본 논문은 현재 개인 휴대기기 및 대형 디스플레이 장비의 제어에서 폭넓게 사용되고 있는 터치스크린 패널 (TSP; Touch Screen Panel)의 정상 작동 유무를 확인하기 위한 micro bump 제작 기술에 관한 연구이다. 터치스크린 패널은 감압식, 정전식 등의 여러 가지 방식이 있으나 지금은 편리성에 의하여 정전식 방식이 주도하고 있다. 정전식의 경우 해당하는 좌표의 접촉에 따라 전기적 신호가 변화하게 되고, 이를 통하여 접촉 위치를 확인할 수 있으며 따라서 접촉 위치에 따른 전기 특성 검사가 필수적이다. 검사공정에서 TSP의 모델이 변경됨에 따라 새로운 micro bump를 제작이 및 검사 프로그램의 수정이 필수적이다. 본 논문에서는 새로운 micro bump 제작 시 mask를 사용하지 않아 보다 경제적이며 변화에 대응이 유연한 maskless lithography 시스템을 이용하여 micro bump 제작 가능성에 대하여 확인하였다. 이를 위하여 제작되는 bump의 pitch에 따른 전기장 간섭 시뮬레이션을 진행하였으며, maskless lithogrphy 공정을 적용하기 위한 패턴 이미지를 생성하였다. 이후 MEMS 기술에 해당하는 PR(Photo Resist) 패터닝 공정에서 노광(Lithography) 공정 및 현상(Developing) 공정을 통하여 PR 마스크를 제작한 후 electro-plating 공정을 통하여 micro bump를 제작하였다.
Paradigm shift to 3-D chip stacking in electronic packaging has induced a lot of integration challenges due to the reduction in wafer thickness and pitch size. This study presents a hybrid bonding technology by self-alignment effect in order to improve the flip chip bonding accuracy with ultra-thin wafer. Optimization of Cu pillar bump formation and evaluation of various factors on self-alignment effect was performed. As a result, highly-improved bonding accuracy of thin wafer with a $50{\mu}m$ of thickness was achieved without solder bridging or bump misalignment by applying reflow process after thermo-compression bonding process. Reflow process caused the inherently-misaligned micro-bump to be aligned due to the interface tension between Si die and solder bump. Control of solder bump volume with respect to the chip dimension was the critical factor for self-alignment effect. This study indicated that bump design for 3D packaging could be tuned for the improvement of micro-bonding quality.
한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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pp.1785-1788
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2007
We investigated the effect on light extraction in OLED by introducing aluminum micro bump light scattering reflector. By attaching the micro bump reflector to a both side emission OLED, we found that the light extraction was 1.7 times larger than a simple flat reflector. We fabricated a 20.8” inch WXGA full color AM-OLED by integrating the micro bump scattering reflector.
Sn-base solder bump is mainly used in micro-joining for flip chip package. The quantity of intermetallic compounds that was formed between Cu pad and solder interface importantly affects reliability. In this research, micro-bump was fabricated by two binary electroplating and the intermetallic compounds(IMCs) was estimated quantitatively. When the micro Sn-Ag solder bump was made by electroplating, SiC powder was added in the plating solution for protecting of intermetallic growth. Then, the intermetallic compounds growth was decrease with increase of amount of SiC power. However, if the mount of SiC particle exceeds 4 g/L, the effect of the growth restraint decrease rapidly.
In electronic industry, the trend of future electronics will be flexible, bendable, wearable electronics. Until now, there is few study on bonding technology and reliability of bonding joint between chip with micro solder bump and flexible substrate. In this study, we investigated joint properties of Si chip with eutectic Sn-58Bi solder bump on Cu pillar bump bonded on flexible substrate finished with ENIG by flip chip process. After flip chip bonding, we observed microstructure of bump joint by SEM and then evaluated properties of bump joint by die shear test, thermal shock test, and bending test. After thermal shock test, we observed that crack initiated between $Cu_6Sn_5IMC$ and Sn-Bi solder and then propagated within Sn-Bi solder and/or interface between IMC and solder. On the other hands, We observed that fracture propated at interface between Ni3Sn4 IMC and solder and/or in solder matrix after bending test.
