• 제목/요약/키워드: Mobility Method

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0.2 ${\mu}m$ Wide-Head T-Gate PHEMT 제작에 관한 연구 (Studies on the Fabrication of 0.2 ${\mu}m$Wide-Head T-Gate PHEMT′s)

  • 전병철;윤용순;박현창;박형무;이진구
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제39권1호
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    • pp.18-24
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    • 2002
  • 본 논문에서는 서로 다른 dose를 갖는 이중 노광 방법을 사용한 전자빔 묘화 방법을 이용하여 0.2 ㎛의 wide-head T-게이트를 갖는 PHEMT를 제작하였다. 0.2 ㎛의 게이트 길이와 1.3 ㎛의 게이트 머리의 크기를 갖는 wide-head T-게이트를 형성하기 위하여 PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA의 3층 레지스트 구조를 사용하였다. 0.2 ㎛의 게이트 길이와 80 ㎛의 단위 게이트 폭 및 4개의 게이트 핑거를 갖는 PHEMT의 DC 특성으로 323 ㎃/㎜의 드레인 전류 밀도 및 232 mS/㎜의 최대 전달 컨덕턴스를 얻었다. 또한 동일한 소자의 RF 특성으로 40 ㎓에서 2.91 ㏈의 S/sub 21/ 이득과 11.42 ㏈의 MAG를 얻었으며, 전 이득 차단 주파수와 최대 공진 주파수는 각각 63 ㎓와 150 ㎓였다.

Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 $AgInS_2$단결성 박막의 성장과 가전자대 갈라짐에대한 광전류 연구 (Photocurrent Study on the Splitting of the Valence Band and Growth of $AgInS_2$GaAs Single Crystal Thin Film by Hot Wall Epitaxy)

  • 홍광준
    • 한국결정학회지
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    • 제12권4호
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    • pp.197-206
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    • 2001
  • 수평 전기로에서 AgInS₂ 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 AgInS₂ 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100)기판에 성장시켰다. AgInS₂ 단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 680℃, 기판의 온도 410℃였고 성장 속도는 0.5㎛/hr였다. AgInS₂ 단결정 박막의 결정성의 조사에서 10 K에서 광발광(photoluminescence)스펙트럼이 597.8 nm(2.0741 eV)에서 exciton emission스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 박폭치(FWHM)도 121 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 9.35×10/sup 16/㎤, 294㎠/V·s 였다. AgInS₂ /SI(SEmi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293K에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap E/sub g/(T)는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 2.1365eV-(9.89×10/sup-3/eV/K/)T²(T+2930K)이었으며 광전류 스펙트럼으로부터 Hamiltopn matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting Δcr값이 0.1541eV이며 spin-orbit Δso 값은 0.0129eV임을 확인하였다. 10K일때 광전류 봉우리들은 n=1 일때 A₁-, B-₁와 C₁-exction 봉우림을 알았다.

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Hot Wall Epitaxy(HWE)에 의한 $ZnGa_2Se_4$단결정 박막 성장과 특성에 관한 연구 (Growth and Characterization of $ZnGa_2Se_4$ Single Crystal Thin Films by Hot Wall Epitaxy)

  • 장차익;홍광준;정준우;백형원;정경아;방진주;박창선
    • 한국결정학회지
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    • 제12권3호
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    • pp.127-136
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    • 2001
  • ZnGa₂Se₄단결정 박막은 수평 전기로에서 함성한 ZnGa₂Se₄다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판(반절연성-GaAs(100))의 온도를 각각 610℃, 450℃로 고정하여 단결정 박막을 성장하였다. 10 K에서 측정한 광발광 exciton 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반치폭(FWHM)을 분석하여 단결정 박막의 최적 성장 조건을 얻었다. Hall효과는 van der Pauw방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293 K에서 각각 9.63×10/sup 17/㎤, 296 ㎠/V·s였다. 광전류 봉우리의 10 K에서 단파장대의 가전자대 갈라짐(splitting)에의해서 측정된 Δcr (crystal field splitting)은 183.2meV, △so (spin orbit splitting)는 251.9meV였다. 10K의 광발광 측정으로부터 고품질의 결정에서 볼 수 있는 free exciton 과 매우 강한 세기의 중성 받개 bound exciton등의 피크가 관찰되었다. 이때 중성 받개 bound exciton등의 피크가 관찰되었다. 이때 중성 반개 bound excition의 반치폭과 결합에너지는 각각 11meV와 24.4meV였다. 또한 Hanes rule에 의해 구한 불순물의 활성화 에너지는 122meV였다.

