• 한국통신학회논문지
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• 제12권4호
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• pp.325-334
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• 1987

PIN 다이오드를 利用한 反射形 移相器는 4端子網 임피던스 變換回路로 構成될 수 있는데 원하는 移相量을 얻기위한 設計方程式 誘導에 假想 임피던스法을 적용하였다. 실제로 2-bit($22.5^{\circ}$와 $45^{\circ}$)하이브리드 移相器를 設計 具現하여 中心周波數(10GHz)에서 $22.5^{\circ}$bit는 $0.5^{\circ}$, $45^{\circ}$bit는 $0^{\circ}$의 移相量 誤差의 것을 얻었으며 main beam 制御用 phased-array안테나를 위한 移相器設計에 이 方法을 사용할 수 있음을 立證하였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2000년도 하계학술발표회
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• pp.70-71
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• 2000

세슘빔 공진기에서 세슘D$_2$ 전이선으로 광펌핑된 원자가 램지공진기에서 마이크로파의 주파수에 따른 초미세준위의 바닥상태간의 원자밀도 전이에 의한 형광 신호의 분포를 펌핑광의 세기에 따라 관측하였다. 펌핑광의 편광방향이 자기장에 나란한 $\pi$편광일 때 각 제만부준위의 마이크로파 전이 신호는 mF=0을 중심으로 $\pm$mF의 신호세기가 대칭적이었으나 펌핑광의 편광 방향이 자기장에 수직인 $\sigma$ $\pm$ 인 경우에는 비대칭적임을 확인하였다. 이것은 펌핑광의 주파수가 세슘빔 공진기에서의 세슘공진주파수에서 detuning이 있는 것에 의한 것으로 예상하였다. 이를 확인하기 위해 원자밀도행렬방정식으로 세슘빔공진기에서 마이크로파 전이신호를 계산하였다. 펌핑광의 세기와 편광방향, detuning에 따른 마이크로파 전이신호의 분포가 실험치와 잘 일치함을 알 수 있었다. 이 연구는 세슘빔 원자공진기에서 펌핑광의 주파수가 세슘공진주파수에 detuning된 정도를 관측할 수 있는 방법을 제시해 준다. (중략)

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.282-285
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• 1999

Fabrication and pakaging method for low delve voltage and 10Gbps Ti diffused waveguide LiNbO$_3$ optical intensity modulator are described. Optical waveguides were prepared by conventionaly electron-beam evaporation and Ti-indiffusion into Z-cut plate LiNbO$_3$. Traveling-wave electrodes were used for obtaining the wideband frequency response and impedance matching. Microwave effective index and characteristic impedance measured by time domain reflectometry and compared with the calculated value by conformal mapping. The characteristics of 10Gbps modulator at the 1550nm wavelength are as follows : perfect modulation voltage Is about 5V, optical insertion loss Is about 5dB, 3-dB bandwidth is 10GHz, and characteristic impedance is about 50$\Omega$.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권1호
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• pp.70-75
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• 2010

We have designed the backward wave oscillator operating at 24 GHz. From the research which sees researches in the goal which will design and will produce K-band BWO where is a backward wave oscillator which departs from cycle prisoner 24 GHz until now is higher. To design Chrencov instibility and branch of family used a slow cyclotron instibility. Calculation used a dispersion relation and in order for as the box over-flow not to happen, a asymtotic expansion. Used a beam mode and a waveguide mode and axial symmetry and expense used in compliance with sattle point interpreted the relationship of axial symmetry.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.263-263
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• 2016

