We report a new patterning technique of inorganic materials by using thin-film transfer printing (TFTP) with atomic layer deposition. This method consists of the atomic layer deposition (ALD) of inorganic thin film and a nanotransfer printing (nTP) that is based on a water-mediated transfer process. In the TFTP method, the Al2O3 ALD growth occurs on FTS-coated PDMS stamp without specific chemical species, such as hydroxyl group. The CF3-terminated alkylsiloxane monolayer, which is coated on PDMS stamp, provides a weak adhesion between the deposited Al2O3 and stamp, and promotes the easy and complete release of Al2O3 film from the stamp. And also, the water layer serves as an adhesion layer to provide good conformal contact and form strong covalent bonding between the Al2O3 layer and Si substrate. Thus, the TFTP technique is potentially useful for making nanochannels of various inorganic materials.
박막태양전지의 경우 기판재와 태양전지를 구성하는 반도체 층간의 열팽창 거동 차이가 태양전지의 변형을 야기한다. 이러한 열변형은 태양전지의 효율에 영향을 주는 것으로 알려져 있다. 그러므로 태양전지를 구성하는 반도체 층과 열팽창 거동이 유사한 기판재의 적용이 필요하다. 본 연구에서는 연성 CIGS 태양전지를 구성하는 기판과 박막층의 두께변화가 열공정 중 발생하는 잔류응력에 미치는 영향을 전산해석 하고자 하였다. 전산해석 결과 Fe-52wt%Ni 기판재의 두께가 증가함에 따라 CIGS 박막층 내부의 잔류응력은 감소하였다. SiO2 절연층의 두께가 증가하면 CIGS 박막층의 잔류응력이 증가하였다. Mo 후면전극층이 얇아지면 잔류응력이 감소하였으나 CIGS층의 두께변화는 CIGS층의 잔류응력에 큰 영향을 미치지 않았다.
In this study, we present a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) binary image sensor. It can shoot an object rotating at a high-speed by using a gate/body-tied (GBT) p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (PMOSFET)-type photodetector. The GBT PMOSFET-type photodetector amplifies the photocurrent generated by light. Therefore, it is more sensitive than a standard N+/P-substrate photodetector. A binary operation is installed in a GBT PMOSFET-type photodetector with high-sensitivity characteristics, and the high-speed operation is verified by the output image. The binary operations circuit comprise a comparator and memory of 1- bit. Thus, the binary CMOS image sensor does not require an additional analog-to-digital converter. The binary CMOS image sensor is manufactured using a standard CMOS process, and its high- speed operation is verified experimentally.
실리콘 기판으로 만든 바이오센서에서 펩타이드-항체의 접합 동특성을 회전 타원분광계로 정밀하게 측정하고 분석하였다. 극도로 낮은 몰농도의 펩타이드를 측정할 때, 시료가 놓이는 바이오센서의 표면의 불완전한 편평도와 완충용액 굴절률 변화로 인한 측정오차를 줄이기 위하여 금속박막의 유리 프리즘 대신에 실리콘 기판 위에 덱스트란 SAM을 직접 적층하여 바이오센서를 만들었다. $100{\mu}l/min$의 완충용액 주입속도에서 바이오센서에 올려진 항체 및 펩타이드의 접합특성을 각각 측정하였다. 리터당 5 ng의 낮은 항체농도에서도 항체-덱스트란 SAM 사이의 동특성을 쉽게 측정할 수 있었다. 또한 100 nM까지의 펩타이드에 대한 미세한 흡착 및 해리 특성을 정밀하게 측정할 수 있었으며, 접합 동특성 식에 이 실험결과를 피팅하여 흡착계수와 해리계수를 구할 수 있었다. 이 결과로부터 펩타이드의 평형상태의 해리상수인 $K_D$는 97 nM이었고, 이 수치는 Class I에 속함을 알 수 있었다.
4H-SiC 기판 위의 Si 성장은 전력 반도체, 바이폴라 접합 트랜지스터 및 광전자 공학에서 매우 유용한 재료로서 광범위한 응용 분야를 가지고 있다. 그러나 Si와 4H-SiC 사이에 약 20 %의 격자 불일치로 인해 4H-SiC에서 매우 양질의 결정 Si를 성장시키는 것은 상당히 어렵다. 본 논문에서는 혼합 소스 수소화물 기상 에피택시 방법을 이용하여 4H-SiC 기판에서 성장한 Al 관련 나노 구조체 클러스터에 의한 육각형 Si 에피층의 성장을 보고한다. 4H-SiC 기판 위에 육각형 Si 에피층을 성장시키기 위해 먼저 Al 관련 나노 구조체 클러스터가 형성되고 Si 원자를 흡수하여 육각형 Si 에피층이 형성되는 과정을 관찰하였다. Al 관련 나노 구조체 클러스터와 육각형 Si 에피층에 대하여 FE-SEM 및 라만 스펙트럼 결과로부터 육각형 Si 에피층은 일반적인 입방정계 Si 구조와 다른 특성을 가지는 것으로 판단된다.
