• 제목/요약/키워드: Nand Flash

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임베디드 X-시스템 개발 (Development of Embedded X-System)

  • 정갑중
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2008년도 춘계종합학술대회 A
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    • pp.641-644
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    • 2008
  • 본 논문은 지능형 임베디드 시스템의 GUI 구현에 관한 논문이다. 지능형 임베디드 시스템의 GUI 구현을 위해 사용된 X 윈도우 시스템과 그래픽 라이브러리의 구조 및 동작에 대해 논하고 지능형 임베디드 시스템의 X-시스템에 필요한 기능 및 구성 요소에 대해 조사 및 분석을 통한 리눅스 커널과의 동작 및 기능 검증 구현을 보인다. 저성능 및 저전력이며 고용량 메모리를 탑재한 임베디드 시스템의 하나인 지능형 임베디드 X-시스템에서 적용 가능하도록 요구되는 기능과 동작을 구현하고 소형 운영체제를 위한 GUI 개발에 적용 가능하다. 이러한 소형 운영체제 및 이를 위한 X-시스템은 지능형 개인정보서비스를 위한 임베디드 플랫폼 시스템으로써 개인용 정보의 지능형 서비스 기능을 지원하고 새로운 소형 운영체제를 탑재한 시스템의 개발에 적용 가능하다. 본 논문에서는 이러한 지능형 임베디드 X-시스템과 응용 소프트웨어 및 서비스 개발을 위한 GUI환경 구현에 대하여 기술한다.

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LCD 생산라인의 생산성 향상을 위한 초박형 유리진동 계측 시스템의 개발 (Development of a Thin Glass Vibration Measuring System for Productivity Improvement of LCD Manufacturing Line)

  • 오영교;이정욱;선주영;곽정석;원문철;이현엽
    • 센서학회지
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    • 제20권5호
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    • pp.336-342
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    • 2011
  • Recently, the LCD manufacturing industries try to maximize the productivity of LCD panels due to sharp increase in the market need of LCD display. Usually, the increase in manufacturing speed induces additional vibration of glasses and manufacturing machineries. This kind of vibration can induce bad effects on the manufacturing accuracy, and even can damage the glasses. The vibration signal of glass itself is very useful to predict the allowable maximum level of manufacturing speed. Therefore, it is necessary to measure the vibration of the glass itself and a very thin vibration measurement system attachable on the glass is needed. Since in some processes the glasses need to go through very thin gaps such as 2.5mm, We develop a glass vibration measurement system with the thickness of 1.3mm. The system measures the glass vibration using MEMS type accelerometers and store vibration data in a Nand-Flash memory. The performance of the develop system has been verified on a real LCD manufacturing line and the accuracy of vibration measurement is comparable with that of an accurate commercial vibration measurement system.

SSD 성능 향상을 위한 DRAM 버퍼 데이터 처리 기법 (DRAM Buffer Data Management Techniques to Enhance SSD Performance)

  • 임광석;한태희
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제48권7호
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    • pp.57-64
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    • 2011
  • SSD(Solid State Disk)는 호스트 인터페이스와 낸드 플래시 메모리의 대역폭 차이를 완충하기 위한 버퍼로 DRAM을 적용하고 있다. 본 논문에서는 대역폭이 높은 고가의 DRAM을 사용하는 대신 저비용으로 SSD의 성능을 향상시킬 수 있는 효과적인 방법을 제안하였다. SSD 데이터는 사용자 데이터, 사용자 데이터 관리를 위한 메타데이터, 데이터의 오류 제어를 위한 FEC(Forward Error Correction) 패리티/CRC(Cyclic Redundancy Check) 등 크게 세 가지로 구분할 수 있다. 본 논문에서는 데이터 유형 별 특성을 고려하여 성능을 향상시키기 위해 모니터링 시스템을 통한 가변적인 버스트 데이터 처리 방법과 페이지 단위를 이용한 FEC 패리티/CRC 방식을 적용하였다. 실험을 통하여 0.07%의 무시할만한 칩 면적의 증가만으로 평균 25.9%의 SSD 성능 개선을 확인할 수 있었다.

SSD에서의 TRIM 명령어 처리 성능 분석 및 Ext4 파일 시스템으로의 적용 (An Analysis on the Performance of TRIM Commands on SSDs and its Application to the Ext4 File System)

  • 손효봉;이영재;김용석;김진수
    • 정보과학회 컴퓨팅의 실제 논문지
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    • 제21권1호
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    • pp.52-57
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    • 2015
  • 본 논문에서는 SSD의 TRIM 명령어 처리 성능을 LBA 범위의 특성 및 개수에 따라 분석하고, 그 결과를 바탕으로 Ext4 파일 시스템에서의 TRIM 명령어 처리 성능을 개선하였다. 대부분의 SSD에서 LBA 범위의 크기가 크고, 섹터 번호가 정렬 및 연속되어 있으며, 하나의 TRIM 명령어로 다수의 LBA 범위 정보를 전달할수록 TRIM 명령어의 처리 성능이 증가하는 것으로 나타났다. 한편, 기존의 Ext4 파일 시스템은 이와 같이 다수의 LBA 범위 정보를 전달할 때 그 성능이 더 높음에도 불구하고, 하나의 TRIM 명령어 당 하나의 LBA 범위 정보만 전달하는 문제점을 가지고 있다. 이를 해결하기 위해 하나의 TRIM 명령어로 최대 64개의 LBA 범위 정보를 전달하도록 Ext4 파일 시스템을 개선하였고, Filebench를 이용한 성능 평가에서 파일 삭제 성능이 최대 35% 증가하는 것을 확인하였다.

