본 논문에서는 손실 특성을 갖는 메타 물질로 구성된 다층 구조 slab의 특성을 해석하였다. 기존 메타 물질을 가진 다층 구조 해석은 recursive 방법을 이용했으며, 계산의 복잡성으로 인한 무손실을 가정할 수밖에 없었지만, 본 논문에서는 손실 메타 물질을 갖는 다층 구조를 해석하기 위해 해석 방법이 간단하고, 임의의 다층 구조를 갖는 물질에 대한 전파 특성을 쉽게 얻을 수 있는 ABCD 행렬을 이용하였다. 적용한 ABCD 행렬 방법의 유효함을 검증하기 위해서 유전체-유전체로 구성된 구조와 메타-유전체 물질로 구성된 다층 구조에 적용하여 기존의 recursive 방법과 비교하였다. 본 논문에서 해석한 손실 메타 물질을 갖는 다층 구조는 유전체 다층 구조보다 리플이 없고 광대역 전송 특성을 얻을 수 있다는 장점이 있으며, 안테나의 레이돔이나 전파를 차폐할 수 있는 차폐 물질 등에 다양하게 적용될 수 있다.
Multilayered films (MLF) consisting of transition metals and semiconductors have drawn a great deal of interest because of their unique properties and potential technological applications. Fe/Si MLF are a particular topic of research due to their interesting antiferromagnetic coupling behavior. although a number of experimental works have been done to understand the mechanism of the interlayer coupling in this system, the results are controversial and it is not yet well understood how the formation of an iron silicide in the spacer layers affects the coupling. The interpretation of the coupling data had been hampered by the lack of knowledge about the intermixed iron silicide layer which has been variously hypothesized to be a metallic compound in the B2 structure or a semiconductor in the more complex B20 structure. It is well known that both magneto-optical (MO0 and optical properties of a metal depend strongly on their electronic structure that is also correlated with the atomic and chemical ordering. In order to understand the structure and physical properties of the interfacial regions, Fe/Si multilayers with very thin sublayers were investigated by the MO and optical spectroscopies. The Fe/si MLF were prepared by rf-sputtering onto glass substrates at room temperature with a totall thickness of about 100nm. The thicknesses of Fe and Si sublayers were varied from 0.3 to 0.8 nm. In order to understand the fully intermixed state, the MLF were also annealed at various temperatures. The structure and magnetic properties of Fe/Si MLF were investigated by x-ray diffraction and vibrating sample magnertometer, respectively. The MO and optical properties were measured at toom temperature in the 1.0-4.7 eV energy range. The results were analyzed in connection with the MO and optical properties of bulk and thin-film silicides with various structures and stoichiometries.
Thermal deformation of machine origin of machine tools due to internal and external heat sources has been the most important problem to fabricate products with higher accuracy and performance. In order to solve this problem, GMDH models were constructed to estimate thermal deformation of machine origin for a vertical machining ceneter through measurement of temperature data of specific points on the machine tool. These models are nonlinear equations with high-order polynomials and implemented in a multilayered perceptron type network structure. Input variables and orders are automatically selected by correlation and optimization procedure. Sensors with small influence are deleted automatically in this algorithm. It was shown that the points of temperature measurement can be reduced without sacrificing the estimation accuracy of $\pm$5${\mu}{\textrm}{m}$. From the experimental result, it was confirmed that GMDH methodology was superior to least square models to estimate the thermal behavior of machine tools.
4층구조인 다층퍼셉트론으로부터 입력층을 제외한 각 측의 출력성분을 하위은닉층으로 귀환하는 3모델의 다층회귀신경망을 구성하고, 각 모델별 망의 크기에 따른 음성인식성능을 분석 비교한다. 과거의 입력신호를 출력층에서 예측하여 오차신호를 계산하고, 이 오차신호가 최소화하는 방향으로 연결세기를 조정한다. 실험결과 3회귀모델중 상위은닉층의 회귀연결방식이 가장 양호한 인식율을 나타내었으며, 각 망 공히 상, 히위은닉층의 뉴런수 10, 15개, 예측차수 3, 4차 일 때 인식성능이 양호하였다. 그리고 회귀신경망이 비회귀신경망에 비해 인식율이 크게 향상된다는 것을 확인 할 수 있었다.
