• 전자공학회논문지
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• 제49권9호
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• pp.43-48
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• 2012

본 논문에서는 다중 접합 기반 수신기 (MPDR)의 영상 제거 성능을 향상시키는 반복적인 단일주파수 CW 신호 기반 I/Q 신호 재생 알고리즘을 제안한다. 이 논문에서는 MPDR 수신기의 I/Q 신호 재생이 직접변환수신기의 I/Q 부정합 보상임을 보인다. 분석을 바탕으로 I/Q 재생의 정확도를 영상 제거비로써 평가한다. 제안한 방법은 기존의 I/Q 신호 재생 방법에 비해서 20dB 이상 영상 제거비를 향상시킨다. 모의실험 결과는 제안한 방법을 이용한 MPDR 수신기의 영상 제거비가 70dB 이상임을 보이고, 비트오율 성능은 페이딩 채널 환경에서 조차도 일반적인 동기 수신기의 성능과 거의 같음을 보인다.

• 전기학회논문지P
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• 제59권3호
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• pp.293-297
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• 2010

Next generation concentrating photovoltaic technologies could have a large-scale impact on world electricity production once they will become economically attractive and grid parity will be reached. Multi-junction solar cells will be characterised by a high value of the cell economical performance index if the cells were able to operate at high concentration level. Concentrating the sunlight by optical devices like lenses or mirrors reduces the area of expensive solar cells or modules, and, moreover, increases their efficiency. Accurate and reliable tracking is an important issue to maintain high the CPV system output power. Further, for high concentration CPV systems, the actual tracker cost is about 20% of the total CPV system cost. In this paper high-concentration is defined as systems using concentration ratios well above 100 times the one sun intensity and trackerlss CPV system studied. Using sphericalness lens and parallel MJ cell connection method were suggested and achieved experiment on a clear day in summer. Development of these high performance multi-junction CPV module promises to accelerate growth in photovoltaic power generation.

• Genomics & Informatics
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• 제4권1호
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• pp.33-39
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• 2006

Alternative splicing (AS) is an important mechanism of producing transcriptome diversity and microarray techniques are being used increasingly to monitor the splice variants. There exist three types of microarrays interrogating AS events-junction, exon, and tiling arrays. Junction probes have the advantage of monitoring the splice site directly. Johnson et al., performed a genome-wide survey of human alternative pre-mRNA splicing with exon junction microarrays (Science 302:2141-2144, 2003), which monitored splicing at every known exon-exon junctions for more than 10,000 multi-exon human genes in 52 tissues and cell lines. Here, we describe an algorithm to deduce the relative concentration of isoforms from the junction array data. Non-negative Matrix Factorization (NMF) is applied to obtain the transcript structure inferred from the expression data. Then we choose the transcript models consistent with the ECgene model of alternative splicing which is based on mRNA and EST alignment. The probe-transcript matrix is constructed using the NMF-consistent ECgene transcripts, and the isoform abundance is deduced from the non-negative least squares (NNLS) fitting of experimental data. Our method can be easily extended to other types of microarrays with exon or junction probes.

• 한국방사선학회논문지
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• 제3권1호
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• pp.11-15
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• 2009

본 연구에서는 헤테로 접합을 이용하여 누설전류를 저감 시키는 기술을 적용하여 Particle-In -Binder을 이용한 방사선 영상 센서의 변환 물질을 개발하였다. 이는 디지털 방사선 영상 검출기의 두 가지 방식 중 하나인 직접방식에 사용되는 핵심 소자로 기존의 비정질 셀레늄(Amorphous Selenium)을 대체하여 더욱 효율이 높은 후보 물질들이 연구되어지는 가운데 태양전지와 반도체 분야에서 이미 많이 사용되어온 이종접합(Hetero junction)을 이용해 누설 전류를 저감 시키는데 그 목적이 있다. 본 연구에서 사용되는 Particle-In -Binder 제작 방법은 검출 물질 제작이 용이하고 높은 수율과 대면적의 검출기 제작에 적합하나 높은 누설 전류가 의료 영상 시스템에 있어서 문제가 되어 오고 있다. 이러한 단점을 보완하기 위해 다층 구조를 이용하여 누설 전류를 저감시킨다면 Particle-In -Binder을 이용하여 간편하게 향상된 효율의 디지털 방사선 검출기를 제작 할 수 있다고 사료 되어 진다. 본 연구에서는 누설전류 및 민감도, 그리고 선형성에 대한 전기적 신호를 측정하여 제작된 다층 구조의 방사선 검출 물질의 특성 평가가 이루어 졌다.