3차원 낸드 플레쉬에서 타원형 GAA SONOS 셀의 프로그램과 삭제 특성 연구 (Study of Program and Erase Characteristics for the Elliptic GAA SONOS Cell in 3D NAND Flash Memory)

  • 최득성;이승희;박성계
    • 전자공학회논문지
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    • 제50권11호
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    • pp.219-225
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    • 2013
  • 본 논문은 소노스(SONOS) 형태의 타원형 게이트 올 어라운드(GAA) 구조를 갖는 플레쉬 셀의 프로그램과 삭제 특성을 채널의 이심률 변화에 대해 연구 하였다. 타원형 GAA SONOS 셀의 쓰기와 삭제에 대한 해석적 모델을 제안하고 평가하였다. 점진적 계단형 펄스 프로그램(ISPP)시 타원의 이심률이 증가할수록 인가 전압에 대해 문턱전압이 비선형적으로 변화한다. 이는 2차원 소노스 구조나 원형 3차원 GAA 구조에서 선형적 특성을 보이는 것과는 매우 다른 모습이다. ISPP 특성에 대한 모사의 결과는 실험적 결과와 잘 부합됨을 발견할 수 있다.

터널링 산화막 두께 변화 및 열처리에 따른 Al2O3/TaAlO4/SiO2 다층막의 전기적 특성에 관한 연구 (Electrical Characteristics of Al2O3/TaAlO4/SiO2 Multi-layer Films by Different Tunnel Oxide Thicknesses and Annealing Treatment)

  • 박정태;김효준;최두진
    • 한국세라믹학회지
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    • 제47권5호
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    • pp.461-466
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    • 2010
  • In this study, $Al_2O_3/TaAlO_4/SiO_2$ (A/TAlO/S) structures with tantalum aluminate charge trap layer were fabricated for Nand flash memory device. We evaluated the memory window and retention characteristic as the thickness of the tunnel oxide was varied among 3 nm, 4 nm, and 5 nm. All tunnel oxide thicknesses were measured by ellipsometer and TEM (Transmission Electron Microscope). The A/TAlO/S multi-layer film consisted of 5 nm tunnel oxide showed the best result of memory window of 1.57 V and retention characteristics. After annealing the 5 nm tunnel oxide A/TAlO/S multi-layer film at $900^{\circ}C$. The memory window decreased to 1.32 V. Moreover, the TEM images confirmed that the thickness of multi-layer structure decreased 14.3% after annealing and the program conditions of A/TAlO/S multi-layer film decreased from 13 V to 11 V for 100 ms. Retention properties of both as-deposited and annealed films stably maintained until to $10^4$ cycles.

SSD 기반 서버급 스토리지를 위한 지역성 기반 청킹 정책을 이용한 데이터 중복 제거 기법 (Data Deduplication Method using Locality-based Chunking policy for SSD-based Server Storages)

  • 이승규;김주경;김덕환
    • 전자공학회논문지
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    • 제50권2호
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    • pp.143-151
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    • 2013
  • 낸드 플래시 기반 SSD(Solid State Drive)는 빠른 입출력 성능, 저전력 등의 장점을 가지고 있어, 타블릿, 데스크탑 PC, 스마트폰, 서버 등의 저장장치로 널리 사용되고 있다. 하지만 SSD는 쓰기 횟수에 따라서 마모도가 증가하는 단점이 있다. SSD의 수명을 향상시키기 위해 다양한 데이터 중복제거 기법이 도입되었으나, 일반적인 고정 크기 분할방식은 데이터의 지역성을 고려하지 않고 청크크기를 할당함으로써, 불필요한 청킹 및 해시값 생성을 수행하는 문제점이 있으며, 가변 크기 분할방식은 중복제거를 위해 바이트 단위로 비교하여 과도한 연산량을 유발한다. 본 논문에서는 SSD 기반 서버급 스토리지에서 쓰기 요청된 데이터의 지역성에 기반한 적응형 청킹 정책을 제안한다. 제안한 방법은 중복데이터가 가지는 응용프로그램 및 파일 이름 기반 지역성에 따라 청크 크기를 4KB 또는 64KB로 적응적으로 분할하여, 청킹 및 해시값 생성에 따른 오버헤드를 감소시키고, 중복 쓰기를 방지한다. 실험결과, 제안하는 기법이 기존의 가변 크기 분할 및 4KB의 고정 크기 분할을 이용한 중복제거기법보다 SSD의 쓰기 성능이 향상되고 전력 소모 및 연산시간을 감소시킬 수 있음을 보여준다.

