• 펄프종이기술
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• 제48권2호
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• pp.68-74
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• 2016

Nanofibrillated cellulose (NFC) was prepared from cotton linter after electron beam irradiation to investigate its effects on the manufacturing efficiency of the NFC preparation and the property changes by the treatment. Mechanical device (Super Masscolloider) was used to prepare the NFC and its passing frequency for each NFC preparation was recorded. More electron beam irradiation resulted in less passing frequency. Alpha cellulose content, molecular weight, crystallinity index, and thermal decomposition behavior of each treatment were lowered by electron beam treatment (10 and 100 kGy) and grinding process. NFC films were prepared to investigate their mechanical properties. There were little changes in tensile properties of the NFC films.

• 한국통신학회논문지
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• 제42권4호
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• pp.716-722
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• 2017

본 논문에서는 은 나노 분말과 카본 잉크를 이용하여 13.56 MHz에서 동작하는 완전 인쇄형 NFC 태그를 설계 및 제작하였다. 제안된 NFC 태그는 50 pF의 내부 커패시턴스를 갖는 NFC 태그 IC에 적용하기 위해서, $2.74{\mu}H$의 인덕턴스를 갖는 원형 코일을 PI 필름 위에 설계하였으며, 전통적인 회로 제작 방식인 PCB 제조 공정에 비해 대면적 및 대량 생산, 저비용, 친환경공정 등의 장점을 가진 인쇄 전자 기술인 스크린 프린팅 기법을 이용하여 제작하였다. 제안된 구조는 단일 층으로 구현된 원형 코일, 코일 외곽과 중심부 사이에 칩 실장을 위한 점퍼 패턴, 그리고 코일과 점퍼 패턴과의 절연을 위한 절연 패턴으로 구성되어 있으며, 은 나노 분말과 카본 잉크를 이용하여 전도성 패턴과 절연 패턴을 중첩 인쇄하여 구현하였다. 본 논문에서 제안된 NFC 태그의 성능 검증을 위해 인쇄선폭, 두께, 선저항, 밀착력 그리고 환경 신뢰성 평가 등을 수행하였으며, 완전 인쇄형 제작 방식 기반 NFC 태그의 적합성을 확인하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.707-710
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• 2006

Zinc oxide (ZnO) is typically highly doped n-type semiconductor. To be used for thin-film transistor (TFT) devices, carrier concentration must be controlled precisely. We studied characteristics of ZnO grown by MOCVD at temperatures between $200^{\circ}C$ and $400^{\circ}C$. We found that hydrogen incorporated during growth plays important role in determining carrier density.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제4권4호
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• pp.9-12
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• 2005

Characteristics of ZnO films grown on $Si-SiO_2$ substrates at temperatures of $200\sim400^{\circ}C$ by metalorganic chemical vapor deposition were investigated. The growth rates and mobilities of ZnO films were dependent on growth temperatures. The field-effect mobilities measured in thin-film transistor structure were $15cm^2/Vsec$.

• 전자공학회논문지
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• 제51권1호
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• pp.211-218
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• 2014

본 논문에서는 NFC 나 핸드폰, 컴퓨터 등의 정보통신기기에 사용하기 위한 높은 주파수 대역의 전자파 차폐 필름을 개발하기 위하여, 주로 자계를 차폐할 수 있는 니켈 및 실리콘과 철의 합금의 연자성 특성을 연구함에 있어 최적의 합금조성으로 Fe-Si-Cr 합금과 Fe-Ni-Cr 합금의 자성특성에 대하여 연구하였고, 그 결과에 의하여 결정된 합금의 조성비에 따라 각 합금을 용융상태에서 수분산시켜 원형 편상의 연자성 합금분말을 만들었으며, 그들을 수지에 함침시키고 가열 회전 롤러를 이용한 캘린더 가공법으로 두께 0.1 mm 및 1 mm 의 필름을 만든 다음, 저주파에서부터 10GHz 마이크로파대역까지의 전자파에 대한 투자율과 차폐율에 대하여 연구하였다. 또한 본 논문에서는 합금 분말입자의 제조에 앞서, 합금의 투자율을 예측할 수 있는 식을 제안하였으며, 그 식의 합리성을 증명하기 위해 MATLAB을 이용하여 기 발표된 합금들의 투자율과 주파수 특성을 비교적 정확하게 기술하고 있음을 보였고, 그로부터 가장 이상적인 합금의 조성비를 결정하고, 분말입자가 수지에 함침된 필름의 투자율 역시 계산하였다. 전자파 차폐 수지 필름의 차폐율(Shielding Effectiveness)에 대한 시뮬레이션은 HFSS를 이용하였다.