• Current Optics and Photonics
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• 제6권3호
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• pp.227-235
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• 2022

To investigate the aging-related physiological functions of organic light-emitting diodes (OLEDs), we examined mRNA expression changes in aging-related genes due to oxidative stress inhibition by 630-nm red light OLEDs. As a result of irradiating 630-nm OLED with an intensity of 5 mW/cm² for 15 min, the viability of dermal fibroblasts significantly increased by 1.3-fold. In addition, reactive oxygen species generated by H₂O₂ were significantly reduced about 4.9-fold by irradiation with 630-nm OLED. Quantitative reverse-transcription polymerase chain reaction results showed that 630-nm OLEDs altered aging-related gene mRNA expression levels through antioxidant activity. The mRNA expression levels of matrix metalloproteinase1 (MMP1) and MMP9 decreased significantly, by about 2.2- and 2.5-fold, compared to the control group, whereas those of collagen, type I, and alpha 1 increased significantly, by 4.9-fold. The mRNA expression levels of cancer suppression genes p16 and p53 in dermal fibroblasts were also significantly reduced by 630-nm OLED irradiation, by about 1.4- and three-fold, respectively, compared to the control. Overall, it was confirmed that 630-nm OLED irradiation lowered the level of ROS formation induced by H₂O₂ in dermal fibroblasts, and that this antioxidant effect could regulate the mRNA expression levels of aging- and tumor suppression-related genes. This study shows a link between 630-nm OLED irradiation and anti-aging physiological functions such as antioxidant function, and suggests the potential of OLEDs as a useful light source for skin care.

• 한국광물학회지
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• 제24권4호
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• pp.265-278
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• 2011

전남지역의 점토광상은 그 구성광물이 단사정계형 엽납석(pyrophyllite), 1T형 고령석(kaolinite)을 주로 하고 부구성 광물로서 견운모, 석영 및 장석류를 포함한다. 이들 점토광상은 유사한 시기에 유사한 성분을 가진 화산암류로부터 생성되었으며, 각 광상은 광물학적으로 엽납석과 고령석 중의 하나를 우세하게 포함하는 경향이다. 고령토 광상은 주로 다이아스포나 강옥을 포함하지 않지만, 광체 상부에 명반석을 흔히 포함한다. 반면에 강옥이나 다이아스포는 납석 광상에서 흔히 수반된다. 점토광체 상부의 규화응회암류와 응회암류 등 지질시대가 젊어짐에 따라 엽납석 및 고령석의 양은 감소하는 경향이며, 마침내는 나타나지 않게 된다. 반면에 견운모, 석영 및 사장석류는 미약한 상부층에서 흔히 나타난다. 대부분의 점토광체는 상단부에 저색 응회암층이 오고, 그 상부로는 규화대층, 응회암층, 그리고 최상부에 각력 응회암층이 온다. 화학성분 분석에 의하면, $Al_2O_3$는 중-저급의 점토광체뿐 아니라 응회암류에서도 다소 높게 나타내며, 그 이유는 응회암류의 주요 구성광물인 사장석 때문이다. 광체와 모암에서 $Na_2O$와 CaO는 비교적 낮은 함량을 나타내나, $K_2O$는 광체에서 좀더 낮게 나타난다. 점토의 작열 감량은 명반석이나 다이아스포를 포함하는 부분에서는 특히 높게 나타나는 것은 이들이 포함하는 $Al_2O_3$ 및 $SO_4$ 성분에 의한다. 희토류함량분석에 의하면, 경희토류가 중희토류보다 많이 포함되는 경향이며, 다소 미약하지만 부의 유러피움(Eu)이상대를 나타낸다. 대부분의 점토광체는 주로 유백-담회색의 미립이며 층리가 양호하여 야외에서 구분이 어렵지 않은 경우가 많지만, 괴상광체 등이 나타나는 곳에서의 효과적인 탐사를 위해서는 광체 상부 지층 중에서 확인되는 특징적 지층을 선정하는 것이 바람직하다. 전남지역에서 광체를 배태하는 층의 상단부에 연속성이 양호한 저색점토/응회암과 함께 그 상부로 층리와 연장성이 지극히 좋은 규화대가 확인되며, 광물조성 상으로도 광체 및 인근 지층과의 구분이 확실하므로 효과적인 점토광체 탐사를 위한 건층(key bed나 mark horizon)으로서의 역할이 가능하다.

