• 제목/요약/키워드: MnO

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$ZnGa_2O_4$:Mn,X 형광체의 부활성제에 따른 발광 효과 (Effect of Luminescence with Coactivator of $ZnGa_2O_4$:Mn,X phosphor)

  • 박용규;한정인;주성후
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제11권3호
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    • pp.242-247
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    • 1998
  • In this study, we have synthesized $ZnGa_2O_4$:Mn,X powder doped with Mn, MnO, $MnF_2$ and $MnCl_2$, low voltage green emitting phosphor, in vacuum atmosphere. From PL spectra, the intensity of the emission peak, the brightness with coactivator show that $ZnGa_2O_4$:Mn,Cl > $ZnGa_2O_4$:Mn,F > $ZnGa_2O_4$:Mn,O > $ZnGa_2O_4$:Mn. These improvement of the brightness are caused by the increase of the concentration of $Mn^{2+}$ ion. In case of $ZnGa_2O_4$:Mn,Cl and ZnGa$_2$O$_4$:Mn,F, the brightness is enhanced much more, which is owed to the decrease of defect of host material. For $ZnGa_2O_4$:Mn,Cl phosphor fabricated with optimized condition, the decay time becomes short from 30 ms of the $ZnGa_2O_4$:Mn and $ZnGa_2O_4$:Mn,O to 6 ms and the brightness of CL at 1 kV, 1 mA is 60 cd/$m^2$.

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CoO가 첨가되지 않은 스피넬계 흑색안료의 합성 (Synthesis of Cobalt Oxide Free Black Color Spinel Pigment)

  • 김준호;이성호;서만철;이병하
    • 한국세라믹학회지
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    • 제44권11호
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    • pp.639-644
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    • 2007
  • Spinel pigments, developing black color in high temperature glazes at oxidation or reduction atmosphere, without CoO because of its high price were synthesized by solid solution method. Ten mixed compositions consisted of NiO, MnO, $Fe_2O_3 and $Mn_2O_3$ were fired at $1250^{\circ}C$ for 1h. The resulting pigments were characterized by using XRD, FT-IR, SEM and UV-vis spectrometer. Structure of the pigments are spinel and particles' shape are spherical or cubic. Glazed tiles containing 5 wt% pigments were fired at $1260^{\circ}C$ and $1240^{\circ}C$ in reduction atmosphere. Color in glazes were analyzed by UV-vis spectrometer. Colors of NiO 0.875 MnO $0.125{\cdot}Fe_2O_3$ $0.4875{\cdot}Cr_2O_3$ $0.50{\cdot}Mn_2O_3$ 0.0125 mole% and NiO 0.875 MnO $0.125{\cdot}Fe_2O_3$ $0.3875{\cdot}Cr_2O_3$ $0.50{\cdot}Mn_2O_3$ 0.1125 mole% in lime glaze showed black in oxidation, in reduction NiO 0.875 MnO $0.125{\cdot}Fe_2O_3$ $0.4875{\cdot}Cr_2O_3$ $0.50{\cdot}Mn_2O_3$ 0.0125 mole% and NiO 0.875 MnO $0.125{\cdot}Fe_2O_3$ $0.4375{\cdot}Cr_2O_3$ $0.55{\cdot}Mn_2O_3$ 0.0125 mole% showed black. In case of lime-barium glaze, NiO 0.875 MnO $0.125{\cdot}Fe_2O_3$ $0.3875{\cdot}Cr_2O_3$ $0.50{\cdot}Mn_2O_3$ 0.1125 mole%, NiO 0.975 MnO $0.075{\cdot}Fe_2O_3$ $0.4375{\cdot}Cr_2O_3$ $0.50{\cdot}Mn_2O_3$ 0.0625 mole% and NiO 0.925 MnO $0.075{\cdot}Fe_2O_3$ $0.4375{\cdot}Cr_2O_3$ $0.50{\cdot}Mn_2O_3$ 0.0625 mole% showed black color in oxidation and NiO 0.875 MnO $0.125{\cdot}Fe_2O_3$ $0.3875{\cdot}Cr_2O_3$ $0.50{\cdot}Mn_2O_3$ 0.1125 mole%, NiO 0.925 MnO $0.075{\cdot}Fe_2O_3$ $0.4375{\cdot}Cr_2O_3$ $0.50{\cdot}Mn_2O_3$ 0.0625 mole% and NiO 0.725 MnO $0.275{\cdot}Fe_2O_3$ $0.4375{\cdot}Cr_2O_3$ $0.50{\cdot}Mn_2O_3$ 0.0625 mole% showed black one in reduction.

