The microstructural changes in Co nanoparticles and an Au-10at.%Pd thin film have been investigated using an in situ heating holder with a micro-electro-mechanical system (MEMS). In Co nanoparticles, two phases (face-centered cubic and hexagonal close-packed crystal structures) were found to coexist at room temperature and microstructures at temperatures, higher than $1,000^{\circ}C$, were observed with a quick response time and significant stability. The actual temperature of each specimen was directly estimated from the changes in the lattice spacing (Bragg-peak separation). For the Au-10at.%Pd thin film, at a set temperature of $680^{\circ}C$, the actual temperature of the sample was estimated to be $1,020^{\circ}C{\pm}123^{\circ}C$. Note that the specimen temperature should be carefully evaluated because of the undesired effects, i.e., the temperature non-uniformity due to the sample design of the MEMS chip, and distortion due to thermal expansion.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.121-121
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2010
ZnO is a promising material for the application of high efficiency light emitting diodes with short wavelength region for its large bandgap energy of 3.37 eV which is similar to GaN (3.39 eV) at room temperature. The large exciton binding energy of 60 meV in ZnO provide provides higher efficiency of emission for optoelectronic device applications. Several ZnO/ZnMgO multiple quantum well (MQW) structures have been grown on various substrates such as sapphire, GaN, Si, and so on. However, the achievement of high quality ZnO/ZnMgO MQW structures has been somehow limited by the use of lattice-mismatched substrates. Therefore, we propose the optical properties of ZnO/ZnMgO multiple quantum well (MQW) structures with different well widths grown on lattice-matched ZnO substrates by molecular beam epitaxy. Photoluminescence (PL) spectra show MQW emissions at 3.387 and 3.369 eV for the ZnO/ZnMgO MQW samples with well widths of 2 and 5 nm, respectively, due to the quantum confinement effect. Time-resolved PL results show an efficient photo-generated carrier transfer from the barrier to the MQWs, which leads to an increased intensity ratio of the well to barrier emissions for the ZnO/ZnMgO MQW sample with the wider width. From the power-dependent PL spectra, we observed no PL peak shift of MQW emission in both samples, indicating a negligible built-in electric field effect in the ZnO/$Zn_{0.9}Mg_{0.1}O$ MQWs grown on lattice-matched ZnO substrates.
we have demonstrated structural evolution and optical properties of Si-nanowires (NWs) synthesized on Si (111) substrates with nanoscale Au-Si islands by rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD). The Au-Si nano-islands (10-50nm in diameter) were employed as a liquid-droplet catalysis to grow Si-NWs via vapor-liquid-solid mechanism. The Si-NWs were grown by a mixture gas of SiH4 and H2 at a pressure of 1.0 Torr and temperatures of $500{\sim}600^{\circ}C$. Scanning electron microscopy measurements showed that the Si-NWs are uniformly sized and vertically well-aligned along <111> direction on Si (111) surfaces. The resulting NWs are ${\sim}60nm$ in average diameter and ${\sim}5um$ in average length. High resolution transmission microscopy measurements indicated that the NWs are single crystals covered with amorphous SiOx layers of ${\sim}3nm$ thickness. In addition, the optical properties of the NWs were investigated by micro-Raman spectroscopy. The downshift and asymmetric broadening of the Si main optical phonon peak were observed in Raman spectra of Si-NWs, which indicates a minute stress effects on Raman spectra due to a slight lattice distortion led by lattice expansion of Si-NW structures.
Using the Czochralski method, Er$_2$O$_3$ doped near stoichiometric LiNbO$_3$ single crystals were grown 15~20 mm in diameter and 30-35 mm in length for Z-axis. Lattice constants were inspected by the X-Ray Diffractometer (XRD) and through Fourier Transform-Infrared Spectrophotometer (FT-IR), it observed absorption band. Also, the distributions of Er concentration were confirmed by the Electron Probe Micro Analysis (EPMA).