최근 반도체 시장에서는 저비용으로 고성능 박막 트랜지스터(TFT)를 제작하기 위한 다양한 기술들이 연구되고 있다. 먼저, 재료적인 측면에서는 비정질 상태에서도 높은 이동도와 가시광선 영역에서 투명한 특성을 가지는 산화물 반도체가 기존의 비정질 실리콘이나 저온 폴리실리콘을 대체하여 차세대 디스플레이의 구동소자용 재료로 많은 주목받고 있다. 또한, 공정적인 측면에서는 기존의 진공장비를 이용하는 PVD나 CVD가 아닌 대기압 상태에서 이루어지는 용액 공정이 저비용 및 대면적화에 유리하고 프리커서의 제조와 박막의 증착이 간단하다는 장점을 가지기 때문에 활발한 연구가 이루어지고 있다. 특히 산화물 반도체 중에서도 indium-gallium-zinc oxide (IGZO)는 비교적 뛰어난 이동도와 안정성을 나타내기 때문에 많은 연구가 진행되고 있지만, 산화물 반도체 기반의 박막 트랜지스터가 가지는 문제점 중의 하나인 문턱전압의 불안정성으로 인하여 상용화에 어려움을 겪고 있다. 따라서, 본 연구에서는 기존의 산화물 반도체의 불안정한 문턱전압의 문제점을 해결하기 위해 마이크로웨이브 열처리를 적용하였다. 또한, 기존의 IGZO에서 suppressor 역할을 하는 값비싼 갈륨(Ga) 대신, 저렴한 지르코늄(Zr)과 하프늄(Hf)을 각각 적용시켜 용액 공정 기반의 Zr-In-Zn-O (ZIZO) 및 Hf-In-Zn-O (HIZO) TFT를 제작하여 시간에 따른 문턱 전압의 변화를 비교 및 분석하였다. TFT 소자는 p-Si 위에 습식산화를 통하여 100 nm 두께의 $SiO_2$가 열적으로 성장된 기판 위에 제작되었다. 표준 RCA 세정을 진행하여 표면의 오염 및 자연 산화막을 제거한 후, Ga, Zr, Hf 각각 suppressor로 사용한 IGZO, ZIZO, HIZO 프리커서를 이용하여 박막을 형성시켰다. 그 후 소스/드레인 전극 형성을 위해 e-beam evaporator를 이용하여 Ti/Al을 5/120 nm의 두께로 증착하였다. 마지막으로, 후속 열처리로써 마이크로웨이브와 퍼니스 열처리를 진행하였다. 그 결과, 기존의 퍼니스 열처리와 비교하여 마이크로웨이브 열처리된 IGZO, ZIZO 및 HIZO 박막 트랜지스터는 모두 뛰어난 안정성을 나타냄을 확인하였다. 결론적으로, 본 연구에서 제안된 마이크로웨이브 열처리된 용액공정 기반의 ZIZO와 HIZO 박막 트랜지스터는 추후 디스플레이 산업에서 IGZO 박막 트랜지스터를 대체할 수 있는 저비용 고성능 트랜지스터로 적용될 것으로 기대된다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권8호
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• pp.308-315
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• 2013

본 논문에서는 IR-UWB를 위한 테이퍼 슬롯 안테나를 Ansoft인 HFFS을 사용하여 설계 및 제작 하였고 안테나의 군 지연 및 충실도를 사용하여 광대역 안테나의 빔 폭에 대해 연구를 제안하였다. 이를 위해 Network Analyzer에서 획득한 데이터를 Chirp Z-transform을 사용하여 시간영역에서의 분석을 하였고 시뮬레이션은 CST microwave studio를 이용하여 이를 확인 하였다. 안테나의 방사패턴의 분석은 두 안테나를 0.5 미터 간격으로 이격시킨 후 송신 안테나를 고정 후 수신 안테나를 $10^{\circ}$ 간격으로 $360^{\circ}$ 회전하여 각각의 충실도를 획득하여 안테나의 성능 분석하였다. 분석한 결과 ${\pm}40^{\circ}$ 미만일 경우 90%이상의 양호한 충실도를 얻었고 ${\pm}40^{\circ}$ 이상은 90%이하의 낮은 결과를 얻었다. 이러한 충실도를 이용한 방사패턴을 사용함으로 광대역 안테나의 빔 폭을 보다 정확한 분석을 할 수 있다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제30권2호
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• pp.87-94
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• 2002

