• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제28권2호
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• pp.89-94
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• 2021

최근 플렉시블 기기의 상용화를 위하여 기계적 신뢰성 연구가 활발히 진행되고 있으며 이를 고려하여 신뢰성 높은 다양한 접합부의 구현이 중요하다. 기기의 많은 부피를 차지하는 고분자 기판 또는 필름을 접합할 때에는 재료의 약한 내열성으로 접합공정 중 열 손상이 발생할 수 있으므로 신뢰성을 확보를 위해 상온 접합공정이 필요하다는 제약이 있다. 기존의 기판 접합을 위해 사용되는 에폭시 또한 고온 경화가 요구되는 경우가 많고, 특히 경화 접합 후 에폭시는 접합부 유연성 및 피로 내구성에서 한계를 보인다. 이를 해결하기 위하여 접착제 사용이 없는 저온 접합 공정의 개발이 필요한 상황이다. 본 연구에서는 마이크로파에 의한 탄소나노튜브 가열을 이용한 고분자 기판의 저온 접합공정을 개발하였다. PET 고분자 기판에 다중벽 탄소나노튜브 (MWNT)를 박막 코팅한 뒤 이를 마이크로파로 국부 가열함으로써 접합 기판 전체는 저온을 유지하며 CNT-PET 기계적 얽힘을 유도하는 방식이다. PET/CNT/PET 접합시편에 600 Watt 출력의 마이크로파를 10초간 조사함으로써 유연기판 접합에 성공하였고 매우 얇은 CNT 접합부를 구현하였다. 접합 시편의 기계적 신뢰성을 평가하기 위해 중첩 전단 강도 시험, 삼점 굽힘 시험, 반복 굽힘 시험을 수행하였으며 각 시험으로부터 우수한 접합강도, 유연성, 굽힘 내구성이 확인되었다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제36권1호
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• pp.149-156
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• 2012

본 논문에서는 기존의 PACD (Periodically Arrayed Capacitive Devices) 선로구조가 가지는 고 손실 특성의 문제점을 개선하기 위하여, 단파장 특성이 있는 Inverted PACD 구조를 제안하였다. Inverted PACD 선로구조의 손실특성은 종래의 PACD 구조와 비교하여 훨씬 개선되었으며, 구체적으로 ${\lambda}$/4의 길이를 가지는 Inverted PACD 선로구조의 손실특성은 4GHz에서 0.41dB이다. 그리고 상기 Inverted PACD 선로구조는 종래의 마이크로스트립 선로보다 단파장 특성을 보여주었으며, 구체적으로 종래의 전송선로 파장의 11.85%로 파장이 대폭 축소되었다. MMIC용 초소형 수동소자로서의 응용가능성을 제시하기 위하여, Inverted PACD 선로구조를 이용하여 GaAs MMIC상에 임피던스 변환기를 제작 및 측정하였다. 그 결과 Inverted PACD 선로구조를 이용하여 제작한 임피던스 변환기의 크기는 0.012 $mm^2$이며, 종래의 임피던스 변환기 크기의 1.7%의 면적을 차지하였다. 상기 임피던스 변환기는 2.25~6.5GHz 대역에서 -10dB 이하 반사손실과 -1dB이하의 삽입손실 등 양호한 RF 특성을 보여주었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제28권2호
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• pp.155-158
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• 2017

전자, 통신 기술의 발달로 대부분의 장소에서 전자기기가 존재한다. 자동차, 열차, 항공기 등 다양한 장소에서 전자기기의 활용이 증가된 만큼 고출력 전자기파로 인한 오작동과 하드웨어의 치명적인 손상을 확인할 수 있는 안전성을 연구하는 것이 중요하게 되었다. 구조물 내부에 전자기기 및 여러 센서를 연결하는 케이블은 전자기파에 의한 오작동을 초래할 수 있는 원인 중 하나이기 때문에 전자파 영향에 대한 해석이 필수적이다. 본 논문에서는 상관관계 함수와 전송이론을 이용하여, 전기적으로 큰 공진기 내부에 존재하는 케이블에 유기되는 전류를 계산해 외부 전자기파에 의한 영향을 해석하였다.

