• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2003년도 somma/kms meeting
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• pp.184-184
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• 2003

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2002년도 제22회 학술발표회 초록집
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• pp.134-134
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• 2002

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2002년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.9-9
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• 2002

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1992년도 춘계학술발표회
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• pp.127-127
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• 1992

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 1992년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.100-101
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• 1992

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2004년도 하계학술연구발표회 논문개요집
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• pp.218-219
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• 2004

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 1992년도 추계연구발표회 논문개요집
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• pp.80-81
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• 1992

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 1992년도 추계연구발표회 논문개요집
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• pp.88-89
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• 1992

• 한국고분자학회지:고분자과학과기술
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• 제10권4호
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• pp.465-474
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• 1999

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권6호
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• pp.31-37
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• 1993

InSb thin films were fabricated by zone melting recrystallization of In/Sb multilayered thin films prepared by sequential evaporation. Unreacted metal phase or dispersed metal precipitates lowered the electron mobility and the electron mobility increased with development of (111) prefered orientation. Properties of the film could be controlled by changing mzximum temperature and scanning speed, and the electron mobility as high as 12, 000 cm $^2$/Vsec could be obtained under the optimized conditions.