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Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CuAlSe2 단결정 박막의 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구 (Photocurrent Study on the Splitting of the Valence Band and Growth of CuAlSe2 Single Crystal Thin Film by Hot Wall Epitaxy)

  • 박창선;홍광준;박진성;이봉주;정준우;방진주;김현
    • 센서학회지
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    • 제13권2호
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    • pp.157-167
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    • 2004
  • A stoichiometric mixture of evaporating materials for $CuAlSe_{2}$ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, $CuAlSe_{2}$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $680^{\circ}C$ and $410^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $CuAlSe_{2}$ single crystal thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are $9.24{\times}10^{16}cm^{-3}$ and $295cm^{2}/V{\codt}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $CuAlSe_{2}$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_{g}(T)$ = 2.8382 eV - ($8.68{\circ}10^{-4}$ eV/K)$T^{2}$/(T + 155 K). The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $CuAlSe_{2}$ have been estimated to be 0.2026 eV and 0.2165 eV at 10 K, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_{5}$ states of the valence band of the $CuAlSe_{2}$. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_{1-}$, $B_{1-}$, and $C_{1-}$ exciton peaks for n = 1.

흉벽 재건에서 합성 물질의 피복을 위한 부분 근피판 조합의 효용성 (Usefulness of Partial Muscle Flaps and Combination Method for Coverage of Prosthetic Material in Chest Wall Reconstruction)

  • 류석태;변재경;임소영;문구현;방사익;오갑성
    • Archives of Plastic Surgery
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    • 제38권3호
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    • pp.228-234
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    • 2011
  • Purpose: Reconstruction of chest wall has always been a challenging problem. Muscle flaps for chest wall reconstruction have been helpful in controling infection, filling dead space and covering the prosthetic material in this challenge. However, when we use muscle flaps, functional and cosmetic donor site morbidities could occur. The authors applied and revised various partial muscle flaps and combination use of them to cover the prosthetic material for the chest wall reconstruction and evaluated the usefulness of partial muscle flaps. Methods: This study included 7 patients who underwent chest wall reconstruction using partial muscle flap to cover prosthetic material from 2004 to 2008. The pectoralis major muscle was used in anterior 2/3 parts of it leaving lateral 1/3 parts of it. The anterior 2/3 parts of the pectoralis major muscle were used while lateral 1/3 parts were left. In case of the rectus abdominis muscle flap, we used upper half of it, or we dissected it around its origin and then advanced to cover the site. The latissimus dorsi muscle flap was elevated with lateral portion of it along the descending branch of the thoracodorsal artery. If single partial muscle flap could not cover whole prosthetic material, it would be covered with combination of various partial muscle flaps adjacent to the coverage site. Results: Flap coverage of the prosthetic material and chest wall reconstructions were successfully done. There occurred no immediate and delayed post operative complications such as surgical site infection, seroma, deformity of donor site and functional impairment. Conclusion: When we use the muscle flaps to cover prosthetic material for chest wall reconstruction, use of the partial muscle flaps could be a good way to reduce donor site morbidity. Combination of multiple partial flaps could be a valuable and good alternative way to overcome the disadvantages of partial muscle flaps such as limitation of volume and size as well as flap mobility.

Hot Wall epitaxy(HWE)법에 의한 $CdGa_2Se_4$ 단결정 박막의 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구 (Photocurrent study on the splitting of the valence band and growth of $CdGa_2Se_4$ single crystal thin film by hot wall epitaxy)

  • 박창선;홍광준
    • 한국결정성장학회지
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    • 제17권5호
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    • pp.179-186
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    • 2007
  • [ $CdGa_2Se_4$ ] 단결정 박막을 수평 전기로에서 합성한 $CdGa_2Se_4$ 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판(반절연성-GaAs(100))의 온도를 각각 $630^{\circ}C,\;420^{\circ}C$로 고정하여 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성은 광발광 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)으로 부터 구하였다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 293K에서 운반자 농도와 이동도는 각각 $8.27{\times}10^{17}cm^{-3},\;345cm^2/V{\cdot}s$였다. $CdGa_2Se_4/SI$(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293K에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap $E_g(T)$는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 $E_g(T)=2.6400eV-(7.721{\times}10^{-4}eV/K)T^2/(T+399K)$였다. 광전류 스펙트럼으로부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting 에너지 ${\Delta}cr$값이 106.5meV이며 spinorbit 에너지 ${\Delta}so$값은 418.9meV임을 확인하였다. 10K일 때 광전류 세 봉우리들은 $A_{1^-},\;B_{1^-}$$C_{11}-exciton$ 봉우리임을 알았다.