• 전자통신동향분석
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• 제36권3호
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• pp.53-64
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• 2021

As the 5G service market is expected to grow rapidly, the development of high-power, high-efficiency power amplifiers for the 5G communication infrastructure is indispensable. Gallium nitride (GaN) is attracting great interest as a key device in power devices and integrated circuits due to its wide bandgap, high carrier concentration, high electron mobility, and high-power saturation characteristics. In this study, we investigate the technology trends of Ka-band GaN radio frequency (RF) power devices and integrated circuits for operation in the millimeter-wave band of recent 5G mobile communication services. We review the characteristics of GaN RF high electron mobility transistor (HEMT) devices to implement power amplifiers operating at frequencies around 28 GHz and compare the technology of foreign companies with the device characteristics currently developed by the Electronics and Telecommunication Research Institute (ETRI). In addition, the characteristics of Ka-band GaN monolithic microwave integrated circuit (MMIC) power amplifiers manufactured using various GaN HEMT device technologies are reviewed by comparing characteristics such as frequency band, output power, and output power density of integrated circuits. In addition, by comparing the performance of the power amplifier developed by ETRI, the current status and future direction of domestic GaN power devices and integrated circuit technology will be discussed.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.533-536
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• 2003

YIG(Yttrium Iron Garnet) is one of the most widely used ferrites for microwave telecommunication. It used as a passive devices such as isolators and circulators. In order to reduce the insertion losses of these passive devices, it is very important to reduce magnetic loss of the ferrites. In general, the magnetic losses of ferrites is closely related to the microstructure of the ceramics. In the sintering of YIG, pores are easily trapped in grains and grain boundaries. These pores cause to increase magnetic losses of the sinterted bodies. In this paper, the effect of the $SiO_2$ addition on the microstructure was discussed. Increasing the $SiO_2$ addition, the grain size was reduced, which means that added acts as a grain-growth inhibitor. During the sintering, $SiO_2$ settled down on the grain boundaries, and drag the grain growth. Therefore, there is enough time for pores to move out. The relative density of YIG sintered at $1350^{\circ}C$ with 1 mol% $SiO_2$ addition was 99.6%. $\Delta$H of these samples was under 50 Oe.

• 한국통신학회논문지
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• 제12권1호
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• pp.1-8
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• 1987

본 논문에서는 요철형 공동공진기의 공진주파수를 모드결합법과 모드의 직교성을 이용하여 계산하였다. 요철형 공동공진기는 동축케이블과 원형도파관으로 구성되어 있으며 공진기의 공진주파수는 동축케이블부분의 내부도체길이를 가변시킴으로써 조정할 수 있다. 본 논문의 결과는 클라이스트론, 파장계 및 증폭기의 공진회로와 유전체 정수의 측정에도 사용할 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.149-150
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• 2009

In this paper we study on the semiconductor characteristic by calculating the variation of reflection function in microstrip lines, which has open-ended termination containing an optically induced plasma region. The variation of impedances resulting from the presence of plasma has evaluated with time and frequency domain. The responses have been also evaluated theoretically for changing the phase of the variation in the reflection.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2003년도 춘계전력전자학술대회 논문집(1)
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• pp.256-259
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• 2003

In this paper describes the development testing results of high density High Voltage Power Supply(HVPS) that employ microwave TWTs. The HVPS consist of number of modules connected in series. A new design that adapt resonant circuit and high density pulse transformer to the high voltage modules makes the HVPS much more reliable. Also High voltage Solid-State modulation using fast switching devices(FET's) and the test results of modulator modules development are represented.

• 전기학회논문지
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• 제56권10호
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• pp.1814-1819
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• 2007

A new active resonator using defected ground structure with islands (DGSI) is proposed. The proposed resonator is composed of the conventional microstrip line with DGSI and negative resistance of active devices. The negative resistance part is realized by field effect transistor (FET) series feedback circuits. The characteristic of the proposed resonator with DGSI is improved by combining the negative resistance part with the parallel microstrip line structure with islands, where the electric field is formed the most strongly. The measured improvement of the proposed active resonator with DGSI are 4.55dB and 0.32dB in S21 and S22, respectively, at the resonant frequency whorl it is compared to the existing passive resonator having DGSI only.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제20권2호
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• pp.321-324
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• 2016

Transformation optics methodology provides a new pathway for designing novel devices. It is based on changing a material’s permittivity and permeability. A design for changing the appearance of an object by transformation optics methodology is proposed here. Through a certain transformation, the relations of the metric spaces and the calculation of the material parameters are derived, and the aim of changing the apparent size of an object can be realized. Full wave simulations are performed to validate the proposed device’s performance. It is possible to think that the methodology will improve the flexibility of designing interesting applications in microwave and optical regimes.