• 구강회복응용과학지
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• 제24권1호
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• pp.57-65
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• 2008

연구목적 : 본 연구에서는 rotational freedom을 측정할 수 있는 기구를 개발하여 시중에서 유통되고 있는 국산 임플란트 및 다양한 국적의 임플란트들의 기계적인 가공오차들을 측정하여 다양한 임플란트 시스템의 component간의 기계적인 안정성을 평가하고자 한다. 또한 본 연구에서는 더 나아가 최근에 임플란트 abutment로 각광을 받고 있는 각종 ceramic abutment의 절삭 가공오차에 관한 항목을 측정하여 임플란트 제조사 및 임상의들에게 올바른 정보를 제공하고자 한다. 연구재료 및 방법 : 국내에서 유통되는 외부연결구조의 외국산 임플란트 시스템(Nobel Biocare, Anthorgyr)과 국산 시스템(Neobiotec)과 내부연결구조의 임플란트 시스템(외국산:Nobel Biocare, Anthorgyr, Straumann, Frident Dentsply, 국산:Dentium) 별로 임플란트 fixture, abutment, analog를 서로 교차 연결하여 회전각도측정기(rotational angle measuring device)로 freedom of rotational angle을 측정하였다. 국산 외부연결구조의 지르코니아 abutment(ZirAce)를 외부연결구조의 임플란트 시스템(Neobiotec, Nobel Biocare, Anthorgyr)의 fixture와 analog와 교차연결하여 freedom of rotational angle을 측정하였다. 연구결과 : 국산 외부연결구조의 임플란트 시스템은 약 2.67도(fixture와 abutment 연결시), 내부연결구조의 임플란트는 약 4.3도(fixture와 abutment 연결시)의 rotational freedom을 보였다. 국산 지르코니아 abutment는 외국산 및 국산 외부연결구조 임플란트 시스템과 상관없이 3도 이하(fixture와 연결시)의 결과를 보였다. 결 론 : 시제품으로 제작된 디지털 회전각도측정기는 높은 분해능을 갖고 있었으며, 국산 임플란트의 기계적 가공오차는 외국산 임플란트와 거의 유사했다. 국산 세라믹 abutment의 기계적 가공오차는 fixture 제조회사별로 다르게 나타났지만 같은 회사의 절삭가공된 금속 abutment와 비교시 가공오차가 더 적었다.

• 센서학회지
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• 제5권2호
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• pp.61-67
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• 1996

RTCVD (rapid thermal chemical vapor deposition) 법으로 $SiH_{4}$ / $GeH_{4}$ / $H_{2}$ 혼합가스를 사용하여 $Si_{1-x}Ge_{x}$ 구조의 이종접합 에피막을 성장한 후, 성장에 사용된 원료가스의 혼합비에 대한 Ge 조성비 변화와 성장계면 특성 그리고 격자 부정합에 의한 에피막의 결함에 대하여 조사하였다. $650^{\circ}C$의 비교적 낮은 온도에서 $Si_{1-x}Ge_{x}$ /Si 이종접합 에피막을 약 $400\;{\AA}$ 두께로 성장하였을 때 격자부정합에 의한 결함은 관찰되지 않았으며, 공정조건에 따른 Ge 조성비 변화는 $SiH_4$ / $GeH_{4}$의 유량비에 따라 선형적인 특성을 나타내었다. 200 ppm $B_{2}H_{6}$ 가스를 사용한 in-situ 불순물 첨가 공정에서는 $Si_{1-x}Ge_{x}$ / Si 구조의 불순물 농도분포 변화가 접합계면에서 수 백${\AA}$ / decade 로 조절될 수 있었으며, Ge 조성비 변화도 동등한 수준의 계면특성을 나타내었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제6권3호
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• pp.351-359
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• 1996

