• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권2호
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• pp.140-143
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• 2013

Lowering surface reflectance of silicon wafer by texturization is one of the most important processes to improve the efficiency of silicon solar cells. Generally, the texturing of crystalline silicon was carried out using alkaline solution. The average reflectance of this method was 11% at the wavelength between 400 and 1,000 nm. In this study, the wafers were first texturing by NaOH solution at $80^{\circ}C$ for 35 min. Then the wafers were texturing by $SF_6$ and $O_2$ plasma in RIE (Reactive Ion Etching). The average reflectance of two step texturing was reduced to below 5% at the wavelength between 400 and 1,000 nm.

• 한국표면공학회지
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• 제50권5호
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• pp.315-321
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• 2017

Antireflective pyramid arrays can be readily obtained via anisotropic etching in alkaline solution (KOH, NaOH), which is widely used in crystalline-Si (c-Si) solar cells. The periodic inverted pyramid arrays show even lower light reflectivity because of their superior light-trapping characteristics. Since this inverted pyramidal structures are mostly achieved using very complex techniques such as photolithograpy and laser processes requiring extra costs, here, we demonstrate the Cu-nanoparticle assisted chemical etching processes to make the inverted pyramidal arrays without the need of photolithography. We have mainly controlled the concentration of $Cu(NO_3)_2$, HF, $H_2O_2$ and temperature as well as time factors that affecting the reaction. Optimal inverted pyramid structure was obtained through reaction parameters control. The reflectance of inverted pyramid arrays showed < 10% over 400 to 1100 nm wavelength range while showing 15~20% in random pyramid arrays.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.407-408
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• 2005

High surface area electrodes for aluminum electrolytic capacitors are produced by AC electrochemical processes. Optimization of crystallographic etch pit growth on aluminium during AC etching of cathode film for aluminium as electrolytic capacitor has been established. In this work, we present the observations of pit distributions by galvanostatic measurements. The effects of electrolyte concentration, current density, frequency, various pre-treatments and etching time have been studied. The specimen was pretreated in 0.5M NaOH and 1M HCl at $40\sim60^{\circ}C$, and transferred into a cell containing 1M HCl, then various mol $H_2SO_4$ etchant was added. Pit size distributions were determined with scanning electron microscopy (SEM).

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제37권4호
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• pp.395-400
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• 2005

An environmental radon monitoring system, comprising a radon-cup, an etching system, and a track counting system, was constructed. The radon cup is a cylindrical chamber with a radius of 2.2 cm and a height of 3.2 cm in combination with a CR-39 detector. Carbon is impregnated in the bodies of the detector chamber to avoid problem of an electrostatic charge. The optimized etching condition for the CR-39 exposed to a radon environment turned out to be a 6 N NaOH solution at 70^{\circ}$ over a 7hour period. The bulk etch rate under the optimized condition was $1.14{\pm}0.03\;{\mu}m\;h^{-1}$. The diameter of the tracks caused by radon and its progeny were found to be in the range of $10\~25\;{\mu}m$ under the optimized condition. The track images were observed with a track counting system, which consisted of an optical microscope, a color charged couple device (CCD) camera, and an image processor. The calibration factor of this system is obtained to be $0.105{\pm}0.006$ tracks $cm^2$ per Bq $m^{-3}$ d.

• 한국결정성장학회지
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• 제24권6호
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• pp.268-273
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• 2014

$Y_2O_3$ 세라믹 소결체를 제작하기 위해, $Y_2O_3$ 분말을 분산한 상태에서 슬러리에 pH 조절제인 NaOH를 첨가하였으며 결합제로는 PVA, 가소제로는 PEG를 첨가하여 열분무 건조 공정을 거쳐 $Y_2O_3$ 과립형 분말을 제조하였다. ${\phi}14mm$ 크기의 $Y_2O_3$ 세라믹 성형체를 성형하고, $1650^{\circ}C$의 온도에서 소결하여 $Y_2O_3$ 세라믹 소결체를 제작하였다. $Y_2O_3$ 소결체의 미세구조, 밀도 및 내플라즈마 특성이 성형압력 및 소결시간에 따라 분석되었다. $Y_2O_3$ 소결체는 $CHF_3/O_2/Ar$ 플라즈마에 노출시켜, $Ar^+$ 이온빔에 의한 물리적반응 식각과 $CHF_3$로부터 분해된, $F^-$ 이온에 의한 화학적반응 식각에 의한 건식 식각 처리가 이루어졌다. 본 연구에서 $Y_2O_3$ 소결체 소결시간의 증가에 따라, 비교적 높은 밀도를 나타내었으며, 내플라즈마 특성이 향상되는 것으로 나타났다.