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2003.06a
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pp.620-623
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2003
The material processing by using ultrashort pulse laser, in recently, is actively applying into the micro machining and nano-machining technology since ultrashort pulse has so faster than the time which the electrons energy absorbing photon energy is transmitted to surrounding lattice-phonon that it has many advantages in point of machining. The micro machining of metallic thin film on the plain glass is widely used in the fields such as mask repairing for semiconductor, fabrication of photonic crystal, MEMS devices and data storage devices. Therefore, it is important to secure the machining technology of the sub-micron size. In this research, we set up the machining system by using ultrashort pulse laser and conduct on the Cr 200nm thin film ablation experiments of spot and line with the variables such as energy, pulse number, speed, and so on. And we observed the characteristics of surrounding heat-affected zone and by-products appeared in critical energy density and higher energy density through SEM, and also examined the machining features between in He gas atmosphere which make pulse change minimized by nonlinear effect and in the air. Finally, the pit size of 0.8${\mu}{\textrm}{m}$ diameter and the line width of 1${\mu}{\textrm}{m}$ could be obtained.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.11
no.6
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pp.285-289
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2001
We investigated that each site was substituted by new chemical components in Langasite ($La_3Ga_5/SiO_{14}$)-type structure with superior piezoelectric characteristics than $La_3Ga_5/SiO_{14}$. In this study $Ca_3TaGa_5Si_{2}O_{14}$ was synthesized by soilid-state reaction and grown by the $\mu$-PD(micro-pilling-down)and Cz technique. Lattice parameter and chemical composition was investigated by XRD and EPMA respectively.
Sr0.6Ca0.4CuO2 single crystal has been synthesized by flux method and characterized by the single crystal X-ray diffraction. The compound has the orthorhombic system and the space group is Cmcm(63), lattice parameters are a=3.4645Å, b=16.1417Å, c=3.8727Å. In the (Sr1-xCax)CuO2 compound the limit of Ca from substitution for Sr was determined by the change of bond length. For this, X-ray diffraction, scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray fluorescence (EDAX) and electron probe micro-analysis (EPMA) were used. From the change of Cu-O bond length as the Ca substitution, we concluded the limit of Ca incorporation Xca≒0.73.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.38-38
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2010
Ever since the experimental discovery of graphene exfoiliated from the graphite flakes by Geim et at., this area has drawn a lot of attention for its possible application in IT industry. For the growth of graphene, chemical vapor deposition (CVD) has been widely used to fabricate the large area graphene. The lateral size of this graphene can be easily controlled by the size of the metal substrate though the chemical etching to remove this substrate is somewhat troublesome. Another problem which is hard to avoid is the folding at the grain boundary. We will discuss the origin of the folding first and introduce the way to avoid this folding. To solve this problem, we have used the various types of micro-thin metal foils. The precise control of hydro-carbon and the carrier gas results in the formation of the graphene on top of substrate. The thickness of graphene layers can be controlled with the control of gas flow on top of Cu substrate in contrast to the previously reported self-limiting growth $behavior^1$. Uniformity of this graphene layer has been checked by micro-raman spectroscopy and SEM. The size of grain can be enhanced by thermal treatment or use of other metal substrate. The dependence of grain size on the lattice size of the substrate will be discussed. By selecting the shape of substrate, we can grow various types of graphene. We will introduce the micron size graphene tube and its application.
The objective of this study is to find the effective stiffness and compressive strengths of a unit-cell pinwheel truss and double pinwheel truss model designed following a double helical geometry similar to that of the DNA (deoxyribonucleic acid) structure in biology. The ideal solution for their derived relative density is correlated with a ratio of the truss thickness and length. To validate the relative stiffness or relative strength, ABAQUS software is used for the computational model analysis on five models having a different size of truss diameter from 1mm to 5mm. Applied material properties are stainless steel type 304. The boundary conditions applied were fixed bottom and 5 mm downward displacement. It was assumed that the width, length, and height are all equal. Consequently, it is found that the truss model has a lower effective stiffness and a lower effective yielding strength.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2004.10a
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pp.50-54
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2004
A numerical system to extract effective elastic properties of polycrystalline thin-films for MEMS devices is already developed. In this system, the statistical model based on lattice system is used for modeling the microstructure evolution simulation and the key kinetics parameters of given micrograph, grain distributions and deposition process can be extracted by inverse method proposed in the system. In this work, the effects of kinetics parameters on the extraction of effective elastic properties of polycrystalline thin-films are studied by using statistical method. The effects of the fraction of the potential site( $f_{P}$ ) and the nucleation probability( $P_{N}$ ) among the parameters for deposition process of microstructure on the extraction of effective elastic properties of polycrystalline thin-films are studied.d.d.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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