• 제3의학
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• 제2권1호
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• pp.55-84
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• 1997

Inferential structure and reality problem is a serious issue to O.M.(oriental medicine). The study will analyze this issue through a philosophical and historical comparative study of W.M.M(Western modern medicine) and O.M. First, I presuppose some basic ideas. The first is the division of the 'the philosophy of medicine' and 'the medicine itself'. Second, there is a 'visibility' that discriminate between 'the abstractive concept' and 'the concrete object' in diagnostic terminology. The third is the separation of disease, the entity and disease, the phenomenon. Finally, the distinction between the cause of disease and the nature of disease. Through these basic concepts, this study will analyze O.M's diagnostic methodology, 'Pattern identification of the S.A.S(sign and symptom)'. The results are follows: 1. O.M's views disease as a phenomenon. So, the S.A.S, which is visible, is the disease itself. Tough the analysis and inference of the S.A.S, 證(zheng) the essence is derived. 2. 證(zheng) can be considered as 'the abstractive concept' reflecting the essence of a disease. 3. 證(zheng) is not arrived through causal sequence reasoning but rather by analogical reasoning. 4. 證(zheng) is 'the non-random correlative combination of S.A.S', pattern. These patterns secure the abstractive deduction in reality. that is, The causality, the positivism, the view of disease as entity, and anatomical knowledge are the traits peculiar to W.M.M. But, these properties can not be applied universally to every medical systems. Also, these properties do not indicate the superiority or inferiority of any medical system. 5. 證(zheng) summarizes the patients condition simultaneously with the S.A.S. However, 證(zheng) doesn't necessarily indicate the knowledge about the actual internal organ. That is, Early in O.M.'s history, the diagnostic terminologies including 證(zheng) were analogical reflections of a naive knowledge of internal organs and external environmental factors. Later, the naive knowledge in 證(zheng) changed int new nature, an abstractive concept. The confusion of the concept of disease, the indiscriminate acceptance of Western anatomical knowledge, and the O.M.'s theoretical evolution et are the challenge facing modern O.M. To find solutions, this study looks at the sequence of the birth of W.M.M. and then compares it's system with the O.M. system. The confusion of the concept of disease, the indiscriminate acceptance of Western anatomical knowledge, and the O.M.'s theoretical evolution et are the challenge facing modern O.M. To find solutions, this study looks at the sequence of the birth of W.M.M. and then compares it's system with the O.M. system. It is recommended that O.M. diagnostics should pay close attention to the ambiguity of the diagnostic methodology in order to further development. At present time, the concept and the system peculiar to O.M. can not be explained by common language. but O.M.'s practitioner can not persist in this manner an: longer. Along with the internal development of O.M., the adjustment of O.M.'s diagnostic terminology needs to be adopted.

• 한국재료학회지
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• 제15권4호
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• pp.275-280
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• 2005

The growth of hafnium oxide thin films by atomic layer deposition was investigated in the temperature range of $175-350^{\circ}C$ using $Hf[N(CH_3)_2]_4\;and\;O_2$ as precursors. A self-limiting growth of $0.6\AA/cycle$ was achieved at the substrate temperature of $240-280^{\circ}C$. The films were amorphous and very smooth (0.76-0.80 nm) as examined by X-ray diffractometer and atomic force microscopy, respectively. X-ray photoelectron spectroscopy analysis showed that the films grown at $300^{\circ}C$ was almost stoichiometric. Electrical measurements performed on $MoW/HfO_2$(20 nm)/Si MOS structures exhibited high dielectric constant$(\~17)$ and a remarkably low leakage current density of at an applied field of $1.5-6.2\times10^{-7}A/cm^2$ MV/cm, probably due to the stoichiometry of the films.