Effect of Amine Functional Group on Removal Rate Selectivity between Copper and Tantalum-nitride Film in Chemical Mechanical Polishing

  • Cui, Hao;Hwang, Hee-Sub;Park, Jin-Hyung;Paik, Ungyu;Park, Jea-Gun
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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    • pp.546-546
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    • 2008
  • Copper (Cu) Chemical mechanical polishing (CMP) has been an essential process for Cu wifing of DRAM and NAND flash memory beyond 45nm. Copper has been employed as ideal material for interconnect and metal line due to the low resistivity and high resistant to electro-migration. Damascene process is currently used in conjunction with CMP in the fabrication of multi-level copper interconnects for advanced logic and memory devices. Cu CMP involves removal of material by the combination of chemical and mechanical action. Chemicals in slurry aid in material removal by modifying the surface film while abrasion between the particles, pad, and the modified film facilitates mechanical removal. In our research, we emphasized on the role of chemical effect of slurry on Cu CMP, especially on the effect of amine functional group on removal rate selectivity between Cu and Tantalum-nitride (TaN) film. We investigated the two different kinds of complexing agent both with amine functional group. On the one hand, Polyacrylamide as a polymer affected the stability of abrasive, viscosity of slurry and the corrosion current of copper film especially at high concentration. At higher concentration, the aggregation of abrasive particles was suppressed by the steric effect of PAM, thus showed higher fraction of small particle distribution. It also showed a fluctuation behavior of the viscosity of slurry at high shear rate due to transformation of polymer chain. Also, because of forming thick passivation layer on the surface of Cu film, the diffusion of oxidant to the Cu surface was inhibited; therefore, the corrosion current with 0.7wt% PAM was smaller than that without PAM. the polishing rate of Cu film slightly increased up to 0.3wt%, then decreased with increasing of PAM concentration. On the contrary, the polishing rate of TaN film was strongly suppressed and saturated with increasing of PAM concentration at 0.3wt%. We also studied the electrostatic interaction between abrasive particle and Cu/TaN film with different PAM concentration. On the other hand, amino-methyl-propanol (AMP) as a single molecule does not affect the stability, rheological and corrosion behavior of the slurry as the polymer PAM. The polishing behavior of TaN film and selectivity with AMP appeared the similar trend to the slurry with PAM. The polishing behavior of Cu film with AMP, however, was quite different with that of PAM. We assume this difference was originated from different compactness of surface passivation layer on the Cu film under the same concentration due to the different molecular weight of PAM and AMP.

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디지털 자동차운행기록계에서 안정적인 데이터 저장을 위한 설계 및 구현 (A Design and Implementation for a Reliable Data Storage in a Digital Tachograph)

  • 백승훈;손명희
    • 정보처리학회논문지:컴퓨터 및 통신 시스템
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    • 제1권2호
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    • pp.71-78
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    • 2012
  • 디지털 자동차운행기록계는 교통안전법에 따라 자동차의 운행상황과 교통사고 상황과 함께 자동차의 속도, 거리, 브레이크 상황, 가속도, GPS 위치 등을 자동적으로 저장장치에 기록하는 장치이다. 유럽에서는 디지털 자동차운행기록계 장착이 2005년부터 모든 트럭에게 의무화되어 있고, 대한민국은 2011년부터 신규로 등록되는 사업용 차량은 의무적으로 장착해야 하며, 해가 지날수록 의무적으로 장착해야하는 자동차의 범위가 확대되어가고 있다. 이 장치는 운전자의 일일 운행 현황 분석 및 사고 분석을 위하여 사용된다. 자동차 사고는 장치의 안정성을 예측불가능하게 한다. 그래서 불확실한 상황아래에서 최대한 안정적으로 데이터를 저장할 수 있는 기술은 매우 중요하다. 우리는 실제 디지털 자동차 운행기록계를 설계하고 구현하였다. 본 논문은 이 장치의 설계와 구현에 있어서 저비용의 하드웨어 자원으로 안전하게 대용량 데이터를 저장하기 위해서 저용량이지만 안정적인 1차 저장장치와 대용량을 저비용으로 구현한 2차 저장장치로 구성된 계층적 저장 기법을 제안한다. 1차 저장장치는 용량이 SLC 낸드 플래시 메모리를 사용하여 로그 구조 형식으로 데이터를 저장한다. 로그 구조의 단점인 느린 부팅 문제를 해결하기 위해 역방향 부분 검색 기법을 제시한다. 이 방법은 1차 저장장치의 부팅 시간을 50분의 1로 감소시킨다. 추가적으로 사고 순간의 데이터를 신속하게 데이터를 저장하는 기법도 제시한다. 이 방법으로 저비용의 내장형 시스템에서 사고순간의 운행기록 시간을 일반적인 방법의 저장시간의 1/20만큼 단축하였다.