In electronics industry, the coming electronic devices will be expected to be high integration and convergence electronics. And also, it will be expected that the coming electronics will be flexible, bendable and wearable electronics. Therefore, the demands and interests of bonding technology between flexible substrate and chip for mobile electronics, e-paper etc. have been increased because of weight and flexibility of flexible substrate. Considering fine pitch for high density and thermal damage of flexible substrate during bonding process, the micro solder bump technology for high density and low temperature bonding process for reducing thermal damage will be required. In this study, we researched on bonding technology of chip and flexible substrate by using 25um Cu pillar bumps and Sn-Bi solder bumps were formed by electroplating. From the our study, we suggest technology on Cu pillar bump formation, Sn-Bi solder bump formation, and bonding process of chip and flexible substrate for the coming electronics.
최근, 고사양 컴퓨터, 모바일 제품의 수요가 증가하면서 반도체 패키지의 고집적화, 고밀도화가 요구된다. 따라서 많은 양의 데이터를 한 번에 전송하기 위해 범프 크기 및 피치 (Pitch)를 줄이고 I/O 밀도를 증가시킬 수 있는 플립 칩 (flip-chip), 구리 필러 (Cu pillar)와 같은 마이크로 범프 (Micro-bump)가 사용된다. 하지만 범프의 직경이 70 ㎛ 이하일 경우 솔더 (Solder) 내 금속간화합물 (Intermetallic compound, IMC)이 차지하는 부피 분율의 급격한 증가로 인해 취성이 증가하고, 전기적 특성이 감소하여 접합부 신뢰성을 악화시킨다. 따라서 이러한 점을 개선하기 위해 UBM (Under Bump Metallization) 또는 Cu pillar와 솔더 캡 사이에 diffusion barrier 역할을 하는 층을 삽입시키기도 한다. 본 review 논문에서는 추가적인 층 삽입을 통해 마이크로 범프의 과도한 IMC의 성장을 억제하여 접합부 특성을 향상시키기 위한 다양한 연구를 비교 분석하였다.
마이크로 기둥 구조물 위에 인듐 범프 배열을 형성하는 공정을 제안한다. Benzocyclobutene (BCB) 평탄화와 etch-back 공정을 통하여 매우 협소한 마이크로 기둥 위에 인듐 범프를 형성할 수 있는 공간을 확보할 수 있다. 본 연구에서는 단파장 적외선을 감지용 320×256 포맷의 하이브리드 카메라 센서 제조에 대한 자세한 공정 과정을 소개한다. 다양한 공정을 거친 BCB 필름의 shear strength는 quartz crystal microbalance 방법으로 측정하여 추출하였다. BCB 필름의 shear strength는 인듐 범프보다 103배 더 높은 것으로 확인하였다. 제작된 SWIR 카메라 센서로부터 측정된 암전류의 분포는 제안한 인듐 범프 형성 공정이 매우 민감한 적외선 카메라 센서를 구현하는 데 유용할 수 있음을 제시한다.
Adhesion and friction forces influence adversely on performance and durability of MEMS. It has been reported that the adhesion and friction forces can be reduced with the introduction of micro surface bumps into the contacting interfaces. In this study experiments were conducted to investigate comparatively the effect of hemispherical and torus micro bumps on the adhesion and friction forces. It is confirmed that micro bumps reduce the adhesion and friction forces, and their effect is more pronounced with the bumps of smaller outer boundary radius. Moreover, the results shows that the torus bumps exhibit more rapid decrease of the adhesion and friction forces with the decrease in the outer boundary radius of bump than the hemispherical bumps. When the magnitude of adhesion force is same, the torus bumps generate smaller friction force than the hemispherical bumps. The usage of hemispherical and torus bumps to reduce the adhesion and friction forces in MEMS is discussed.
Flip-chip interconnection that uses solder bump is an essential technology to improve the performance of microelectronics which require higher working speed, higher density, and smaller size. In this paper, the shear strength of Cr/Cr-Cu/Cu UBM structure of the high-melting solder b01p and that of low-melting solder bump after aging is evaluated. Observe intermetallic compound and bump joint condition at the interface between solder and UBM by SEM and TEM. And analyze the shear load concentrated to bump applying finite element analysis. As a result of experiment, the maximum shear strength of Sn-97wt%Pb which was treated 900 hrs aging has been decreased as 25% and Sn-37wt%Pb sample has been decreased as 20%. By the aging process, the growth of $Cu_6Sn_5$ and $Cu_3Sn$ is ascertained. And the tendency of crack path movement that is interior of a solder to intermetallic compound interface is found.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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