• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2003.07a
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• pp.760-763
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• 2003

We have investigated the electro-optical characteristics of image sticking in AC PDP. Although Image sticking is one of major factors to determine display quality in AC PDP, so far, it has not being reported why it is occurred and how we can prevent it. In this experiment, we have analyzed the effect of MgO protective layer and phosphor on the image sticking and we have measured the difference of firing voltage, brightness and discharge current between sticking image and normal image in AC PDP. As a result, Phosphor degradation is a more major factor than MgO protective layer and the firing voltage of gas discharge in sticking image is higher than that of normal discharge.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2005.07b
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• pp.1211-1214
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• 2005

One of the important problems in recent AC-PDP technology is high efficiency. In this research, we have been investigated electro-optical characteristics of MgO protective layer after radio frequency(RF) plasma treatment using Ar, $O_2$, and $H_2$ gases. The breakdown voltage order was $O_2$ > Ar > Nontreatment > $H_2$. Also, brightness order was $O_2$ > Ar > Non-treatment > $H_2$. In this experiment, the best result was obtained after $O_2-plasma$ treatment.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.234-234
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• 1999

AC-PDP(Plasma Display Panel)에 사용하는 MgO 보호막의 이차전자 방출계수(${\gamma}$)는 AC-PDP의 방전특성을 결정짓는 중요한 요소이다. MgO 보호막의 이차전자 방출계수는 AC-PDP에 주입하는 기체의 종류에 영향을 받는다. 현재 AC-PDP에는 방전특성의 향상과 VUV 발생을 위하여 He, Ne, Ar, Xe 등의 비활성기체를 두가지 혹은 세가지로 혼합한 혼합기체가 사용되고 있다. 기체를 혼합할 경우 Penning 효과에 의해 더 좋은 방전특성을 얻을 수 있는 것으로 알려져 왔으며, 이때의 적절한 혼합비율을 찾는 것은 AC-PDP의 효율 개선에 매우 중요하다. 이번 실험에서는 (111), (100), (110) 각각의 방향으로 배향된 MgO Bulk Crystal과 MgO 보호막의 이차전자방출계수를 He+Ne+Xe 삼원기체를 사용하였다. MgO 보호막은 실제 21inch 규격의 Panel을 사용하였으며, 혼합기체의 혼합비율의 Ne:Xe을 99:1, 98:2, 96:4, 93:7과 He+Ne+Xe의 삼원기체로 다양하게 변화시켜 가며 실험하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.201-201
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• 2000

AC-PDP(Plasma Display Panel)에 사용하는 MgO 보호막의 이차전자 방출계수(${\gamma}$)는 AC-PDP의 방전특성을 결정짓는 중요한 요소이다. MgO 보호막의 이차전자 방출계수는 AC-PDP에 주입하는 기체의 종류에 영향을 받는다. 현재 AC-PDP에는 방전특성의 향상과 VUV 발생을 위하여 He, Ne, Xe 등의 혼합기체가 사용되고 있으며, N 기체를 혼합하여 사용할 경우 더 좋은 발광효율을 얻을 수 있다는 보고가 있다. 이번 실험에서는 (100) 방향으로 배향된 MgO Bulk Crystal과 MgO 보호막의 이차전자방출계수를 ${\gamma}$-FIB 장치로 N2 기체혼합비율에 따라 측정하였다. 혼합기체는 Ne=N2 이원기체를 여러 가지 혼합 비율로 변화시켜가며 실험하였다. MgO 보호막은 실제 21inch 규격의 Panel을 사용하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.202-202
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• 2000

AC-PDP(Plasma Display Paner)는 기체 방전을 이용한 디스플레이로서 기체에 직접 노출되는 MgO 보호막의 2차전자 방출계수(${\gamma}$는 AC-PDP의 방전특성을 결정짓는 중요한 요소이다. MgO 보호막의 이차전자 방출계수는 AC-PDP에 주입하는 기체의 종류, 결정 방향성과 표면오염상태 등에 영향을 받는다. 본 연구에서는 유리 기판위에 Al 전극을 증착, 에칭후 screen printing으로 유전체를 도포, 소성 한 21inch 규격의 test panel에 MgO 보호막을 E-Beam으로 5000$\AA$ 증착한 후 MgO 보호막을 대기에 노출되는 시간간격을 변수로 하여 대기 열처리 한 MgO보호막의 2차 전자방출계수를 ${\gamma}$-FIB(Focused Ion Beam) 장치를 이용하여 측정하였다. 그리고 대기 노출 간격은 1분, 5분, 20분으로 하여 2차 전자방출계수를 측정하였고, 2차전자방출계수 측정 시 가속전압은 50V에서 200V까지 변화를 주었으며, Ne+을 사용하여 1.2$\times$10-4Torr의 진공도를 유지하며 측정하였다. 또한 각각의 MgO막의 에너지 갭을 광학적 방법을 이용하여 구하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2002.06a
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• pp.222-222
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• 2002

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2003.02a
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• pp.207-207
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• 2003

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2003.08a
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• pp.211-211
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• 2003

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2003.07a
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• pp.799-801
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• 2003

The secondary electron emission $coefficient({\bullet})$ of vacuum annealed MgO films has been investigated by ${\bullet}$ -focused ion beam(${\bullet}$ -FIB) system. The vacuum annealed MgO films have been found to have higher ${\bullet}$ values than those for as-deposited MgO films for Ne+ ion. Also it is found that the ${\bullet}$ for air-hold of vacuum annealed MgO layers for 24-hours is similar to that for vacuum annealed MgO films without any air-hold.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2004.08a
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• pp.540-543
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• 2004

The stress of MgO thin film, which is used as a dielectric protective layer in AC-PDP, was measured by a laser scanning method. MgO films were deposited bye-beam evaporation on glass substrates with dielectrics layer on them in various deposition temperatures ranging from room temperature to 300 $^{\circ}C$. The compressive stress of MgO films was increased with increasing substrate temperature due to intrinsic stress accumulation, causing the densification of the films. Both firing voltage ($V_f$) and sustaining voltage ($V_s$) were reduced for the higher compressively stressed and densified films. In the other hand, another film properties such as preferred crystallographic orientation and surface roughness seemed not to influence the discharge characteristics of $V_f$ and $V_s$ significantly.