The research is the structural and optical characteristics of the Cadmium Sulfide(CdS) film, nanowires and nanobelts grown on the $Al_2O_3$ substrate using the vapor phase epitaxy method. The field-emission scanning electron microscopy(FE-SEM) were used to identify the shape of the surface of the nanostructures and x-ray diffraction(XRD) and transmission electron microscopy (TEM) were used to evaluate the structural characterisitcs. As a result, the XRD was confirmed the CdS peak and the substrate peak and TEM showed single crystals with wurtzite hexagonal structure on the nanostructures. As for the optical characteristic of the nanostructures, photoluminescence(PL) and micro-raman spectrum were measured. The PL measurements confirmed the emission peak related bound exciton to neutral donor($D^0X$) peak and free exciton(FX) peak. The micro-raman spectrum showed that the peak of the nanostructures were similar to the pure crystalline CdS peak and each peak were overtone of LO phonon of the hexagonal CdS of the longitudinal optical(LO) phonon mode. Therefore, it is confirmed that the CdS nanostructures grown in this research have superior crystallinity.
The mechanical properties of $Al_2O_3$-SiC composites manufactured with adding various amount and size of SiC particles have been measured and analyzed. Generally, the elastic modulus of the composites shows about 50% less than that of PL-8 (45 wt% $Al_2O_3$-51 wt% $SiO_2$-4 wt% other oxides), but the flexural strength is similar with each other. The impact resistance property of $Al_2O_3$-SiC composite against high velocity copper jet was lower than that of PL-8 when SiC particles of approximately 3 $\mu$m diameter was added to. It is caused probably due to the micro-pores made by oxidation of SiC particles. However, in the case of the less-weighted $Al_2O_3$-SiC composite adding to 10 wt% SiC with average diameter of 10 $\mu$m and sintering at 1200$^{\circ}C$, the impact resistance property was improved up to 37 percent compared with that of PL-8.
The color of a natural diamond that contains nitrogen impurities can be enhanced by a high pressure high temperature (HPHT) treatment. Type IaAB diamond samples containing nitrogen impurities were executed by HPHT process of 5.6 Gpa, 10 min by varying the annealing temperature at 1600, 1650, and $1700^{\circ}C$. Property characterization was carried out using an optical microscope, FT-IR spectrometer, low-temperature PL spectrometer, and micro Raman spectrometer. By observing optical micrographs, it can be seen that diamond sample began to alter its color to vivid yellow at $1700^{\circ}C$. In the FT-IR spectrum, there were no Type changes of the diamond samples. However, amber centers leading to brown colors lessened after $1700^{\circ}C$ annealing. In the PL spectrum, all the H4 centers became extinct, while there were no changes of yellow color center H3 before or after treatment. In the Raman spectrum, no graphite spots were detected. Consequently, diamond color enhancement can be done by higher than $1700^{\circ}C$ HPHT annealing at 5.6 GPa-10 min.