• 대한방사선치료학회지
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• 제32권
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• pp.61-71
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• 2020

목 적: 대동맥 주위 림프절(PAN)을 포함한 전골반암의 다중치료 중심점(multi-isocenter) 용적 변조 회전 방사선 치료 계획 시 콜리메이터 각도의 변화가 치료 계획의 질, 접합부에서의 선량 재현성, 그리고 접합부의 환자 자세 오차에 미치는 영향에 대해 알아보고자 한다. 대상 및 방법: PAN을 포함한 전골반암 환자 10명을 대상으로 하였다. Eclipse(version 13.7) 치료계획 시스템에서 HD MLC가 장착된 Truebeam STx를 사용하여, 기본으로 설정된 콜리메이터 각도인 10° 외에 20°, 30°, 45°로 변화시키고, 그 외 모든 치료 계획 조건은 동일하게 설정하여 치료 계획을 수립하였다. 수립된 치료 계획은 계획표적용적의 coverage와 조사범위지표(CVI), 균질성 지표(HI)를 평가하였고, 정상조직은 각 부위별로 임상에서 사용하고 있는 지표로 비교하였다. 접합부의 선량 재현성 평가를 위해 파머형 전리함을 삽입한 고체물 팬텀을 이용하여 절대 선량을 측정하였다. 환자 자세 오차에 따른 영향을 알아보기 위해 치료계획 시스템에서 각도별로 등중심점의 위치를 종축방향(in, out)으로 1~3mm 임의로 이동하고 접합부에 가상의 체적을 설정하여 선량 변화를 평가하였다. 결 과: CVI 평균값은 45°에서 PTV-45 0.985±0.004, PTV-55 0.998±0.003, HI 평균값은 45°에서 PTV-45 1.140±0.074, PTV-55 1.031±0.074로 1에 가장 가까운 값을 보였다. 결정 장기는 10°와 비교하여 45°에서 콩팥의 V20Gy이 9.66%, 방광의 평균선량과 V30이 1.88%, 2.16% 감소하였다. 치료 계획과 실측정한 접합부의 선량값의 차이는 0.3% 이내로 모두 허용오차범위 내에 들어왔다. 환자 자세 오차로 인한 접합부에서 선량변화량은 in 3mm 이동시 최대 선량이 10°, 20°, 30°, 45°에서 14.56%, 9.88%, 8.03%, 7.05%로 증가하였으며, out 3mm 이동시 최소 선량은 10°, 20°, 30°, 45°에서 13.18%, 10.91%, 8.42%, 4.53%로 감소하였다. 결 론: PTV의 CVI, HI 및 결정 장기 보호 면에서 콜리메이터 각도가 증가할수록 전반적으로 개선된 수치를 보였다. 접합부의 환자 자세 오차 영향은 각도가 커질수록 그 차이가 줄어들어 환자 자세 오차에 대한 불안함을 어느 정도 개선하는데 도움이 될 것이라 생각한다. 결론적으로 콜리메이터 각도는 다중치료 중심점 VMAT 치료 계획의 질 및 접합부 선량에 영향을 줄 수 있는 인자임을 인지하고 치료계획 시 콜리메이터 각도 설정에 신중을 기해야 할 것으로 사료된다.