치은연 하방으로 파절된 치아의 탈회냉동건조골을 이용한 Intra-alveolar transplantation (INTRA-ALVEOLAR TRANSPLANTATION OF COMPLETELY CROWN-ROOT FRACTURED TOOTH WITH DEMINERALIZED FREEZED DRIED BONE GRAFT)

  • 임형수;김동필;이창섭;이상호
    • 대한소아치과학회지
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    • 제27권2호
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    • pp.344-350
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    • 2000
  • 외상으로 인하여 치아가 받는 여러 가지 손상형태 중 치관-치근파절이 나타나는 빈도는 영구치에서 5%, 유치열에서는 2%라고 알려져 왔다. 치조정 하방에 파절선이 존재하고 치수노출을 동반한 치관-치근 파절에서는 크게 두가지의 보존적인 치료방법이 있다. 첫째, 교정력에 의해 정출시키는 방법과 둘째 치조와내에서 교합면 방향으로 재위치시키는 Intra-alveolar transplantation 등이 있다. 외과적 정출법은 1970년대에 소개된 이래로 교정적 정출법의 대안으로 많이 시행되고 있으며 높은 성공률을 가진 술식으로 여겨지고 있다. 본 증례는 외상으로 인해 상악 우측 중철치의 치수노출을 동반한 치관-치근 파절이 발생한 경우로 외과적 정출을 시행하기로 하였으나, 치근단 파절편의 길이가 짧아서 치아를 발거 후 회전시켜 재식하는 방법만으로는 파절선을 치조정 상방으로 위치시킬 수가 없었다. 따라서 치아를 발거한 후 파절편의 지지를 위해 치조와의 치근단부에 탈회냉동건조골을 이식한 후에 치근단 파절편을 노출한 후 suture splint를 시행하였다. 1년 3개월간의 관찰결과, 치조백선이 회복되고 정상적인 동요도를 보였으며, 염증성, 대체성 치근흡수 등과 같은 합병증은 발생되지 않았다.

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경구 진정요법하에 시행한 설소대 절제술 (LINGUAL FRENECTOMY UNDER ORAL SEDATION)

  • 장용걸;박호원;이주현;서현우
    • 대한소아치과학회지
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    • 제36권4호
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    • pp.568-574
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    • 2009
  • 설유착증(tongue-tie)은 비정상적으로 짧은 설소대로 인하여 혀의 움직임이 제한되는 것을 의미한다. 영유아에서 심한 설유착증은 수유곤란을 야기하기도 하고, 증상이 지속적으로 존재할 때는 혀의 운동범위가 제한되어 발음문제를 야기할 수 있다. 또한 비정상적인 혀의 위치로 인해 여러 가지 교정적인 문제를 초래 할 뿐만 아니라, 기능적, 사회적 장애요소로 작용할 수도 있다. 설유착증의 치료방법으로는 관찰, 언어치료, 단순절개술 그리고 절제술 등이 있는데, 수술시기에 대한 논란은 있지만 정도가 심하여 장기간 언어장애가 지속되거나 교정적인 문제를 야기 할 것으로 판단되는 경우 조기수술이 권장되고 있다. 진정요법은 조기치료가 필요한 나이가 어리고 비협조적인 환아들이나, 신체적, 정신적 이유로 통상적 인 치과진료에 어려움이 있는 환아들에게 효과적으로 사용될 수 있는 방법이다. 본 증례는 설유착증으로 수술이 필요하나 협조전단계인 환아를 대상으로 경구투여를 이용한 진정요법으로 소대절제술을 시행하여 양호한 결과를 얻었기에 이를 보고하는 바이다.