• Clinical and Experimental Reproductive Medicine
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• 제10권1호
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• pp.45-55
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• 1983

This study was intended to investigate the effectiveness of Quicure vaginal irrigaticn for treatment of cervico-vaginitis. 53 patients who visited to severance hospital during July to December 1982 were included in this study. Antiseptics used for irrigation were 1% KMnO4, 10% Betadine and Albright solution, each solution was prepared for warm ($37^{\circ}C$) and cold ($15^{\circ}C$) form respectively, Acridine Orange immunofluorescent stainiry of cervico-vaginal smear was used for assessment of effectivenese. The results were as followed. 1. On unitial examination 62%s of patients had trichomonas infection, 19% had moniliasis infection, 19% had non specific infection. 2. Smear findings of patients~who had trichomonas infection or moniliasis infection, treated with cold 1% KMnO4 or Albright solution, became>negative except case of on each group. But the findings of all patients treated with warm solution became negative. Changes of findings of patients who had non specific infection showed similar result. This results indicated that warm solution would be better than cold solution. 3. The findings of all patients treated with Betadine solution became negative except, patient who had non specific infection, showed that Betadine solution would be better than 1% KMnO4 or Albright salution. 4. Patients' feeling of using warm saline was more satisfactory than that of cold solution

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.357-357
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• 2012

박막트랜지스터의 전극으로 Au, Ag, Mo, ITO와 같은 물질들이 이미 많이 연구되어 왔으며, 투명 Source/Drain 전극을 활용한 물질로는 ITO에 초점이 맞춰져 왔다. 하지만 ITO의 높은 가격과 Indium의 인체 유해한 독성 때문에 ITO를 대체하는 물질에 대해 많은 연구가 진행되고 있다. 그 중 Al이 도핑된 ZnO (AZO) 는 가시광 영역에서 85% 이상의 높은 투과율과 높은 전도성, 낮은 비저항으로 다양한 광전소자의 전극과 윈도우 물질로 많은 응용 가능성을 보여주고 있다. 본 실험에서는 고 품질의 박막성장이 가능하고, 박막의 두께를 세밀하게 조절할 수 있는 Pulsed Laser Deposition (PLD) 을 이용하여 온도변화에 따라 AZO 박막을 성장시키고 구조적, 전기적, 광학적 특성을 조사하였다. 또한 온도변화가 AZO 박막 특성에 미치는 영향을 분석하여 Source/Drain 전극으로 사용하기 위한 조건을 최적화하였고, 실제 투명박막트랜지스터 제작을 통해 소자의 I-V Curve 와 Transfer 특성을 확인하고, Transfer Length Method 방법을 이용하여 투명박막트랜지스터의 접촉저항, 채널 비저항 등을 확인해 보았다. 소결된 타겟으로는 99.99%의 순도를 갖는 ZnO-$Al_2O_3$ (98:2 wt%) 타겟을 이용하였으며, 장비조건으로는 355 nm의 파장대역을 갖는 Nd:YAG 레이저를 사용하였고, 실험변수로는 온도범위 RT, $200^{\circ}C$, $400^{\circ}C$, $600^{\circ}C$에서 실험을 진행하였다. AZO 박막의 구조적, 전기적 특성을 분석하기 위해 각각 X-Ray Diffraction (XRD), Hall measurement 장비를 사용하였으며, 광학적 특성을 분석하기 위한 투과도의 측정은 UV-Visible spectrophotometer 장비를 사용하였다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 춘계 학술대회
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• pp.139-145
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• 2005

In the study, in order to deposit TaN thin film using diffusion barrier and bottom electrode we made the Plasma Assisted ALD equipment and confirmed the electrical characteristic of TaN thin films deposited PAALD method, PAALD equipment depositing TaN thin film using PEMAT(pentakis(ethylmethlyamlno) tantalum) Precursor and $NH_3$ reaction gas is aware that TaN thin film deposited of high density and amorphous phase with XRD measurement The degree of diffusion and react ion taking place in Cu/TaN(deposited using 150 W PAALD)/$SiO_2$/Si systems with increasing annealing temperature was estimated from MOS capacitor property and the $SiO_2(600\;\AA)$/Si system surface analysis by C-V measurement and secondary ion material spectrometer(SIMS) after Cu/TaN/$SiO_2(400\;\AA)$ system etching. TaN thin film deposited PAALD method diffusion barrier have a good diffusion barrier property up to $500^{\circ}C$.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제4권2호
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• pp.39-43
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• 2005