• ETRI Journal
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• 제37권5호
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• pp.951-960
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• 2015

For a conventional power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET), there is a trade-off between specific on-state resistance and breakdown voltage. To overcome this trade-off, a super-junction trench MOSFET (TMOSFET) structure is suggested; within this structure, the ability to sense the temperature distribution of the TMOSFET is very important since heat is generated in the junction area, thus affecting its reliability. Generally, there are two types of temperature-sensing structures-diode and resistive. In this paper, a diode-type temperature-sensing structure for a TMOSFET is designed for a brushless direct current motor with on-resistance of $96m{\Omega}{\cdot}mm^2$. The temperature distribution for an ultra-low on-resistance power MOSFET has been analyzed for various bonding schemes. The multi-bonding and stripe bonding cases show a maximum temperature that is lower than that for the single-bonding case. It is shown that the metal resistance at the source area is non-negligible and should therefore be considered depending on the application for current driving capability.

• 전기의세계
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• 제66권10호
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• pp.17-22
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• 2017

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제14권4호
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• pp.45-49
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• 2015

Using a combined CVD and ALD equipment system, multi-layer quantum well structures of $Al_2O_3/a-Si/Al_2O_3$ were fabricated on silicon Schottky junction devices and implemented to quantum well solar cells, in which the 1~1.5 nm thicknesses of the aluminum oxide films and the a-Si thin film layers were deposited at $300^{\circ}C$ and $450^{\circ}C$, respectively. Fabricated solar cell was operated by tunneling phenomena through the inserted quantum well structure being generated electrons on the silicon surface. Efficiency of the fabricated solar cell inserted with multi-quantum well of 41 layers has been increased by about 10 times that of the solar cell of pure Schottky junction solar cell.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제9권3호
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• pp.843-847
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• 2014

In Super Junction (SJ) MOSFETs, charge balance is the most important issue of the SJ fabrication process. In order to achieve the best electrical characteristics, such as breakdown voltage and on-resistance, the N-type and P-type drift regions must be fully depleted when the drain bias approaches the breakdown voltage, which is known as the charge balance condition. In conventional charge balance analysis, based on multi-epi process SJ MOSFETs, analytical model has only N, P pillar width and doping concentration parameter. But applying a conventional charge balance principle to trench filling process, easier than Multi-epi process, is impossible due to the missing of the trench angle parameter. To achieve much more superior characteristics of on-resistance in trench filling SJ MOFET, the appropriate trench angle is necessary. So in this paper, modulated charge balance analysis is proposed, in which a trench angle parameter is added. The proposed method is validated using the TCAD simulation tool.

• 한국전자파학회논문지
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• 제23권2호
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• pp.151-158
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• 2012

본 논문에서는 Y-junction을 이용한 H-평면 8-way 구형 도파관 전력 분배기를 제안한다. 일반적인 N-way 전력분배기의 경우 T-junction을 이용하여 다단 형태로 구성이 되는데, 출력 포트 간의 간격이 가까운 경우 T-junction 만으로는 공간상의 제약으로 인하여 매칭 특성을 개선할 수 없다. 따라서 이 같은 경우에는 T-junction과 함께 다른 형태의 3포트 junction이 최종 출력단에 사용되어야 하는데, 본 논문에서는 Y-junction이 사용되었다. 제안된 Y-junction은 임피던스 매칭 특성을 향상시키기 위해 테이퍼드-라인 임피던스 변환기와 유도성 iris가 적용되었다. Y-junction을 이용한 8-way 전력 분배기를 제작하여 측정한 결과, 동작 주파수에서 반사 손실 값은 -30.8 dB, 삽입 손실은 약 -9.5 dB로 측정되었다. 또한, 출력 포트 간의 최대 위상차는 약 $1^{\circ}$로 측정되었다. 따라서 제안된 전력 분배기는 배열 안테나의 급전 구조와 같이 입력 전력을 동일한 크기와 위상으로 분기하는데 필요한 다양한 마이크로파 시스템에 적용하는데 있어서 매우 유용할 것으로 판단된다.