• 자원리싸이클링
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• 제32권3호
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• pp.9-17
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• 2023

폐리튬인산철 전지의 양극재로부터 리튬을 효율적으로 회수하기 위하여 활발하게 연구 중이며, 이는 리튬 자원의 지역 편재성 및 가격 변동성을 해소하고 환경오염 문제를 해결할 수 있다. 폐리튬인산철 전지로부터 리튬을 침출 및 회수하기 위하여 동형치환 침출 공정을 사용하였다. 상대적으로 저렴한 염화철 에칭액을 침출제로 사용하여 LFP의 Fe²⁺를 동형 치환하여 리튬을 침출하였다. 또한 추가적인 첨가제 및 추출제 없이 염화철 에칭액만을 사용하였으며, 염화철 에칭액을 LFP 이론적 몰 비 대비 0.7배, 1.0배, 1.3배, 그리고 1.6배로 하여 리튬의 침출율을 비교하였다. LFP 몰 비 대비 1.3배의 조건에서 약 98%로 가장 높은 리튬 침출율을 보였고 이후 침출액은 NaOH를 투입하여 pH 조절을 통하여 철을 제거하였다. 철이 제거된 용액으로부터 탄산리튬을 합성하였고, 그 분말 특성을 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제27권6호
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• pp.303-308
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• 2017

여러 가지 금속을 에칭하기 위하여 사용된 $FeCl_3$ 폐용액은 유가금속인 니켈을 함유하고 있다. 본 연구에서는 염화철을 재생하고 남은 니켈 함유 에칭폐액으로부터 니켈을 고순도의 탄산니켈 결정분말로 회수하고자 하였다. 5 % NaOH 수용액을 이용하여 pH 4의 조건에서 1차적으로 철 성분의 불순물을 약 97 % 제거하고 추가적으로 남은 불순물을 제거하기 위하여 용매추출제 D2EHPA(Di-(2-ethylhexyl) phosphoric acid)를 사용하여 불순물로서 존재하는 금속이온들을 약 99% 제거하였다. 그 후 불순물이 제거된 염화니켈 용액에 탄산나트륨과의 반응을 통하여 99.9 % 이상의 순도를 가진 탄산니켈분말을 얻을 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.701-701
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• 2013

표면조직화는 입사되는 빛의 반사를 줄이고 태양전지 내부에서 빛의 이동거리를 길게하여 효율을 향상시키는 중요한 요소가 된다. 결정질 실리콘 표면 조직화에서 일반적으로 알카리 습식 식각이 많이 사용되며 이 식각 방법으로 반사도를 400~1000 nm의 파장에서 평균 11%까지 줄일 수 있다. 본 논문에서는 빛의 반사를 더 줄여 단락전류를 향상 시키기 위해 기존 NaOH를 이용한 표면 조직화를 수행한 후에 반응성 이온 식각 공정을 적용하는 2단계 표면 조직화 공정을 최적화 하였다. 먼저 NaOH 2%, IPA 7.5%용액에서 $80^{\circ}C$ 유지하면서 35분간 식각을 한 후에 ICP 장치에서 SF6/O2 비율 1:1, 공정 압력 25 mTorr, 시간 200 s로 고정하고 RF 파워를 25~200 W로 변화를 주면서 실험 하였다. 그 결과 마이크로 크기의 피라미드 위에 나노 크기의 피라미드를 형성할 수 있었으며 400~1,000 nm 파장에서 평균 4.96%까지 반사도를 낮출 수 있었다. 기존 알카리 식각 공정에 비해 반사도가 많이 낮아지게 되어 입사되는 빛의 양이 증가함으로서 단락전류가 증가하고 효율이 향상될 것으로 기대된다.

• 전기화학회지
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• 제5권2호
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• pp.43-46
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• 2002

Commercial titanium rod was anodized in three types of electrolytes such as 0.06 mol/L $\beta-glycerophosphate+0.3mol/L$ calcium acetate, 0.06mol/L $\beta-glycerophosphate+0.3mol/L$ sodium acetate and 0.06 mol/L $\beta-glycerophosphate+5mol/L$ calcium phosphate. The titanium oxide layer $(TiO_2)$ was characterized by scanning electron microscope (SEM), X-ray diffraction (XRD) and electron spectroscopy chemical analysis (ESCA). Numerous micropores were observed on the titanium oxide layer by SEM. The diameter of micropores increased with the increase of electrolytic voltage. The titanium oxide layer was composed of anatase structure. The phosphorous element was detected at 130 eV binding energy, but calcium was not found in the oxide layer because of lower contents. After anodizing the oxide layer was etched in the 30g/L NaOH solution at $80^{\circ}C$ for 1hr. The surroundings of micropores were much more smoothed and rounded than before alkaline etching.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제5권1호
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• pp.34-37
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• 2004

Amorphous chalcogenide thin films, especially a-(Se, S) based films, exhibit a number of photo-induced phenomena. In this study, we make the As$\_$40/Ge$\_$10/Se$\_$15/S$\_$35//Ag thin film and then we measure the holographic diffraction efficiency according to thickness of Ag. And we form the two-dimensional holographic grating. At first, we formed one-dimensional grating and then we form two-dimensional grating by rotate the sample. We found out the most suitable thickness of Ag and in case of As$\_$40/Ge$\_$10/Se$\_$15/S$\_$35//Ag(600${\AA}$), the diffraction efficiency was more higher than other samples. The holographic grating was formed by He-Ne laser(λ=632.8nm). The intensity of incident beam was 2.5mW and incident angle was 20$^{\circ}$. We confirm. the two-dimensional holographic grating by the pattern of diffracted beam and AFM(Atomic Force Microscope) image. We perform the etching process using by 0.26N NaOH in order to confirm clearly two-dimensional grating.