In the study, in order to deposit TaN thin film for diffusion barrier and bottom electrode we made the Plasma Assisted ALD equipment and confirmed the electrical characteristics of TaN thin films grown PAALD method. Plasma Assisted ALD equipment depositing TaN thin film using PEMAT(pentakis(ethylmethlyamino) tantalum) precursor and NH3 reaction gas is shown that TaN thin film deposited high density and amorphous phase with XRD measurement. The degree of diffusion and reaction taking place in Cu/TaN (deposited using 150W PAALD)/$SiO_{2}$/Si systems with increasing annealing temperature was estimated for MOS capacitor property and the $SiO_{2}$, (600${\AA}$)/Si system surface analysis by C-V measurement and secondary ion material spectrometer (SIMS) after Cu/TaN/$SiO_{2}$ (400 ${\AA}$) layer etching. TaN thin film deposited PAALD method diffusion barrier have a good diffusion barrier property up to 500$^{\circ}C$.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.8.2-8.2
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• 2009

구리(Cu)-인듐(In)-갈륨(Ga)-셀레늄(Se)의 4 원소 화합물 반도체인 Cu(InGa)$Se_2$ (CIGS) 태양전지 세계 최고 셀효율은 2008년 현재 19.9% 로서 박막형 태양전지 중 가장 높은 효율을 보이고 있다. 이는 다결정(폴리) 실리콘 태양전지의 20.3%와 대등한 수준이다. 이 CIGS 태양전지는 제조단가를 표준 결정형 실리콘 태양전지 대비 50% 대로 획기적으로 낮출 수 있어 가장 경쟁력이 있는 차세대 재료로 꼽히고 있다. 본 연구에서는 CIGS태양전지를 고진공 물리 증작법으로 제작하였으며 표면과 박막의 순도를 외부오염을 방지하기 위하여 후면전극, 광흡수체 및 전면전극을 동일 진공에서 제작할 수 있는 멀티 챔버 클러스터 증착 시스템을 이용하였다. 기판으로 소다라 임유리, 후면전극으로 Mo, 전면전극으로 I-ZnO/Al:ZnO 및 ITO를 이용하였다. 버퍼층으로 CdS를 chemical bath deposition (CBD)를 이용하였다. 소자는 무반사막을 사용하지 않고 Al/Ni전극 그리드를 이용하였다. 이 소자로부터 0.22 $cm^2$에서 16%의 효율을 얻었다. 각 박막층 간 계면의 분석을 전기적인 특성, ellisometry에 의한 광특성, 표면과 결정성에 대한 SEM 및 XRD의 특성을 보고한다. 또한, 대표적 화합물 반도체 박막 태양전지인 CIGS 태양전지의 기술의 현황, 학문적인 과제 및 실용화의 문제점을 발표하기로 한다.

• 한국재료학회지
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• 제7권2호
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• pp.102-106
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• 1997

박막형 접촉연소식을 포함한 마이크로 가스센서에서 membrane은 Si식각시 식각정지용으로서 또 센서 소자를 지지하는 층으로서 응력이 없어야 하며 이는 응력이 membrane파괴의 주 원인으로 작용하기 때문이다. 이에 따라 본 연구에서는 증착조건이 low pressure chemical vapor deposition(LPCVD)법과 sputtering법으로 제작된 $SiN_{x}$과 $SiN_{x}/SiO_{x}/(NON)$막의 응력고 굴절율 변화에 미치는 효과에 대한 실험을 행하였다. LPCVD의 경우 단일막인 $SiN_{x}$의 압축응력 및 굴절율을 나타내었다. Sputtering의 경우 $SiN_{x}$는 공정압력이 1mtorr에서 30torr까지 증가할수록 인가전력밀도가 $2.74W/cm^2$에서 $1.10W/cm^2$으로 감소할수록 응력값은 압축에서 인장으로 전환되었으며 본 실험에서 응력이 가장 낮게 나온 시편의경우 압축응력으로 $1.2{\times}10^{9}dyne/cm^2$가 공정압력 10mtorr, 인가전력밀도 $1.37W/cm^2$에서 얻어졌다. 굴절율은 공정압력이 1motorr에서 30motorr까지 증가할수혹 인가전력밀도가 $2.74W/cm^2$에서 $1.10W/cm^2$으로 감소할수록 감소하여 2.05에서 1.89의 변화를 보였다. LPCVD와 sputtering으로 증착된 막들은 모두 온도가 증가함에 따라 응력이 감소하였으며 온도감소시 소성적인 특성을 나타내었다.