ECR (electron cyclotron resonance) 플라즈마원이 장착되어 있는 화학선에피탁시 (chemical beam epitaxy : CBE) 장치를 사용하여 InAs 양자점 구조형성에 미치는 수소플라즈마의 효과에 대하여 조사하였다. 자기조직화(self-organized)에 의해 GaAs 기판위에서 InAs 양자점의 형성을 RHEED(reflection high energy electron diffraction)로 관측한 결과 수소가스 및 수소플라즈마의 영향을 받지 않은 상태에서는 1.9 ML(monolayer)의 InAs 층성장(layer growth) 후에 형성되는데 비해 수소플아즈마를 조사한 상태에서는 약 2.6 ML의 InAs 층성장(layer growth) 후에 형성되는데 비해 수소플아즈마를 조사한 상태에서는 약 2.6 ML의 InAs층이 성장된 후 뒤늦게 이루어짐을 확인하였다. 기판의 온도 $370^{\circ}C$에서 동일한 조건으로 형성시킨 InAs 양자점의 밀도 및 크기는 수소플라즈마의 영향을 받지 않은 경우 $1.9{\times}10^{11}cm^{-2}$ 및 17.7 nm에서 수소플라즈마를 쪼인 경우 $1.3{\times}10^{11}cm^{-2}$ 및 19.4 nm로 양자점 형성 다소 완화되는 것으로 나타났다. 또한, 수소플아즈마에 의한 InAs 양자점의 PL(photoluminescence) 신호의 적색이동(red shift)과 반치폭 증가로부터 양자점 크기의 증가와 균일성이 다소 감소되는 모습을 알 수 있었다. 이와같은 수소플라즈마의 영향은 GaAs 기판과 InAs 사이의 부정합 변형환화 효과에의해 InAs의 충성장을 강화시키는 원자상 수소의 작용때문인 것으로 고려되었다.

• Journal of the Korean Data and Information Science Society
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• 제20권5호
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• pp.845-855
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• 2009

본 연구의 목적은 래쉬 분석을 통해 한글로 번역된 3점 척도의 코펜하겐 경부기능장애척도가 경부 통증을 가진 연구대상자에게 설문의 선택보기로 적합한가와 각 문항이 경부 통증을 측정하는데 적합한지 신뢰도와 난이도를 알아보는 것이었다. 코펜하겐 경부기능장애척도의 15개 항목 중 '집중력' 항목을 제외하고 나머지 항목은 일상생활의 장애정도를 평가하기에 적합하였다. 평가 항목 중 '사회적 접촉' 항목이 가장 쉬운 항목이었으며, '도움' 항목이 가장 어려운 항목이었다. 코펜하겐 경부기능장애척도의 3점 척도보다는 '예'와 '아니오'로 응답하는 2점 척도가 3점 척도에 비해서 각 범주가 영역별로 잘 구분이 되어지고 난이도가 분명한 것으로 나타났으며, 항목과 대상자의 분리신뢰도가 비교적 높은 평가 척도인 것으로 나타났다. 경한 경부 통증을 가진 대상자들에게는 기존의 15개 항목의 경부 장애척도 설문지보다는 '집중력' 항목을 제외한 14개 항목으로 만들어진 수정된 코펜하겐 경부기능장 애척도를 활용하는 것이 더 바람직 할 것이다. 따라서 14개의 항목 구성과 2점 척도로 수정된 코펜하겐 경부기능장애척도는 경한 경부 통증을 가진 대상자에게는 신뢰도와 타당도가 높은 도구로써 일상 생활의 장애정도를 측정하기에 적당할 것으로 사료된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.327.1-327.1
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• 2014

Nitrides-on-silicon structures are considered to be an excellent candidate for unique design architectures and creating devices for high-power applications. Therefore, a lot of effort has been concentrating on growing high-quality III-nitrides on Si substrates, mostly Si(111) and Si(001) substrates. However, there are several fundamental problems in the growth of nitride compound semiconductors on silicon. First, the large difference in lattice constants and thermal expansion coefficients will lead to misfit dislocation and stress in the epitaxial films. Second, the growth of polar compounds on a non-polar substrate can lead to antiphase domains or other defective structures. Even though the lattice mismatches are reached to 16.9 % to GaN and 19 % to AlN and a number of dislocations are originated, Si(111) has been selected as the substrate for the epitaxial growth of nitrides because it is always favored due to its three-fold symmetry at the surface, which gives a good rotational matching for the six-fold symmetry of the wurtzite structure of nitrides. Also, Si(001) has been used for the growth of nitrides due to a possible integration of nitride devices with silicon technology despite a four-fold symmetry and a surface reconstruction. Moreover, Si(110), one of surface orientations used in the silicon technology, begins to attract attention as a substrate for the epitaxial growth of nitrides due to an interesting interface structure. In this system, the close lattice match along the [-1100]AlN/[001]Si direction promotes the faster growth along a particular crystal orientation. However, there are insufficient until now on the studies for the growth of nitride compound semiconductors on Si(110) substrate from a microstructural point of view. In this work, the microstructural properties of nitride thin layers grown on Si(110) have been characterized using various TEM techniques. The main purpose of this study was to understand the atomic structure and the strain behavior of III-nitrides grown on Si(110) substrate by molecular beam epitaxy (MBE). Insight gained at the microscopic level regarding how thin layer grows at the interface is essential for the growth of high quality thin films for various applications.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.293-293
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• 2014