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정보 중심 네트워크를 위한 이름 기반 라우팅 프로토콜의 비교 및 분석 (Comparison and Analysis of Name-Based Routing Protocols for Information-Centric Network)

  • 김정재;류민우;차시호;조국현
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제14권4호
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    • pp.1969-1975
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    • 2013
  • ICN(Information-Centric Network)은 인터넷 상에 존재하는 방대한 정보를 효율적으로 이용하기 위하여 기존의 인터넷 통신 패러다임을 정보 기반의 통신 방법으로 전환하기 위한 차세대 인터넷 통신 기술이다. 따라서 ICN은 호스트 주소를 중심으로 통신 절차에 집중하던 기존 인터넷 통신 기술과는 달리 인터넷 상에 존재하는 모든 것을 정보라는 개념으로 정의함으로써 각 정보를 이용하기 위한 통신 목적에 집중한다. 이를 위하여 ICN에서는 각 정보에 이름을 붙여 사용하는 이름 기반 라우팅(NbR, Name-based Routing) 방법을 사용하며 ICN에 참여하는 모든 라우터는 각 라우터 마다 정보를 공유할 수 있도록 물리적인 스토리지를 가지는 특징이 있다. ICN에서의 NbR 방법은 각 라우터에서 보유하고 있는 스토리지에 도달하는 방법에 따라 one-phase routing과 two-phase routing으로 나뉜다. 그러나 현재 제시되고 있는 ICN에서의 NbR 방법은 ICN이 가지고 있는 고유한 특징을 반영하지 못하고 있기 때문에 많은 문제점을 발생시키고 있다. 따라서 본 논문에서는 ICN을 위한 효율적인 NbR 방법을 제시하기 위하여 정보에 대한 캐싱, 접근 시간, 분산, 이동성, 확장성, 배포 측면에서 NbR 이슈들을 점검하고, ICN을 위해 제안된 기존 방법들에 대한 비교 분석을 수행하였다. 또한 분석된 내용을 기반으로 ICN에서의 효율적인 NbR 기법에 대한 연구 방향을 제시하였다.

골유착성 임플랜트 보철물 장착시 하악골의 탄성변형 및 응력분포에 관한 삼차원 유한요소법적 연구 (A STUDY ON THE ELASTIC DEFORMATION AND STRESS DISTRIBUTION OF THE MANDIBLE WITH OSSEOINTEGRATED IMPLANT PROSTHESES USING THREE DIMENSIONAL FINITE ELEMENT ANALYSIS METHOD)

  • 김용호;김영수;김창회
    • 대한치과보철학회지
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    • 제36권2호
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    • pp.203-244
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    • 1998
  • The human mandible is always under the condition of loading by the various forces extorted by the attached muscles. The loading is an important condition of the stomatognathic system. This condition is composed of the direction and amount of forces of the masticatory muscles, which are controlled by the neuromuscular system, and always influenced by the movement of both opening and closing. Mandible is a strong foundation for the teeth or various prostheses, nevetheless it is a elastic body which accompanies deformation by the external forces on it. The elastic properties of the mandible is influenced by the various procedures such as conventional restorative treatments, osseointegrated implant treatments, reconstructive surgical procedures and so forth. Among the treatments the osseointegrated implant has no periodontal ligaments, which exist around the natural teeth to allow physiologic mobility in the alveolar socket. And so around the osseointegrated implant, there is almost no damping effect during the transmission of occlusal stress and displacements. If the osseointegrated implants are connected by the superstructure for the stabilization and effective distribution of occlusal stresses, the elastic properties of mandible is restricted according to the extent of 'splinting' by the superstructure and implants. To investigate the change of elastic behaviour of the mandible which has osseointegrated implant prosthesis of various numbers of implant installment and span of superstructre, a three dimensional finite element model was developed and analyzed with conditions mentioned above. The conclusions are as follows : 1. The displacements are primarily developed at the area of muscle attachment and distributed all around the mandible according to the various properties of bone. 2. The segmentation in the superstructure has few influence on the distribution of stress and displacement. 3. In the load case of ICP, the concentration of tensional stress was observed at the anterior portion of the ramus($9.22E+6N/m^2$) and at the lingual portion of the symphysis menti($8.36E+6N/m^2$). 4. In the load case of INC, the concentration of tensional stress was observed at the anterior portion of the ramus($9.90E+6N/m^2$) and the concentration of tensional stress was observed at the lingual portion of the symphysis menti($2.38E+6N/m^2$)). 5. In the load case of UTCP, the relatively high concentration of tensional stress($3.66E+7N/m^2$) was observed at the internal surface of the condylar neck.

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