Micro-Pulling Down (${\mu}$-PD) 법을 이용하여 $MnO_2$와 $Tb_4O_7$를 첨가하여 crack. 열 strain 등의 결함이 없는 화학양론조성의 $LiNbO_3$ 단결정을 c-축으로 직경 1.0mm, 길이 25-30mm의 크기로 성장시켰다. Electron Probe Micro Analysis (EPMA)를 이용하여 결정 내에 $MnO_2$와 $Tb_4O_7$이 균일하게 분포되어 있음을 확인하였다. 또한 Fourier Transform-Infrared Spectrophotometer (FT-IR)을 사용하여 OH 흡수밴드를 관찰하였고, 성장된 결정의 $MnO_2$와 $Tb_4O_7$ 첨가에 따른 형광특성의 변화를 측정하였다.
본 연구에서는 fine ceramics의 합성법을 traditional ceramics 합성에 적용하여 합성한 내화재료용 mullite에 광화제를 첨가함으로서 광화제가 mullite 생성에 미치는 영향을 관찰하고자 한다. 출발물질로 하동 kaolin과 boehmite를 사용하였으며, 여기에 광화제로 MnO와 TiO2를 액상으로 첨가하였다. 그 결과 3.5 wt% MnO를 첨가한 경우, 1,25$0^{\circ}C$에서 미반응 silica와 alumina가 존재하지 않는 단일상의 mullite를 합성할 수 있었으며, TiO2 첨가시 2~3.5wt% MnO의 경우 mullite 생성 온도를 약 10$0^{\circ}C$ 낮출 수 있었다. 이때의 mullite 생성율은 1$650^{\circ}C$에서 84%이며, 부피 비중과 흡수율 및 상온에서 꺾임강도는 각각 2.72, 0.27%, 180MPa을 나타내어 광화제를 첨가하지 않은 경우보다 특성도 향상함을 알 수 있었다.
고주파 저손실 재질로 사용되고 있는 Mn-Zn 페라이트의 제조공정 중 소결조건과 Ta2O5첨가가 Mn-Zn 페라이트의전력손실에 미치는 영향에 대해서 연구하였다. 등조성선을 따라 냉각하기 위하여 컴퓨터를 사용해서 정확하게 산소분압을 조절하였으며 적절한 등조성선을 선택함으로써 보다 좋은 손실특성을 얻을 수 있었다. CaO-SiO2 첨가계에 Ta2O5를 0ppm에서 400ppm으로 변화시켜 가며 첨가하였으며, Ta2O5 가 400ppm 첨가되었을 경우 균일한 grain 성장과 더불어 낮은 전력손실을 나타내었다. 온도에 상응하는 상평형 산소분압을 정확히 맞춰 냉각할 경우 전력손실 최소값이 질소 분위기에서 냉각시킨 시편보다 높은 온도쪽으로 이동됨도 확인할 수 있었다.
TiO$_2$의 첨가가 Mn-Zn ferrites의 전자기적 물성에 미치는 효과에 대해 연구하였다. TiO$_2$의 첨가량이 증가함에 따라 밀도와 전기비저항이 증가된 반면 초기투자율은 감소하였다. TiO$_2$의 첨가에 따라 Fe$^{2+}$ ion의 증가에 기인하여 전력손실의 최소 값을 나타내는 온도가 저온으로 이동하였다. TiO$_2$를 0.12wt% 첨가한 시편의 경우, 100 kHz, 200 mT, 8$0^{\circ}C$ 측정 조건에서는 소결온도가 증가함에 따라 전력손실이 감소하였으며 125$0^{\circ}C$ 소결한 시편이 340 mW/㎤으로 가장 낮은 값을 보였다. 500 kHz, 50 mT, 8$0^{\circ}C$의 측정 조건에서는 소결 온도가 감소함에 따라 전력손실이 감소하였으며 115$0^{\circ}C$ 소결한 시편이 105 mW/㎤으로 가장 낮은 전력손실 값이 관찰되었다.
$0.05Pb(Al_{2/3}W_{1/3})O_3-0.95Pb(Zr_{0.52}Ti0.48)O_3$를 기본 조성으로 $MnO_2,Fe_2O_3$를 첨가제로 하여 사진식각법(Photolithography)을 이용 세라믹 필터를 제작하였다. $MnO_2$의 첨가량이 증가함에 따라 전기 기계 결합 계수(Kp)가 낮아지며, $Fe_2O_3$의 경우 Kp값은 57% 정도로 우수하나 기계적 품질 계수(Qm)는 $MnO_2$첨가의 경우에 비해 상대적으로 낮은 값을 보여주고 있다. $MnO_2$0.3wt% 첨가의 경우 3dB 대역폭은 155kHz, $ Fe_2O_3$0.1wt%인 경우 260kHz로써 Qmr값이 크기에 반비례하였으며, 군지연시간 특성은 $MnO_2$의 경우 Gaussian 특성을,$Fe_2O_3$의 경우 Butterworth 특성을 나타내었다.