본 연구는 고주파 가열에 의한 산벚나무, 소태나무, 서어나무, 굴참나무, 박달나무, 고로쇠나무, 피나무, 소나무, 리기다 소나무, 참오동나무의 휨가공성을 평가해 보기 위하여 실시하였다. 본 연구에서 휨가공을 위한 곡율반경은 휨틀의 곡율반경에 의해 4 cm, 6 cm, 10 cm으로 구분하고, 대철의 두께는 0.6 mm와 0.8 mm로 구분하였다. 본 연구결과 소태나무, 서어나무, 박달나무, 고로쇠나무는 모든 곡율반경에서 100% 성공률을 나타내었다. 산벚나무와 굴참나무의 경우 58%와 83%의 성공률을 각각 나타내었다. 피나무와 오동나무의 경우 총 29%와 8%로 매우 불량하게 나타났고, 곡율반경 4 cm에서는 모두 실패로 나타났다. 침엽수재인 소나무와 리기다 소나무는 각각 44%와 56%의 성공률을 나타내었다. 대철의 두께는 휨가공성의 쉽고 어려움보다는 건조시 건조속도에 더 많은 영향을 주는 것으로 나타났다. 건조과정에서 대철두께가 얇을수록 휨가공부재의 건조 속도가 빠른 경향을 나타내었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제29권6호
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• pp.449-456
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• 2018

본 논문에서는 마이크로파 무선전력전송에 적용될 수 있는 여러 다중 빔 형성 방법을 제안한다. 기존의 다중 빔 형성방법은 능동소자패턴(active element pattern: AEP)을 고려하지 않기 때문에 실제 시스템에 적용 시 의도한 빔 형성과 오차가 발생하게 된다. 이를 해결하기 위해 능동소자패턴의 평균을 고려하는 방법과, 변형된 푸리에 급수 방법을 통해 모든 능동소자패턴을 고려하는 방법이 제안되었다. 또한, 부엽과 null 제어를 위하여 Dolph-Tschebyscheff 방법에 중첩의 원리를 적용하여 다중 빔을 형성하는 방식을 제안하였다. 제안된 방식을 사용하여 다중 빔 형성 시 의도된 빔 형성과의 오차가 감소하는 것을 확인하였으며, 다중 빔 형성을 하며 부엽 제어를 동시에 할 수 있는 것을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.28-28
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• 2010

This study realized low-temperature crystallization process of the $Ba_{0.6}Sr_{0.4}TiO_3$ (BST) thin films without thermal damage of substrate using excimer laser annealing (ELA) and structural and electrical characteristics were investigated. The amorphous BST thin films were prepared on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate by sol-gel method at $250^{\circ}C$. The ELA was carried out using KrF excimer laser which provided excitation wavelength of 248 nm. The beam homogenizing system was used in order to homogenize beam shape of Gaussian fit. The XRD and SEM were used to analyze structural characteristics and the microwave capacitance, dielectric loss and tunability of the BST films were measured by a symmetrical stripline resonator method with shorted end. Consequently, the crystallinity of BST thin films were improved after ELA process and RF tunable capacitor was demonstrated at low temperature below $300^{\circ}C$.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제45권12호
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• pp.139-145
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• 2008

본 연구에서는 여파성 표면(FSS : frequency Selective Surface)을 가지는 마이크로스트립 표면파안테나(SWA : Surface Wave Antenna)를 설계 제작하여 그 특성을 실험적으로 고찰한다. 표면파 안테나는 마이크로스트립을 이용하여 박막, 경량, 간단한 제조와 고주파 집적회로에 적합하며 모노폴 안테나와 유사한 방사패턴을 가진다. 여파성 표면을 가지는 마이크로스트립 표면파 안테나는 표면파의 여기를 위한 중앙급전 방식의 마이크로스트립 패치와 표면파의 방사를 위한 주기적인 구조의 패치를 적층하여 구성한다. 광대역 특성을 얻기 위하여 링 모양의 기생 패치를 추가하였고, FSS 단위소자로 원형의 패치를 선택하였다. 실험결과, 공진 주파수는 5.9GHz이고, 대역폭은 12%이며, 5.6dBi의 이득을 나타내었다.