Over last decade InGaN alloy structures have become the one of the most promising materials among the numerous compound semiconductors for high efficiency light sources because of their direct band-gap and a wide spectral region (ultraviolet to infrared). The primary cause for the high quantum efficiency of the InGaN alloy in spite of high threading dislocation density caused by lattice misfit between GaN and sapphire substrate and severe built-in electric field of a few MV/cm due to the spontaneous and piezoelectric polarizations is generally known as the strong exciton localization trapped by lattice-parameter-scale In-N clusters in the random InGaN alloy. Nonetheless, violet-emitting (390 nm) conventional low-In-content InGaN/GaN multi-quantum wells (MQWs) show the degradation in internal quantum efficiency compared to blue-emitting (450 nm) MQWs owing higher In-content due to the less localization of carrier and the smaller band offset. We expected that an improvement of internal quantum efficiency in the violet region can be achieved by replacing the conventional low-In-content InGaN/GaN MQWs with ultra-thin, high-In-content (UTHI) InGaN/GaN MQWs because of better localization of carriers and smaller quantum-confined Stark effect (QCSE). We successfully obtain the UTHI InGaN/GaN MQWs grown via employing the GI technique by using the metal-organic chemical vapor deposition. In this work, 1 the optical and structural properties of the violet-light-emitting UTHI InGaN/GaN MQWs grown by employing the GI technique in comparison with conventional low-In-content InGaN/GaN MQWs were investigated. Stronger localization of carriers and smaller QCSE were observed in UTHI MQWs as a result of enlarged potential fluctuation and thinner QW thickness compared to those in conventional low-In-content MQWs. We hope that these strong carrier localization and reduced QCSE can turn the UTHI InGaN/GaN MQWs into an attractive candidate for high efficient violet emitter. Detailed structural and optical characteristics of UTHI InGaN/GaN MQWs compared to the conventional InGaN/GaN MQWs will be given.

• 한국지구물리탐사학회:학술대회논문집
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• 한국지구물리탐사학회 2008년도 공동학술대회
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• pp.51-56
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• 2008

등방성 매질에서의 파형역산에 대한 연구는 1980년대부터 꾸준히 이루어져 왔으나 이방성 매질에 대한 연구는 그렇지 못하다. 본 연구에서는 이방성 매질에 대한 시간영역 셀기반 유한 차분 모델링 기법을 이용해 2차원 TI 구조에서의 파형역산 알고리듬을 개발하였다. 반복적인 비선형 역산에서 최대 급경사 방향은 역시간 구조보정의 역전파 방법을 이용하여 간접적으로 계산하였고, 이를 정규화 시키기 위해 슈도-헤시안 행렬을 이용하였다. 본 연구에서 제시된 시간영역 파형역산 기법을 이방성 매질을 포함한 2층 구조와 이방성 Marmousi 모형 자료에 적용하고 이를 등방성 매질만을 고려한 기존의 파형역산 결과와 비교하였다. 본 연구의 결과를 통해 이방성 매질을 등방성 매질로 가정하고 파형역산을 수행할 경우 정확한 영상을 얻을 수 없기 때문에, 실제 탐사 자료의 파형역산을 수행할 경우 이방성 매질을 고려해야 좀 더 정확한 지하 구조를 파악할 수 있음을 확인하였다.

• 지구물리와물리탐사
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• 제12권4호
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• pp.316-327
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• 2009

1999년 국내 지진관측소 표준안이 제안된 이후로, 주요 지진관측 기관 대부분의 관측소에는 Quanterra 기록계가 설치되어 운영되고 있다. Quanterra 기록계에서는 실시간 이벤트 패킷과 데이터 패킷이 생성, 전송된다. 이벤트 패킷의 특성과 각 성분별 데이터 패킷의 데이터 센터 도착 시간을 분석하였다. 초당 100샘플의 속도 자료 기반 실시간 이벤트 패킷의 신호 대 잡음비와 신호 주기를 이용하여 실제 지진의 P파와 연관이 있는 패킷 선택 기준을 도출하였다. 선택된 이벤트 패킷의 시간 정보를 이용, 진앙을 추정하고 분석하였다. 시험 운영 결과 이벤트 패킷은 데이터 패킷에 비해 평균 3~4초 빨리 도착하며, 그 개수도 데이터 패킷에 비해 0.3%에 불과하다. 전체 이벤트 패킷 중 약 5% 만이 실제 지진의 P파와 연관된 이벤트 패킷으로 선택되었다. 선택된 이벤트 패킷을 이용하여 내륙에서 발생한 규모 2.5 이상의 지진에 대해서는 20초 이내에 10 km 이내의 오차로 진앙을 결정할 수 있었다.