Ni-Mn 산화물 NTC 서미스터의 미세구조와 전기적 특성에 미치는 Zr $O_2$ 첨가의 효과를 연구하였다. Zr $O_2$를 포함하는 Ni-Mn-Zr 산화물 소결체의 주요 상은 입방정 스피넬 구조를 가지는 NiO-Mn$_3$$O_4$-Zr $O_2$의 고용체와 정방정 결정구조를 가지는 Zr $O_2$ 상이였다. Zr $O_2$의 첨가량이 증가함에 따라 Ni-Mn-Zr산화물의 고용체를 형성하지 못하고 생성된 Zr $O_2$의 양이 증가하였다. NiO-Mn$_3$$O_4$-Zr $O_2$ NTC 서미스터에 있어서 절대온도 역수(l/T)에 대한 로그 비저항(log $ho$)은 직선적인 관계가 있었고, 비저항, B$_{140}$320/정수 및 활성화 에너지는 Zr $O_2$ 함량이 증가함에 따라 크게 증가하였다.
등온용량과도분광법(Isothermal Capacitance Transient spectroscopy)을 이용하여 ZnO 바리스터의 포획준위를 결정하였다. 여기서 등온용량과도분광기는 YHP 4192A 임피던스 Analyzer와 데이터해석을 위한 개인용 컴퓨터로 구성된다. 이 실험에서 우리는 $ZnO-Bi_2O_3$에 MnO 및 CoO를 첨가한계에서 $-40^{\circ}C~60^{\circ}C$ 온도범위에서 0.28, 0.48, 0.50, 0.94eV 등의 입계포획준위가 존재함을 볼 수 있었다. 또한, $ZnO-Bi_2O_3$계는 CoO를 첨가하면 hole에 의한 emission특성을 나타내고, MnO를 첨가하면 전자에 의한 emission특성을 나타냄을 알 수 있었다. 그리고 비 직선저항계수 $\alpha$는 도너농도의 감소에 직접적으로 비례하였으나, 포획준위의 밀도와는 별다른 비례관계를 발견할 수 없었다. 결론적으로 $ZnO-Bi_2O_3-MnO$계에 CoO를 첨가함에 따라 $\alpha$값이 증가하는 한편, 포획준위밀도는 CoO의 첨가로 감소함을 알 수 있었다.
저손실 망간징크 페라이트에서 CaO-SiO$_2$첨가는 입계에 높은 전기저항층을 형성시켜 와류에 의한 손실을 감소시키는 것으로 알려져 있다. 본 실험에서는 Nb$_2$O$_{5}$ 를 제 3의 첨가제로 사용하여 저손실 망간징크 페라이트에서의 전자기적 물성변화를 관찰하였다. Nb$_2$O$_{5}$ 300ppm 이상 첨가시 부분적인 과대입자 성장이 관찰되었으며, 200ppm 첨가시 CaO-SiO$_2$만 첨가한 시편에 비하여 밀도가 증가하였다. Nb$_2$O$_{5}$ 첨가시에는 100ppm 이하의 SiO$_2$첨가에서 우수한 전력손실 특성이 나타났으며, 고온 소결시 Nb$_2$O$_{5}$-CaO를 첨가한 시편에서 낮은 전력손실을 나타내었다.
금속산화물 Al₂O₃, CoO, Fe₂O₃ 및 MnO₂를 이트리아 안정화 지르코니아(YSZ)에 첨가하여 전기적, 기계적 그리고 소결성에 미치는 영향을 연구하였다. 정방정에서 단사정으로의 상전이비가 각 첨가물을 8wt% 까지 첨가함에 따라 변화됨을 볼 수 있었고, 소결 밀도는 첨가물량이 증가함에 따라 감소하였다. 파괴인성은 상전이비가 약 18%에서 최대가 되었다. YSZ의 전기전도도는 CoO, Fe₂O₃, 및 MnO₂의 첨가량이 1.5wt%까지 첨가될 때 증가하였다. 그러나 Al₂O₃의 첨가는 YSZ의 전기전도도에 영향이 없었다. 복합첨가의 경우 파괴인성 및 경도에 다소 복잡한 경향을 보였는데, 복합조성 1.5wt%-Fe₂O₃, 3.0wt%-Al₂O₃, 그리고 1.5wt%-CoO 에서 상전이비가 18%, 파괴인성 10.8 MPa·m/sup 1/2/이라는 최고의 값과 경도 1201 kgf/mm² 값을 얻을 수 가 있었다.
MPB조성영역에 MnO2를 첨가한 압전체를 제조하여 분극처리후에 반복압축응력을 부여함에 따른 압전열화 현상을 조사하고 분극처리 전후의 굽힘강도의 변화 및 파괴특성을 연구하였다. MnO2를 0.25wt.% 첨가한 시편에서 가장 적은 열화현상이 일어났다. 굽힘강도는 분극처리 후 하중방향에 평행한 방향으로 분극처리한 시편이 분극처리 전보다 높은 강도를 나타내었고, 수직한 방향으로 분극처리한 시편은 낮은 값을 나타내었다. 이는 분극처리시 발생하는 전계방향으로 압축잔류응력, 직각방향으로 인장잔류응력 때문인 것으로 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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