The purpose of this study was to evaluate the response in aspect of attachment and growth rate of osteoblasts and growth rate of osteoblasts and human gingival fibroblasts to the commercially pure titanium(CP titanium)and titanium alloy(Ti-6AI-4V) that are used widely as implant materials, and to obtain the basic information to ideal implant materials. In the studly, commercially pure titanium in first test group, titanium alloy(Ti-6AI-4V) in second test group, cobalt-chrome-molybdenum alloy(Co-Cr-Mo alloy) in positive control group, and tissue culture polystyrene plate in negative control group were used. The results of this study were as follows. 1. Bone marrow cells cultured on CP titanium and Ti-6Al-4V showed significantly greater attachment and growth rate(p(0.05) compared to Co-Cr-Mo alloy in each time. 2. There were no significant differences(p>0.05) in attachment and growth rate of bone marrow cells cultured on CP titanium and Ti-6AI-4V or tissue culture plate. 3. Most bone marrow cells cultured on CP titanium, Ti-6Al-4V and tissue culture plate were attached well to each substratum in first 2days, and then, grew at higher growth rate. On the other hand, some cells cultured on Co-Cr-Mo alloy failed to attach in first 2 days, and then, attached cells grew at lower growth rate than other groups. 4. Attachment and growth rates of gingival fibroblasts cultured on CP titanium and Ti-6Al-4V showed no significant differences(p>0.05) compared to Co-Cr-Mo alloy in 2 days, but significantly greater increase(p<0.05) in 5 and 9 days. 5. There were no significantly differences(p>0.05) between growth rates on gingival fibroblasts cultured on CP titanium, Ti-6Al-4V and tissue culture plate in 2 and 5days, but a significant lower growth rate(p<0.05) on CP titanium and Ti-6Al-4V versus tissue culture plate. 6. Some gingival fibroblasts cultured on all specimen groups failed to attach, but attached cells grew well, especially on CP titanium, Ti-GAl-4V and tissue culture plate. 7. There were no significant differences(P>0.05) between growth rates of both bone marrow cells and gingival fibroblasts cultured on CP titanium and Ti-6AI-4V. As a result of this study, both commercially pure titanium and Ti-6AI-4V showed excellent biocompatibility and there was no significant difference in the cellular response to the both metals. Bone marrow cells cultured on each substratum showed significantly greater growth rate and responded sensitively to cytotoxic effects of metal surfaces compared to gingival fibroblasts. Considering cell response to the substrate, it was likely that the composition itself of titanium metals have no significant effect on the biocompatibility. Further study need to be done to evaluate the influence of surface characteristics on cellular responses.
본 논문에서 실리콘 기판 위에 성장된 GaN 에피탁시를 활용하여 고전압 쇼트키 장벽 다이오드를 제작하였으며, 금속-반도체 접합의 열처리 조건에 따른 GaN 완충층 (buffer layer) 누설전류와 제작된 다이오드의 전기적 특성 변화를 연구하였다. Ti/Al/Mo/Au 오믹 접합과 Ni/Au 쇼트키 접합이 제작된 소자에 설계 및 제작되었다. 메사를 관통하는 GaN 완충층의 누설전류를 측정하기 위하여 테스트 구조가 제안되었으며 제작하였다. $700^{\circ}C$에서 열처리한 경우 100 V 전압에서 측정된 완충층의 누설전류는 87 nA이며, 이는 $800^{\circ}C$에서 열처리한 경우의 완충층의 누설전류인 780 nA보다 적었다. GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 누설전류 메커니즘을 분석하기 위해서 Auger 전자 분광학 (Auger electron spectroscopy) 측정을 통해 GaN 내부로 확산되는 Au, Ti, Mo, O 성분들이 완충층 누설전류 증가에 기여함을 확인했다. 금속-반도체 접합의 열처리를 통해 GaN 쇼트키장벽 다이오드의 누설전류를 성공적으로 감소시켰으며 높은 항복전압을 구현하였다.