• 전기의세계
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• 제28권4호
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• pp.53-63
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• 1979

Interface recombination velocity in $Al_{x}$G $a_{1-x}$ As-GaAs and $Al_{0.85}$, G $a_{0.15}$ As-GaA $s_{1-y}$S $b_{y}$ heterojunction systems is studied as a function of lattice mismatch. The results are applied to the design of highly efficient III-V heterojunction solar cells. A horizontal liquid-phase epitaxial growth system was used to prepare p-p-p and p-p-n $Al_{x}$G $a_{1-x}$ As-GaA $s_{1-y}$S $b_{y}$-A $l_{x}$G $a_{1-x}$ As double heterojunction test samples with specified values of x and y. Samples were grown at each composition, with different GaAs and GaAs Sb layer thicknesses. A method was developed to obtain the lattice mismatch and lattice constants in mixed single crystals grown on (100) and (111)B oriented GaAs substrates. In the AlGaAs system, elastic lattice deformation with effective Poisson ratios .mu.$_{eff}$ (100=0.312 and .mu.$_{eff}$ (111B) =0.190 was observed. The lattice constant $a_{0}$ (A $l_{x}$G $a_{1-x}$ As)=5.6532+0.0084x.angs. was obtained at 300K which is in good Agreement with Vegard's law. In the GaAsSb system, although elastic lattice deformation was observed in (111) B-oriented crystals, misfit dislocations reduced the Poisson ratio to zero in (100)-oriented samples. When $a_{0}$ (GaSb)=6.0959 .angs. was assumed at 300K, both (100) and (111)B oriented GaAsSb layers deviated only slightly from Vegard's law. Both (100) and (111)B zero-mismatch $Al_{0.85}$ G $a_{0.15}$As-GaA $s_{1-y}$S $b_{y}$ layers were grown from melts with a weight ratio of $W_{sb}$ / $W_{Ga}$ =0.13 and a growth temperature of 840 to 820 .deg.C. The corresponding Sb compositions were y=0.015 and 0.024 on (100) and (111)B orientations, respectively. This occurs because of a fortuitous in the Sb distribution coefficient with orientation. Interface recombination velocity was estimated from the dependence of the effective minority carrier lifetime on double-heterojunction spacing, using either optical phase-shift or electroluminescence timedecay techniques. The recombination velocity at a (100) interface was reduced from (2 to 3)*10$^{4}$ for y=0 to (6 to 7)*10$^{3}$ cm/sec for lattice-matched $Al_{0.85}$G $a_{0.15}$As-GaA $s_{0.985}$S $b_{0.015}$ Although this reduction is slightly less than that expected from the exponential relationship between interface recombination velocity and lattice mismatch as found in the AlGaAs-GaAs system, solar cells constructed from such a combination of materials should have an excellent spectral response to photons with energies over the full range from 1.4 to 2.6 eV. Similar measurements on a (111) B oriented lattice-matched heterojunction produced some-what larger interface recombination velocities.ities.ities.s.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제15권10호
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• pp.6150-6157
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• 2014

본 연구에서는 중고등학생들의 BMI(Body Mass Index) 그룹에 따른 자신에 대한 인식정도, 학교생활 스트레스정도, 심리적 정도 등 요인과 연관성을 연구하였다. '2010 한국 청소년 건강 실태조사' 연구결과 데이터 7,187명을 이용하였다. BMI 그룹이 20미만인 저체중그룹, BMI가 20-24인 정상그룹, BMI가 25-29인 과체중그룹, BMI가 30이상인 비만그룹으로 구분하였다. 흡연을 해본 경험을 조사한 결과 저체중 BMI그룹은 592명 17.2%, 정상체중 BMI 531명 18.4%, 과체중 BMI 108명 21.8%, 비만 BMI 24명 25.8%가 흡연 경험이 있다고 조사되었다(p=0.016). 자신에 대한 만족도는 정상체중 BMI 그룹은 $14.24{\pm}3.15$점, 과체중 BMI 그룹은 $13.67{\pm}3.13$점, 비만 BMI 그룹은 $12.84{\pm}3.72$점으로 정상체중 그룹일수록 자신에 대한 만족도가 컸다(p=0.005). 학교생활은 저체중 BMI 그룹은 평균 $33.57{\pm}5.76$점, 정상체중 BMI 그룹은 $33.45{\pm}5.50$점, 과체중 BMI 그룹은 $33.12{\pm}5.34$점, 비만 BMI 그룹은 $32.21{\pm}7.43$점으로 나타났다(p=0.044). 이와 같이 사회적인 부적응 현상까지 발생시키고 있어 청소년 시기에 적절하고 효과적으로 신체적 관리가 될 수 있도록 하고 이와 함께 정신적 건강도 증대 될 수 있도록 산학관이 유기적인 체계 속에서 관리 및 운영해 나가야 할 것이다.