Yoo, Yong Kwon;Kim, In Kyung;Roh, Mark S.;Roh, Yong Seung;Huda, Masud
원예과학기술지
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제35권3호
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pp.289-299
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2017
The objective of this study was to determine the effect of replacing perlite (PL) with pellets processed with poultry feather fiber as an inert material to prepare growing medium. The growth and flowering of Salvia splendens 'Vista Red' grown in individual growing medium $Biosangto^{(R)}$, peat moss (PM), PL, and two pellets (P45-1 and P45-2) were evaluated. Peat moss was mixed with PL, P45-1, or P45-2 at various ratios (1:0 to 1:3 or 3:1 by volume) to investigate the feasibility of replacing PL with pellets. Nutrient composition of the growing medium and leaf tissues was analyzed. The number of florets, inflorescence length, plant height, and fresh weight of plants grown in media containing P45-1 or P45-2 were reduced compared to those grown in individual growing medium PM or PL. As the mixing ratio of P45-1 or P45-2 to PM was higher, the growth of salvia, such as inflorescence length, plant height, number of leaves, and fresh weight was inhibited. Our results indicate that mixing three parts PM with one part of P45-1 (PM/P45-1/3:1) or P45-2 (PM/P45-2/3:1) accelerated flowering and increased the number of florets and leaves compared to other mixing ratios of PM and pellets media. The concentrations of phosphorus (P), calcium (Ca), boron (B), iron (Fe), and copper (Cu) in individual growing medium PL, P45-1, and P45-2 were significantly lower than those in PM. The concentration of N was the highest in leaves of plants grown in P45-1 or P45-2 amended media, and the concentrations of P, Ca, and zinc (Zn) in leaves were lower in individual growing medium P45-1 or P45-2 than in PM and PL. The pH of PM/P45-1/3:1 or PM/P45-2/3:1 media was maintained at optimal level (5.8-5.9) and the concentrations of macro- and micro-elements in the media and leaves were considered to be optimal levels. Therefore, mixing three parts PM with one part P45-1(PM:P45-1/3:1) or P45-2 (PM:P45-2/3:1) is recommended for improved growth and flowering in salvia. This suggests that P45-1 or P45-2 can replace PL as an inert material to prepare growing medium.
이 연구의 목적은 수종 상아질 접착 시스템과 복합 레진 및 resin-modified glass ionomer를 상아질 표면에 접착하여 재료 및 상아질내 위치에 따른 미세전단결합강도를 측정, 비교하는 것이다. 상아질 접착 시스템으로는, 3-step인 Scotchbond Multi-Purpose Plus, 2-step인 Single Bond와 자가 부식형 시스템인 Clearfil SE Bond를, 1-step인 Prompt L-Pop을 사용하였다. 이와 함께 hybrid type의 복합 레진인 Clearfil AP-X와 2250을 사용하였으며 resin-modified glass ionomer로는 Fuji II LC를 사용하였다. 상악 소구치를 치아의 근원심 중앙부를 절단하여 상아질면을 노출시켰다. 5개 실험군으로 분류하고 상아질면을 위치에 따라 치관부의 occlusal $\frac{1}{3}$, middle $\frac{1}{3}$, cervical $\frac{1}{3}$과 치근부로 구분지어 시편을 부착하였다. 미세전단결합강도측정는 Universal testing machine(EZ-test; Shimadzu, Japan)에서 측정하였다. Occlusal 1/3부위에서는 SE가 가장 높은 값을, SM과 SB간에는 유의차가 없었으며, PL, GI순으로, Middle 1/3부위에서는 $SM{\;}{\geq}{\;}SE{\;}{\geq}{\;}SB{\;}{\geq}{\;}PL{\;}{\geq}{\;}GI$순으로, cervical 1/3부위에서는 SM, SE, SB간에 유의차가 없었다. Root dentin에서는 SM이 가장 높은 값을 보였으며 SE, PL, GI간에 유의차가 없었다. SE만이 치관부 상아질에 비해 치근부에서 유의할만한 결합강도의 감소를 나타냈다(p<0.05). GI는 치관부 상아질에서는 다른 군에 비해 유의성 있게 낮은 결합강도를 보였으나 치근부에서는 SE, PL과 유의차가 없었다.
ZnO is a promising material for the application of high efficiency light emitting diodes with short wavelength region for its large bandgap energy of 3.37 eV which is similar to GaN (3.39 eV) at room temperature. The large exciton binding energy of 60 meV in ZnO provide provides higher efficiency of emission for optoelectronic device applications. Several ZnO/ZnMgO multiple quantum well (MQW) structures have been grown on various substrates such as sapphire, GaN, Si, and so on. However, the achievement of high quality ZnO/ZnMgO MQW structures has been somehow limited by the use of lattice-mismatched substrates. Therefore, we propose the optical properties of ZnO/ZnMgO multiple quantum well (MQW) structures with different well widths grown on lattice-matched ZnO substrates by molecular beam epitaxy. Photoluminescence (PL) spectra show MQW emissions at 3.387 and 3.369 eV for the ZnO/ZnMgO MQW samples with well widths of 2 and 5 nm, respectively, due to the quantum confinement effect. Time-resolved PL results show an efficient photo-generated carrier transfer from the barrier to the MQWs, which leads to an increased intensity ratio of the well to barrier emissions for the ZnO/ZnMgO MQW sample with the wider width. From the power-dependent PL spectra, we observed no PL peak shift of MQW emission in both samples, indicating a negligible built-in electric field effect in the ZnO/$Zn_{0.9}Mg_{0.1}O$ MQWs grown on lattice-matched ZnO substrates.