$Sr(Zr, Ti)O_3$ 마이크로파 유전체에 첨가된 $Mn_2O_3, Y_2O_3$ 의 영향과 Mn의 산화상태 (Effects of $Mn_2O_3, Y_2O_3$ Additives and Valence State of Mn ion in $Sr(Zr, Ti)O_3$ Microwave Dielectrics)

  • 정하균;박도순;박윤창
    • 한국세라믹학회지
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    • 제34권6호
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    • pp.583-590
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    • 1997
  • The effects of Mn2O3 and Y2O3 additives on the microstructure and dielectric properties of Sr(Zr, Ti)O3 have been investigated. Powders with Sr(Zr1-xTix)O3(0$\leq$x$\leq$0.1) composition were prepared by the conventional solid state processing from commercial TiO2 and precipitation-processed ZrO2. The powders containing sintering additives of Mn2O3 and Y2O3 were compacted and then sintered at 1,55$0^{\circ}C$ for 4 h to get>97% relative density. Mn2O3 suppressed the grain growth and Y2O3 enhanced the density of sintered body. The oxidation state of Mn ions were determined by a chemical wet method and EPR spectroscopy. Mn ions were present as Mn2+ and Mn4+ in SrZrO3, while as Mn3+ and Mn4+ in Ti-substituted Sr(Zr, Ti)O3. With the substitution of Ti, the lattice parameters of SrZrO3 decreased and its dielectric constant increased with remarkable decrease in Q value. The dielectric constant of Sr(Zr, Ti)O3 was in the range of 30 to 40, Q values 1,200~5,400 at 6 GHz and temperature coefficient of resonant frequency -67~100 ppm/K.

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장군 연-아연-은 광상의 모암변질에 따른 원소분산 (Element Dispersion by the Wallrock Alteration of Janggun Lead-Zinc-Silver Deposit)

  • 유봉철
    • 자원환경지질
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    • 제45권6호
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    • pp.623-641
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    • 2012
  • 장군 연-아연-은 광상은 열수교대형 광상이다. 모암변질시 원소 분산을 알아보기 위해 모암, 열수변질대 및 연-아연-은 광맥에서 시료를 채취하였다. 이 광상은 능망간석화작용과 돌로마이트화작용으로 구성된 열수작용이 현저히 인지된다. 모암은 돌로마이트와 석회암이며 구성광물은 방해석, 돌로마이트, 석영, 금운모 및 흑운모 이다. 연-아연-은 광맥과 접촉한 부분에서 관찰되는 능망간석대는 주로 능망간석이 산출되며 소량 방해석, 돌로마이트, 쿠트나호라이트, 유비철석, 황철석, 황동석, 섬아연석, 방연석 및 황석석 등이 산출된다. 연-아연-은 광맥으로부터 멀어짐에 따라 관찰되는 돌로마이트대는 주로 돌로마이트가 산출되고 소량 방해석, 능망간석, 황철석, 섬아연석, 황동석, 방연석 및 황석석 등이 산출된다. 모암변질시 주원소, 미량 및 희토류원소들간의 상관계수는 $Fe_2O_3(T)$/MnO, Ga/MnO 및 Rb/MnO(돌로마이트 및 석회암)가 정의 상관관계를 갖고 MgO/MnO, CaO/MnO, $CO_2$/MnO 및 Sr/MnO(돌로마이트)와 CaO/MnO 및 Sr/MnO(석회암)가 부의 상관관계를 갖는다. 모암변질시 이득원소들은 $Fe_2O_3(T)$, MnO, As, Au, Cd, Cu, Ga, Pb, Rb, Sb, Sc, Sn 및 Zn 이고 손실원소들은 CaO, MgO, $CO_2$ 및 Sr 이다. 따라서 CaO, $CO_2$, $Fe_2O_3(T)$, MgO, MnO, Ga, Pb, Rb, Sb, Sn, Sr 및 Zn 등의 원소들은 모암이 돌로마이트내지 석회암인 열수교대형 광상의 탐사에 지시원소로서 활용될 수 있을 것이다.