Application of a new photocatalyst has been attempted to improve the efficiency and rates of photocatalytic degradation of azo dyes by using a model dye such as Methyl Orange. As a new photocatalyst, $TiO_2$ encapsulated EFAL-removed zeolite Y ($TiO_2$ /EFAL-removed zeolite Y) has been synthesized by ion-exchange in the mixture of EFAL-removed zeolite Y with 0.05 M aqueous [$(NH_4)_2 TiO(C_2O_4)_2.H_2O$] [$TiO(C_2O_4)_2.H_2O$]. This new photocatalyst has been characterized by measuring XRD, IR and reflectance absorption spectra as well as ICP analysis, and it was found that the framework structure of $TiO_2$ /EFAL-removed zeolite Y is not changed by removing the extra-framework aluminum (EFAL) from the normal zeolite Y and the $TiO_2$ inside the photocatalyst exists in the form of $(TiO^{2+})_n$ nanoclusters. Based on the ICP analysis, the Si/Al ratio of the $TiO_2$ /EFAL-removed zeolite Y and the weight of $TiO_2$ were determined to be 23 and 0.061g in 1.0g photocatalyst, respectively. It was also found that adsorption of the azo dye in the $TiO_2$ /EFAL-removed zeolite is very effective (about 80 % of the substrate used). This efficient adsorption contributes to the synergistic photocatalytic activities of the $TiO_2$ /EFAL-removed zeolite by minimizing the required flux diffusion of the substrate. Thus, the photocatalytic reduction of methyl orange (MO) was found to be 8 times more effective in the presence of $TiO_2$ /EFAL-removed zeolite Y than in the presence of $TiO_2$ /normal zeolite Y. Furthermore, the photocatalytic reduction of MO by using 1.0 g of the $TiO_2$ /EFAL-removed zeolite Y containing 0.061g of $TiO_2$ is much faster than that carried out by using 1.0 g of Degussa P-25.
공정 Au-20Sn 솔더합금을 솔더링 시간과 온도를 달리하여 Ni위에서 솔더링하였다. 주사전자현미경 (SEM)을 사용하여 계면에 생성된 IMC의 조성, 상, 모양에 대해 조사하였다. 계면에는 $(Au,Ni)_3Sn_2$와 $(Au,Ni)_3Sn_2$의 두 가지 IMC가 생성되었다. 그 중 첫 번째 생성된 IMC인 $(Au,Ni)_3Sn_2$상은 솔더링 온도에 따라 모양의 변화가 관찰되었다. 이러한 모양의 변화로 인한 확산통로수의 변화는 모든 솔더링 온도에서 거의 비슷한 IMC 두께를 가지도록 한다. IMC, $(Au,Ni)_3Sn_2$상의 모양변화는 온도 증가에 의한 생성엔탈피의 감소 때문인데, 이는 Jackson's parameter로써 잘 설명될 수 있다.
Park, Joo-Woong;Lee, Joo-Kyung;Kwon, Tae-Jong;Yi, Dong-Hee;Park, Yong-Il;Kang, Sang-Mo
Journal of Microbiology and Biotechnology
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제11권6호
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pp.1011-1017
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2001
Streptomyces sp. Y-110 cytochrome P-450, induced by the addition of compactin -Na into the culture medium, was purified from the cell extract to apparent homogeniety, mainly by DEAE-Sepharose, hydroxyapatite, and Mono Q column chromatyography. The sepcific activity of purified enzyme on its substrate, compactin-Na, was determined to be 15 nmol of pravastatin per mg protein. The molecular mass of this enzyme on SDS-PAGE was $37{\pm}0.5$ kDa, pI was 4.5, and its CO difference spectrum showed maximum absorption peaks at 452 and 550nm, respectively. The N-terminal amino acid sequence was determined to be Met>Thr>Cys>Thr>Pro>Val>Thr>Val>The>Gly>Ala>Ala>Gly>Gln>Ile>Gly>Tyr>Ala>Leu. Its apparent $K_m$ on compactin-Na was $1.294{\mu}M{\cdot}min^-1,\;and\;V_{max}\;was\;1.028{\mu}M{\cdot}min^-1$. The maximum substrate concentration ($K_s$) for reaction was $270 {\mu}M$and thus $1/[K_s]$ was $3.7{\mu}M$. These physicochemical characteristics and kinetic behavior of this enzyme were compared and shown to be different from those of Streptomyces cytochrome P-450 enzymes reported, suggesting that this enzyme may be an additional member of the Streptomyces cytochrome P-450 family.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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