}l0^{11}/$\textrm{cm}^2$. More uniform dots were fabricated on nitride film than on oxide film. To take advantage of the above-mentioned characteristics of nitride film while keeping the high interface quality between the tunneling dielectrics and the Si substrate, nitride-oxide tunneling dielectrics is proposed in n-channel device. For the first time, the single electron effect at room temperature, which shows a saturation of threshold voltage in a range of gate voltages with a periodicity of ${\Delta}Ｖ_{GS}\;{\approx}\;1.7{\;}V$, corresponding to single and multiple electron storage is reported. The feasibility of p-channel nano-crystal memory with thin oxide in direct tunneling regime is demonstrated. The programming mechanisms of p-channel nano-crystal memory were investigated by charge separation technique. For small gate programming voltage, hole tunneling component from inversion layer is dominant. However, valence band electron tunneling component from the valence band in the nano-crystal becomes dominant for large gate voltage. Finally, the comparison of retention between programmed holes and electrons shows that holes have longer retention time.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제5권2호
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• pp.1-5
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• 2006

The GaN thin film on the 8 periods InGaN/GaN multi-quantum well structure was grown on the sapphire substrate using metal-organic chemical vapor deposition. The nano-scaled triangular-lattice holes with the diameter of 150 nm were patterned on a polymethylmethacrylate blocking film using an electron beam nano-lithography system. The thin slab and two-dimensional photonic crystals with the thickness of 28 nm were fabricated on the GaN layer for the blue light diffraction sources. The photonic crystal with the lattice parameter of 460 nm enhances spectral intensity of photoluminescence indicating that the photonic crystals provides the source of nano-diffraction for the blue light of the 450-nm wavelength.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권3호
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• pp.138-143
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• 2002

본 연구에서는 용액합성법(solution synthesis technique)에 의해 ZnS : Cu nano 입자를 합성하였고, 결정구조 및 입자형상 등의 구조적 특성과, 광흡수/투과 특성, 에너지밴드갭, 그리고 photoluminescence(PL) 여기 및 발광 특성 등의 광학적 특성을 분석하였다. 일반적인 용액상태의 화학적 합성 방법과는 달리 합성온도를 $80^{\circ}C$로하였으며, sulfur의 precursor로 thiourea를 채택하여 Cu 도핑의 용이성을 구현하였다. 합성된 undoped ZnS 와 ZnS : Cu nano 입자는 모두 cubic 구조를 가졌으며 구형입자로 합성되었고, 광흡수단의 위치도 모두 ~305 nm에 나타나서 양자사이즈효과가 발생하였음을 알 수 있었다. PL 발광강도와 반가폭은 Cu 도핑농도가 0.03M 일 때 각각 최고치와 최저치를 나타냈는데, 이와 같이 용액합성법에 의해 합성된 ZnS : Cu 에서 Cu 의 농도변화에 따른 PL 스펙트럼의 강도와 반가폭의 변화는 본 연구에서 최초로 보고되는 것이다. 광흡수단 측정 및 PL 여기 실험결과, 본 연구의 주된 발광피크인 ~510 nm 발광밴드는 Cu에 의해 에너지밴드갭 내에 형성된 발광재결합센터를 통한 것임을 알 수 있었다.