치환된 $LaMnO_3$의 환원반응성에 대한 연구 (Study on the reducibility of substituted $LaMnO_3$)

  • 이상범;전현표
    • 자연과학논문집
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    • 제14권2호
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    • pp.41-54
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    • 2004
  • $LaMnO_3$(a=$5.51\AA$, c=$13.33\AA$) 페로브스카이트형 복합산화물에서 A site인 La자리에 Sr을 치환시킨 $La_{0.9}Sr_{0.1}MnO_3$(a=$5.33\AA$, c=$13.27\AA$)와 B site인 Mn을 Cu로 치환시킨 $LaMn_{0.9}Cu_{0.1}O_3$(a=$5.52\AA$, c=$13.31\AA$) 복합산화물을 Citrate sol-gel법을 이용하여 합성하였으며 분말 X-ray회절 분석기(XRD)을 이용하여 Rhombohedral의 페로브스카이트 구조임을 확인하였다. 수소 환원분위기에서의 TRR결과에 의하면 이들 산화물의 산소 화학양론은 $LaMnO_{3.16}$, $La_{0.9}Sr_{0.1}MnO_{3.10}$, $LaMn_{0.9}Cu_{0.1}O_{3.14}$의 조성을 갖는다. $LaMnO_3$는 2단계 환원반응을 일으키지만 각 자리를 치환시킨 $LaMnO_3$ 복합산화물은 3단계 환원반응을 일으켰다.

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수열합성 조건에 따른 나노로드 클러스터형 $MnO_2$의 상변화와 이를 이용한 $LiMn_2O_4$의 리튬이온전지 양전극 특성 (Phase Change of Nanorod-Clustered $MnO_2$ by Hydrothermal Reaction Conditions and the Lithium-ion Battery Cathode Properties of $LiMn_2O_4$ Prepared from the $MnO_2$)

  • 강근영;최민규;이영기;김광만
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제49권5호
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    • pp.541-547
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    • 2011
  • $MnSO_45H_2O$$(NH_4)S_2O_8$의 수열반응으로 1차원 나노로드들이 침상으로 클러스터화된 구조의 $MnO_2$를 제조하고 그 모폴로지와 결정성을 분석하였다. 수열반응의 조건에 따라 ${\alpha}$-, ${\beta}$-, ${\gamma}-MnO_2$ 등의 전구체가 제조될 수 있는데, 고농도 반응물 및 높은 수열합성 온도($150^{\circ}C$)에서 전기화학적 활성이 우수한 나노로드 클러스터 ${\beta}-MnO_2$의 생성을 확인하였다. 또한 리튬화제 $LiC_3H_3O_2{\cdot}2H_2O$의 농도와 열처리 온도를 변화시키면서 $MnO_2$를 리튬화하여 스피넬계 $LiMn_2O_4$를 제조하고 리튬이온전지 양전극으로서의 특성을 조사하였다. 결과적으로 나노로드 클러스터형 ${\beta}-MnO_2$로부터 고농도 리튬화제와 $800^{\circ}C$ 열처리를 통해 제조한 $LiMn_2O_4$가 정방형 스피넬에 가장 가까운 구조임을 확인하였으며, 120 mAh/g의 우수한 초기 방전용량을 나타내었다.

Effect of Oxygen Annealing on the Set Voltage Distribution Ti/MnO2/Pt Resistive Switching Devices

  • Choi, Sun-Young;Yang, Min-Kyu;Lee, Jeon-Kook
    • 한국재료학회지
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    • 제22권8호
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    • pp.385-389
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    • 2012
  • Significant improvements in the switching voltage distribution are required for the development of unipolar resistive memory devices using $MnO_x$ thin films. The $V_{set}$ of the as-grown $MnO_x$ film ranged from 1 to 6.2 V, whereas the $V_{set}$ of the oxygen-annealed film ranged from 2.3 to 3 V. An excess of oxygen in an $MnO_x$ film leads to an increase in $Mn^{4+}$ content at the $MnO_x$ film surface with a subsequent change in the $Mn^{4+}/Mn^{3+}$ ratio at the surface. This was attributed to the change in $Mn^{4+}/Mn^{3+}$ ratios at the $MnO_x$ surface and to grain growth. Oxygen annealing is a possible solution for improving the switching voltage distribution of $MnO_x$ thin films. In addition, crystalline $MnO_x$ can help stabilize the $V_{set}$ and $V_{reset}$ distribution in memory switching in a Ti/$MnO_x$/Pt structure. The improved uniformity was attributed not only to the change of the crystallinity but also to the redox reaction at the interface between Ti and $MnO_x$.