Diamond-like carbon (DLC) films are deposited at room temperature using a filtered cathodic vacuum arc (FCVA) technique. The influence of negative bias voltage (applied to the substrate from 0 to -250V) on the $sp^3$ hybridized carbon fraction is examined by Raman spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) for C 1s core peak. For the first time, depth profile of C 1s, Si 2p, and O 1s XPS peaks for the deposited DLC film are obtained. DLC film is modeled as a multilayered structure. composing of surface, bulk, and interface. In addition, the x-ray reflectivity (XRR) is proposed as a method for estimating the density, surface roughness, and thickness of each layer constituting the DLC film. The estimated thickness of DLC film is in good agreement with the result obtained from the transmission electron microscope (TEM) measurement.
Seo, Jin-Hwa;Lutkenhaus Jodie L..;Kim, Jun-Oh;Hammond Paula T.;Char Kook-Heon
한국고분자학회:학술대회논문집
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한국고분자학회 2006년도 IUPAC International Symposium on Advanced Polymers for Emerging Technologies
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pp.295-295
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2006
In present study, poly(acrylic acid) (PAA) and hydrophobically modified poly(ethylene oxide) (HM-PEO) multilayers based on the hydrogen bonding between the component polymer pair have been prepared by the LbL deposition method. Dip assembled HM-PEO/PAA multilayers yield unique film morphologies in comparison with PEO/PAA multilayers due to the micellar formation of HM-PEO owing to the hydrophobic attraction between alkyl chains end-capped with the PEO chains. Individual HM-PEO micelles were connected through the bridging PEO chains to form temporary networks on multilayer surface and induced peculiar surface morphology on HM-PEO/PAA multilayers above the critical number of bilayers.
Tape casting and lamination were used to produce heterogeneous laminates with alternating layers of different porosity and homogeneous laminates with component layers of the same porosity. The pore structure was investigated for heterogeneous laminates, and bend strength was measured for comparison with that of homogeneous laminates. For a reference, strength measurement was made for the porous body fabricated by sintering samples dry-pressed at low pressure with spray-dried granules. Strength increase, in the range 50~120 MPa, was achieved in the presence of the surface dense layer, while extensive delamination, presumably responsible for enhanced fracture toughness, took place through the internal porous layer.
A general characterization procedure based on the extraction of a 2n-port admittance matrix corresponding to n uniform coupled lines on the multi-layered substrate using the Finite-Difference Time-Domain (FDTD) technique is presented. The frequency-dependent normal mode parameters are obtained from the 2n-port admittance matrix, which in turn provides the frequency-dependent distributed inductance and capacitance matrices. To illustrate the technique, several practical coupled line structures on multi-layered substrate, including a three-line structure, have been simulated. It is shown that the FDTD based time domain characterization procedure is an excellent broadband simulation tool for the design of multiconductor coupled lines on multilayered PCBs as well as thick or thin hybrid structures.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.872-876
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2006
This study was made to examine the electromagnetic interference(EMI) shielding effect (SE) of multilayered thin films in which indium-tin oxide(ITO) and Ag were deposited alternately from 3layer to 9 layer on Poly Methyl Meth Acrylate(PMMA) substrate at room temperature using a PF sputtering. We measured optical and electrical characteristics by UV-spectrometer and 4 point probe. The measurement of EMI SE in frequency range from 50MHz to 1.5GHz was performed by using ASTM D4935-89 method. We compared the measured EMI SEs with theoretical simulation data. We obtained relatively low resistivity and high transmittance from the EMI SE multilayers. In this study, we obtain good optical electrical characteristics with a minimun transmittance of about 60% at 550nm wavelength and sheet resistance of $2{\sim}3ohm/sq$., respectivity. Measured EMI SEs were over 50dB and similar to theoretical simulation data.
$(Pb_xLa_{1-x}) (Zr_yTi_{1-y})O_3$ (PLZT) thin films with electrooptic effect are promising for the optical application such as display or light shutter. However, it is difficult to use inexpensive and transparent glass substrates because the conventional process for preparation of PLZT requires temperatures above $600^{\circ}C$. In order to deposit a perovskite PLZT thin films at low processing temperatures through alkoxide route, we have offered several seeding processes which reduce the activation energy for crystallization. In this study, we optimized the stacking structure of multilayered PLZT for obtaining single phase perovskite at lower temperatures. As a result, ferroelectric PLZT thin films with different compositions were successfully prepared at a temperature as low at $500^{\circ}C$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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