We were analyzed the piezoelectric characteristic for electronics printing to inkjet printing system. These applications were possible use to Actuator, MEMS, FPCB, RFID, Solar cell and LCD color filter etc. Piezoelectric print head is firing from ink droplet control consideration ink viscosity properties. At this time, micro pattern for PCB metal printing was possible by droplet control of piezoelectric driving. These driving characteristics are variable voltage pulse waveform. We are used the piezoelectric analysis software of Finite Element Method (FEM), Piezoelectric design parameters are acquired from piezoelectric analysis, and measurement of piezoelectric. It designed for piezoelectric head to possible electric print pattern of inkjet printing system. For this validity we were established through in comparison with simulation and measurement. Designed piezoelectric specification obtained voltage 98V, firing frequency 10 kHz, resolution 360dpi, drop volume 20pl, nozzle number 256, and nozzle pitch 0.33 mm.
This paper presents the fabrication method of a micro-riblet film (MRF) using MEMS technology and the experimental results of the drag reduction of an airfoil with MRFs. Riblets having grooved surface in the streamwise direction has been proven as an effective passive control technique of the drag reduction. A V-grooved pattern on (100) silicon wafer is etched with anisotropic bulk micromachining. The MRF is completed by replicating the V-grooved pattern with polydimethylsiloxane (PDMS). Experiments were performed by measuring a velocity field behind the trailing edge of a NACA 0012 airfoil with and without MRFs in a closed-type subsonic wind tunnel using particle image velocimetry (PlV) technique. The MRF provides about 3.8 % drag reduction compared to the drag on a smooth airfoil when the freestream velocity of wind tunnel is 3.3 m/s.
The nano and micro-sized $ZnGa_2O_4$ phosphor were prepared by precipitation method and solid-state method. The luminescence, formation process and structure of phosphor powders were investigated by means of XRD, SEM and PL. The result of XRD analysis showed that $ZnGa_2O_4$ spinel structure was formed at as-prepared in the case of precipitation method. However, micro-sized phosphor was required high heating treatment to have a satisfactory spinel structure. The CL intensity of nano-sized phosphor was about 4-fold higher than that of micro-sized phosphor. The emission spectra of all $ZnGa_2O_4$ phosphor show a self activated blue emission band at around 420 nm in the wide range of 300~600 nm.
양자 점을 이용한 QD-LED(Quantum Dot - Light Emitting Device)의 소자 제작을 하기 위해서는 양자 점의 균일한 배열이 중요하다. 핵-껍질(core-shell) 구조의 CdSe/ZnS 양자 점을 기판에 고 밀도, 고 균일도로 배열하기 위하여 두 종류의 분자 끈(molecular linker)을 사용하였고, 공정의 단순화와 비용 절감을 위하여 고분자 도장인 PDMS(polydimethylsiloxane)를 이용한 미세접촉인쇄방법으로 양자 점들을 배열하였다. $TiO_2/ITO$ 기판에 양자 점을 고정시켜주는 역할을 하는 분자 끈으로는 2-carboxyethylphosphonic acid(CAPO)를 사용하였고, 양자 점 사이의 인력을 향상시켜주는 분자 끈으로는 1,6-hexanedithiol(HDT)을 사용하였다. 양자 점들의 배열 특성을 주사전자현미경(SEM, scanning electron microscope)과 원자 힘 현미경(AFM, atomic force microscope)으로 분석하였고, 광 발광분광기(PL, photoluminescence spectroscope)로 발광특성을 측정하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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