리튬이차전지용 정극활물질 LiMn2O4의 안정화(I) - LiMn2O4에 대한 금속산화물의 치환에 따른 전극 특성 - (Stabilization of LiMn2O4 Electrode for Lithium Secondary Battery(I) - Electrode Characteristics on the Substitution of Metal Oxides in LiMn2O4 Cathode Material -)

  • 이진식;이철태
    • 공업화학
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    • 제9권5호
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    • pp.774-780
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    • 1998
  • 스피넬 구조인 $LiMn_2O_4$의 안정성을 향상시키기 위해서 망간과 비슷한 이온반경을 갖는 여러 가지 금속원소, Mg, Fe, V, W, Cr, Mo들을 일부 치환하였으며 ($LiM_xMn_{2-x}O_4(0.05{\leq}x{\leq}0.02)$), 이 결과 $LiM_xMn_{2-x}O_4$ 정극은 정극물질로 사용할 경우 $LiMn_2O_4$보다 낮은 용량감소를 나타냈다. 그리고 화학확산계수의 측정 결과 $LiMg_{0.05}Mn_{1.9}O_4$$LiCr_{0.1}Mn_{1.9}O_4$의 화학확산계수는 $LiMn_2O_4$보다 약 10배 이상 크게 나타났다. 이러한 결과를 볼 때 $LiMn_2O_4$에 여러 가지 금속원소를 치환시킴으로 구조적인 안정화로 인한 전기화학적 성능을 향상시킬 수 있었다.

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$SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ 적색 형광체의 플럭스와 Mn 농도에 따른 영향 및 발광특성 (Photoluminescence properties of $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ red phosphor depending on Mn concentration and fluxes)

  • 박우정;정몽권;문지욱;윤대호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제17권4호
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    • pp.156-159
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    • 2007
  • 본 연구에서는 장파장 UV 영역하에서 비교적 우수한 발광강도를 가지는 적색 형광체를 얻기 위하여 고상법으로 합성하여 발광특성을 관찰하였다. $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ 적색 형광체의 발광강도는 $Mn^{4+}$$^2E\to^4A_2$ 천이 때문에 643, 656, 666, 671 nm에서 4개의 sharp한 peak이 $600{\sim}700 nm $의 영역에서 발생하였으며, 여기 스펙트럼은 $250{\sim}550 nm$ 넓은 영역에서 338, 398, 468nm 3개의 peak이 발생하였다. 또한 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$에 0.67mol% MgO를 함유한 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$의 상대적인 발광강도는 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ 보다 약 30% 정도 증가하였는데, 이러한 원인은 MgO가 첨가되어 $Al_2O_3$ 부분에 대체되어진 것으로 사료된다. 또한, 발광강도를 향상시키기 위하여 0.67mol% MgO를 함유한 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ 시료에 $CaF_2$를 첨가하였다. 0.67mol% $CaF_2$와 0.67mol% MgO를 함유한 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$의 656nm에서의 상대적인 발광강도는 융제를 첨가하지 않은 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$보다 약 48% 이상 증가하였다.

MnO2첨가가 Y2O3 doped BaTiO3 반도체 세라믹스의 소결 및 PTCR특성에 미치는 영향 (Effect of MnO2 Addition on Sintering and PTCR Properties in Y2O3 doped BaTiO3 Semiconducting Ceramics)

  • 이준형;박금덕;김정주;조상희
    • 한국세라믹학회지
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    • 제27권1호
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    • pp.7-12
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    • 1990
  • The influence of MnO2 on the sintering property and PTCR behavior of(Ba0.8Sr0.2)TiO2 has been investigated. And the densities, grain sizes and electrical resitivities of specimens were measured as a function of doping with Mn ion of varying concentration. The density and grain size of the sintered specimens were almost the same regardless of MnO2 addition up to 0.2mol% MnO2. But in the case of 0.25mol% MnO2 addition, abnormal grain growth was appeared. So the grain size distribution was wide and density decreased greatly. The room-temperature resistivity increased as Mn content increased and the temperature coefficient of resistivity was highest in the case of 0.15mol% MnO2 addition.

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